一种高耐久性广角发光二极管的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种高耐久性广角发光二极管，包括芯片、电极和封装，封装为沿中轴开设有方形凹槽的结构，凹槽底部有裸露电极与外电极联通，发光芯片放置在凹槽的底部，通过导线将芯片的电极与凹槽底部的裸露电极连接，高耐久性广角发光二极管还包括掺有扩散粒子的光扩散层以及贴近芯片位置的导热透光层，光扩散层及导热透光层在凹槽内，将芯片密封在封装底部。本实用新型解决的技术问题在于在解决发光二级管光中心光点所造成的背光照射不均匀问题的基础上进一步增加了产品的热稳定性及耐久性。
【专利说明】一种高耐久性广角发光二极管
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种半导体发光器件，特别是一种高耐久性广角发光二极管。
【背景技术】
[0002]目前，在日常生活应用中，大量地使用发光二极管(light emitting d1de，LED)。一般的发光二极管的原理是在连有发光二极管晶片的两个电极端子之间施加电压，晶片中PN结的空穴与电子转移结合产生能量并发光。发光二极管具有发光效率高、体积小、寿命长、污染低等特性，于照明、背光以及显示灯领域具有广阔的应用前景。通常发光二极管的主要结构为芯片、连接在芯片上的正负极管脚以及密封包覆晶片的封装，负极管脚的上端为长条形柱，其上端为一倒梯形的负极片，负极片的上端有一凹槽，发光二级的芯片安装在凹槽内，正极脚管为一较短的长条形柱，其上端与负极片保持适当距离，发光二极管的芯片用一导线与正极片连接，封装为透明环氧树脂将正负极脚管上的正负极片连通位与凹槽内的晶片封装为一个整体从而成为发光二极管成品。发光二级管的发光体为晶片，为常规意义上的电光源，采用发光二极管为光源通常会存在一个最亮的发光点，使得近距离的光照区域内的均匀性不强，局部过亮，从而影响作为背光光源的使用和发光效果。
实用新型内容
[0003]为解决上述问题，本实用新型公开了一种高耐久性广角发光二极管，通过在封装的光扩散层内加入微球，利用两种材料的折射率不同所导致的反射、折射等实现了光照强度的均匀分布。通过封装内的导热透光层，由于包裹芯片，工作中的芯片产生的热量被迅速传导至封装上，及时与外界进行热交换，利于降低芯片工作温度，提升发光效率及耐久性。
[0004]本实用新型公开了一种高耐久性广角发光二极管，包括芯片、电极和封装，封装为沿中轴开设有方形凹槽的结构，凹槽底部有裸露电极与外电极联通，发光芯片放置在凹槽的底部，通过导线将芯片的电极与凹槽底部的裸露电极连接，高耐久性广角发光二极管还包括掺有扩散粒子的光扩散层以及贴近芯片位置的导热透光层，光扩散层及导热透光层在凹槽内，将芯片密封在封装底部。本实用新型解决的技术问题在于在解决发光二级管光中心光点所造成的背光照射不均匀问题的基础上进一步增加了产品的热稳定性及耐久性。
[0005]本实用新型公开的高耐久广角发光二极管的一种改进，扩散粒子是直径为10微米的二氧化硅微球。本改进通过采用10微米尺寸的扩散粒子，在有效地提高光照均匀性的同时，还避免出现由于扩散粒子尺寸过小所带来的雾化效果和扩散粒子尺寸过大所导致的光强直线衰减。
[0006]本实用新型公开的广角发光二极管的又一种改进，芯片内环氧树脂区分为两种功能层。本改进融合了散光及导热的功能于一体。很大地提高了发光二极管封装的散热和导热能力，提高发光二级管的散热性能，降低了二级管发热对晶片发光效率的影响。
【专利附图】
【附图说明】
[0007]图1、本实用新型公开的一种高耐久广角发光二极管。
[0008]附图标明列表。
[0009]1、光扩散层2、封装 3、内电极引线 4、芯片5、导热透光层 6、外电极。
【具体实施方式】
[0010]下面结合附图和【具体实施方式】，进一步阐明本实用新型，应理解下述【具体实施方式】仅用于说明本实用新型而不用于限制本实用新型的范围。
[0011]如图1所示，本实用新型公开的广角发光二极管，包括芯片4、电极6和封装2，封装2为沿中轴开设有方形凹槽的结构，凹槽底部有裸露电极与外电极6联通，芯片4放置在凹槽的底部，通过内电极引线3将芯片4的电极与凹槽底部的裸露电极连接，高耐久性广角发光二极管还包括掺有扩散粒子的光扩散层I以及贴近芯片位置的导热透光层5,光扩散层I及导热透光层5在凹槽内，将芯片4密封在封装底部。通过本实用新型公开的广角发光二极管，采用在导光柱内参入扩散粒子方法，利用扩散例的漫反射以及扩散粒子与导光柱的材料因而折射率不同所带来的折射和全反射，增强了二级管晶片发出光在导光柱内的扩散和分散能力，使得二级管发射的光线的均匀性增加，进而提高背光效果。
[0012]作为一种优选，光扩散层I中的扩散粒子是直径为10微米的二氧化硅微球。通过采用10微米尺寸的扩散粒子，在有效地提高光照均匀性的同时，还避免出现由于扩散粒子尺寸过小所带来的雾化效果和扩散粒子尺寸过大所导致的光强直线衰减。
[0013]作为一种优选，所述的导热透光层5包裹于芯片。
[0014]本发明方案所公开的技术手段不仅限于上述技术手段所公开的技术手段，还包括由以上技术特征任意组合所组成的技术方案。
[0015]本实用新型公开了一种高耐久性广角发光二极管，通过在封装的光扩散层内加入微球，利用两种材料的折射率不同所导致的反射、折射等实现了光照强度的均匀分布。通过封装内的导热透光层，由于包裹芯片，工作中的芯片产生的热量被迅速传导至封装上，及时与外界进行热交换，利于降低芯片工作温度，提升发光效率及耐久。
【权利要求】
1.一种高耐久性广角发光二极管，包括芯片、电极和封装，封装为沿中轴开设有方形凹槽的结构，凹槽底部有裸露电极与外电极联通，发光芯片放置在凹槽的底部，通过导线将芯片的电极与凹槽底部的裸露电极连接，高耐久性广角发光二极管还包括掺有扩散粒子的光扩散层以及贴近芯片位置的导热透光层，光扩散层及导热透光层在凹槽内，将芯片密封在封装底部。
2.根据权利要求1所述的广角发光二极管，其特征在于:所述的光扩散层是由直径为10微米的二氧化硅小球与环氧树脂均匀混合组成。
3.根据权利要求1所述的广角发光二极管，其特征在于:所述的光扩散层透过率介于40%-70% 之间。
4.根据权利要求1所述的广角发光二极管，其特征在于:所述的导热透光层位于光扩散层与芯片之间。
5.根据权利要求1所述的广角发光二极管，其特征在于:所述的导热透光层包裹于芯片。
6.根据权利要求1所述的广角发光二极管，其特征在于:所述的导热透光层光透过率大于等于95%。
【文档编号】H01L33/48GK204144319SQ201420410957
【公开日】2015年2月4日 申请日期:2014年7月24日 优先权日:2014年7月24日
【发明者】朱长进, 于振波, 周梦雅 申请人:南京灿华光电设备有限公司