1.一种用于处理基板的装置，所述装置包括：
腔室主体，所述腔室主体界定处理空间；
辐射源，所述辐射源耦接至所述腔室主体；
一个或多个高温计，所述一个或多个高温计耦接至所述腔室主体，与所述辐射源相对；
支撑环，所述支撑环安置于所述处理空间之中；
边缘环，所述边缘环安置于所述支撑环上；以及
辐射遮蔽件，所述辐射遮蔽件安置于所述边缘环上方，其中所述辐射遮蔽件的内部直径在所述边缘环的基板支撑构件之上并在所述边缘环的最上方表面的上方径向朝内延伸，并且其中所述辐射遮蔽件经构造以延伸过支撑在所述边缘环上的基板的外部部分，并于所述外部部分上方延伸。
2.如权利要求1所述的装置，进一步包括：
吸收表面，所述吸收表面安置于所述腔室主体上邻近于所述高温计耦接至所述腔室主体的区域。
3.如权利要求1所述的装置，其中石英窗将所述处理空间与所述辐射源隔开。
4.如权利要求3所述的装置，其中所述辐射源于所述石英窗上方耦接至所述腔室主体。
5.如权利要求1所述的装置，其中所述边缘环与所述辐射遮蔽件包括陶瓷材料。
6.如权利要求1所述的装置，其中所述边缘环进一步包括自所述边缘环的一部分延伸的多个离散突出部。
7.如权利要求1所述的装置，其中所述边缘环进一步包括多个孔洞，所述多个孔洞的尺寸允许升降销穿过其中。
8.如权利要求1所述的装置，其中所述辐射遮蔽件的内部直径小于所述基板的外部直径。
9.如权利要求2所述的装置，其中所述基板外部边缘与所述辐射遮蔽件内部边缘之间的第一距离，小于所述辐射遮蔽件的所述内部边缘与所述腔室天花板上所述高温计耦接至所述腔室主体的区域之间的第二距离。
10.如权利要求9所述的装置，其中所述辐射遮蔽件与所述基板之间的第三距离小于所述腔室天花板与所述基板之间的第四距离。
11.一种用于处理基板的装置，所述装置包括：
腔室主体，所述腔室主体界定处理空间；
辐射源，所述辐射源耦接至所述腔室主体，其中窗将所述处理空间与所述辐射源隔开，且其中所述辐射源于所述窗下方耦接至所述腔室主体；
一个或多个高温计，所述一个或多个高温计耦接至所述腔室主体，与所述辐射源相对；
支撑环，所述支撑环安置于所述处理空间之中；
边缘环，所述边缘环安置于所述支撑环上；
辐射遮蔽件，所述辐射遮蔽件安置于所述边缘环上方，其中所述辐射遮蔽件的内部直径在所述边缘环的基板支撑构件之上并在所述边缘环的最上方表面的上方径向朝内延伸，并且其中所述辐射遮蔽件经构造以延伸过支撑在所述边缘环上的基板的外部部分，并于所述外部部分上方延伸；以及
吸收表面，所述吸收表面安置于所述腔室主体上邻近于所述高温计耦接至所述腔室主体的区域，所述吸收表面包括经选择以在需要波长之中吸收或反射辐射的介电材料。
12.如权利要求11所述的装置，其中所述辐射遮蔽件的内部直径小于所述基板的外部直径。
13.如权利要求11所述的装置，其中所述基板外部边缘与所述辐射遮蔽件内部边缘之间的第一距离，小于所述辐射遮蔽件的所述内部边缘与所述腔室天花板上所述高温计耦接至所述腔室主体的区域之间的第二距离。
14.如权利要求13所述的装置，其中所述辐射遮蔽件与所述基板之间的第三距离小于所述腔室天花板与所述基板之间的第四距离。