一种具有对位标识的led共晶晶片的制作方法
【专利摘要】本实用新型涉及一种具有对位标识的LED共晶晶片，所述LED共晶晶片为顶部出光的倒模倒装结构的LED晶片，所述LED晶片在顶部具有对位标识。在本实用新型提供的LED共晶晶片具有对位标识，在应用产品的PCB上装配时，便于装配设备自动化的识别晶片极性，从而方便的拾取LED共晶晶片进行装配操作，优化了加工流程，对位精准，有效的提高了产品质量并降低了加工成本。
【专利说明】—种具有对位标识的LED共晶晶片
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及半导体领域，尤其涉及一种具有对位标识的LED共晶晶片。
【背景技术】
[0002]传统的半导体发光晶片，要通过MOCVD先生成外延片，然后后工序做电极，再通过切割分级交给下游应用，下游应用前要先做“封装”(PACKAGE)然后再固定在应用产品的电路载体(PCB )上去实现相关的电性连接和功能。
[0003]在半导体发光应用日益趋向性价比的市场环境的要求下，对半导体发光晶片的易用性和供应成本都提出了要求。然而在现有的生产流程中，需要通过人工或者设备拾取LED晶片进行装配操作，LED晶片的正负极性往往难以区分，还需要手工进行测试后再装配，装配正确性难以保证，操作速度慢，增加了加工成本。
实用新型内容
[0004]本实用新型的目的是提供一种具有对位标识的LED共晶晶片。
[0005]在第一方面，本实用新型提供了一种具有对位标识的LED共晶晶片，所述LED共晶晶片为顶部出光的倒模倒装结构的LED晶片，自上而下包括:
[0006]蓝宝石或SiC衬底、N型导电层、P型导电层、ITO电流扩散层、正、负电极和正、负电极之间的绝缘隔离层；
[0007]所述LED晶片的正电极或负电极具有对位标识。
[0008]优选地，所述N型导电层具体为N型GaN或InGaN或InGaAlP。
[0009]优选地，所述P型导电层具体为P型GaN或InGaN或InGaAlP。
[0010]优选地，所述正、负电极包括焊盘，所述焊盘具体为AuSn或Cu。
[0011]优选地，所述LED共晶晶片还包括电流阻挡层CBL，位于P型导电层下方。
[0012]优选地，所述对位标识具体为:位于所述正电极或负电极上的图形标记。
[0013]优选地，所述对位标记具体为:位于所述正电极或负电极上的截角结构。
[0014]在本实用新型提供的LED共晶晶片具有对位标识，在应用产品的PCB上装配时，便于装配设备自动化的识别晶片极性，从而方便的拾取LED共晶晶片进行装配操作，优化了加工流程，对位精准，有效的提高了产品质量并降低了加工成本。
【专利附图】
【附图说明】
[0015]图1为本实用新型实施例1提供的一种具有对位标识的LED共晶晶片的仰视-剖面_俯视图；
[0016]图2为本实用新型实施例2提供的一种具有对位标识的LED共晶晶片的仰视-剖面_俯视图；
[0017]图3为本实用新型实施例3提供的一种具有对位标识的LED共晶晶片的仰视-剖面_俯视图；[0018]图4为本实用新型实施例4提供的一种具有对位标识的LED共晶晶片的仰视-剖面_俯视图。
【具体实施方式】
[0019]下面结合附图和实施例对本实用新型进行详细说明。
[0020]本实用新型的具有对位标识的LED共晶晶片主要用于显示方面，主要包括LED显示屏，超小间距LED显示屏，超高密度LED显示屏，LED正发光电视，LED正发光监视器，LED视频墙，LED指示，LED特殊照明等。
[0021]图1为本实用新型实施例1提供的LED共晶晶片的仰视-剖面-俯视图。
[0022]如图1所示，本实施例的LED共晶晶片为顶部出光的倒模倒装结构的塔形LED晶片，塔形LED晶片自上而下包括:蓝宝石(Al2O3)或SiC衬底、N型导电层、P型导电层、ITO电流扩散层、正、负电极和正、负电极之间的绝缘隔离层。LED晶片在底部的正电极上具有一个截角结构的对位标识，该截角结构为一个平面截角。
[0023]其中，N型导电层具体为N型GaN或InGaN或InGaAlP ；P型导电层具体为P型GaN或InGaN或InGaAlP ;正、负电极的焊盘具体为AuSn或Cu。
[0024]LED共晶晶片还包括电流阻挡层CBL，位于电极焊盘上方、P型导电层的下方(图中未示出)。采用电流阻挡层CBL的目的是使阻挡层下面没有或很少有电流通过，这样此处发光就很少，因此可以提高出光量。
[0025]本实用新型实施例提供的LED共晶晶片的正、负电极焊盘均位于晶片的下方，因此可以采用直接贴焊(Direct Attach, DA)的方式与基板相接。顶部的倒模倒装结构使得顶部的正面和侧面都能具有较高的出光量。
[0026]利用截角结构的对位标记指示晶片的正电极，能够在在应用产品的PCB上装配时，便于装配设备自动化的识别晶片极性，从而方便的拾取LED共晶晶片进行装配操作，优化了加工流程，对位精准，有效的提高了产品质量并降低了加工成本。
