一种砷化镓太阳电池钝化边缘的方法与流程

文档序号:14672885发布日期:2018-06-12 20:39阅读:来源:国知局
技术特征:

1.一种砷化镓太阳电池钝化边缘的方法,其特征是:砷化镓太阳电池获提钝化边缘包括以下工艺步骤:

(1)光刻上电极图形

采用自动涂胶机在外延片进行光面涂光刻胶,然后采用光刻机对涂胶面进行曝光,曝光时间为8s-10s,再将光刻好的外延片放入显影液中显影60s-90s,待显影完全后用清洗机冲洗6-8次,最后用甩干机甩干或氮气吹干;

(2)蒸镀上电极

将外延片光刻面朝下即朝向蒸发源装入镀膜机中,蒸镀顺序和各层金属厚度为Au、50nm;Ge、100nm;Ni、2μm;Au、50nm;抽真空运行程序;然后将蒸镀好上电极的外延片放入丙酮中浸泡,取出后采用自动去胶机去胶,光刻胶去除干净后,采用自动清洗机冲洗6-8次,再用甩干机甩干,完成去掉光刻胶的过程;

(3)套刻隔离槽

采用自动涂胶机在外延片进行光面涂光刻胶,自动涂胶机热板温度设置范围为70℃-80℃,然后采用光刻机对准套刻标记,对涂胶面进行曝光,曝光时间为8s-10s,再将光刻好的外延片放入显影液中显影60s-90s,待显影完全后用清洗机冲洗6-8次;最后用甩干机甩干或氮气吹干;

(4)获得钝化边缘

腐蚀隔离槽:配置腐蚀液,将光刻完隔离槽的外延片浸入腐蚀液中,不断上下抖动,腐蚀时间为0.5-1.5min;采用自动清洗机冲洗8-10次,然后甩干;

机械切割隔离槽:将光刻好隔离槽的外延片放置在自动划片机的吸盘上,选用宽划片刀进行划片,划片刀速为10mm/s,划片深度为20μm;得到隔离槽。

至此完成上电极体系为Au-Ge-Ni-Au的砷化镓太阳电池由腐蚀隔离槽或机械切割隔离槽获得钝化边缘的过程。

2.根据权利要求1所述的砷化镓太阳电池钝化边缘的方法,其特征是:配置腐蚀液为HNO3:HCl=1:3。

3.根据权利要求1所述的砷化镓太阳电池钝化边缘的方法,其特征是:自动涂胶机在外延片进光面涂光刻胶时,自动涂胶机热板温度为70℃-80℃,烘烤0.8-1.5min。

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