[0027]此外本实用新型实施例提供的LED共晶晶片还具有低驱动电压，高光效等特性，能够提供均匀出光，并且相比传统的LED晶片提高了 10%的出光效率，同时也增大了出光角度。同时采用共晶电极可以直接在应用产品的PCB上做共晶焊接工艺来完成与其他电子元器件的电性连接，省去传统的封装加工工序从而有效的节省了设备加工成本和人工成本。
[0028]此外，本实用新型提供的LED共晶晶片突破了半导体发光晶片在小间距(PITCH)
1.0毫米以下的应用限制，因为不会再受限于半导体发光体因后加工(传统封装)带来的额外体积的限制，可以制作任意尺寸的共晶器件。由此可以实现更广阔的半导体发光的应用。
[0029]图2为本实用新型实施例2提供的LED共晶晶片的仰视-剖面-俯视图。
[0030]如图21所示，本实施例的LED共晶晶片为顶部出光的倒模倒装结构的塔形LED晶片，塔形LED晶片自上而下包括:蓝宝石(Al2O3)或SiC衬底、N型导电层、P型导电层、ITO电流扩散层、正、负电极和正、负电极之间的绝缘隔离层。LED晶片在底部的正电极上具有一个截角结构的对位标识，该截角结构为一个弧面的截角。
[0031]图3为本实用新型实施例3提供的LED共晶晶片的仰视-剖面-俯视图。
[0032]如图3所示，本实施例的LED共晶晶片为顶部出光的倒模倒装结构的塔形LED晶片，塔形LED晶片自上而下包括:蓝宝石(Al2O3)或SiC衬底、N型导电层、P型导电层、ITO电流扩散层、正、负电极和正、负电极之间的绝缘隔离层。LED晶片在底部的正电极上具有一个截角结构的对位标识，该截角结构为一个截面为正方形的截角。
[0033]上述三个实施例中给出的是以塔形LED晶片为例，采用截角结构的对位标识的不同具体形式。除上述实施例中的形式之外，LED晶片还可以是其他形状的，截角结构也可以是其他规则或不规则形状的，此处不再一一例举。
[0034]图4为本实用新型实施例4提供的LED共晶晶片的仰视-剖面-俯视图。
[0035]如图4所示，本实施例的LED共晶晶片为顶部出光的倒模倒装结构的塔形LED晶片，塔形LED晶片自上而下包括:蓝宝石(Al2O3)或SiC衬底、N型导电层、P型导电层、ITO电流扩散层、正、负电极和正、负电极之间的绝缘隔离层。LED晶片在底部的正电极上具有一个图形标记作为对位标识。在本例中，该图形标记为一个圆形的图形标记。在其他具体的例子中，图形标记还可以是其他规则或不规则的图形。
[0036]利用这个圆形的图形标记指示晶片的正电极，能够在在应用产品的PCB上装配时，便于装配设备自动化的识别晶片极性，从而方便的拾取LED共晶晶片进行装配操作，优化了加工流程，对位精准，有效的提高了产品质量并降低了加工成本。
[0037]在本发明上述各个实施例中，均是以在正电极上做图形标记作为对位标识为例，在实际应用中，对位标识不仅仅可以位于正电极上，标识也可以在负电极处，或者在共晶晶片的上，下，左，右，前，后各个面上均可以，只要能够定义清楚电极方向，并且在拾取晶片的设备中进行相应的设定即可。
[0038]以上所述的【具体实施方式】，对本实用新型的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本实用新型的【具体实施方式】而已，并不用于限定本实用新型的保护范围，凡在本实用新型的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
【权利要求】
1.一种具有对位标识的LED共晶晶片，其特征在于，所述LED共晶晶片为顶部出光的倒模倒装结构的LED晶片，自上而下包括: 蓝宝石或SiC衬底、N型导电层、P型导电层、ITO电流扩散层、正、负电极和正、负电极之间的绝缘隔离层； 所述LED晶片的正电极或负电极上具有对位标识。
2.根据权利要求1所述的LED共晶晶片，其特征在于，所述N型导电层具体为N型GaN或 InGaN 或 InGaAlP。
3.根据权利要求1所述的LED共晶晶片，其特征在于，所述P型导电层具体为P型GaN或 InGaN 或 InGaAlP。
4.根据权利要求1所述的LED共晶晶片，其特征在于，所述正、负电极包括焊盘，所述焊盘具体为AuSn或Cu。
5.根据权利要求1所述的LED共晶晶片，其特征在于，所述LED共晶晶片还包括电流阻挡层CBL，位于P型导电层下方。
6.根据权利要求1所述的LED共晶晶片，其特征在于，所述对位标识具体为:位于所述正电极或负电极上的图形标记。
7.根据权利要求1所述的LED共晶晶片，其特征在于，所述对位标记具体为:位于所述正电极或负电极上的截角结构。
【文档编号】H01L33/36GK203760507SQ201420075220
【公开日】2014年8月6日 申请日期:2014年2月21日 优先权日:2014年2月21日
【发明者】程君, 严敏, 周鸣波 申请人:程君, 严敏, 周鸣波