技术领域在对表面进行加工时，例如在涂覆薄涂层时或在表面清理时使用不同的措施。在涂覆时，物理或化学气相沉积的方法是特别重要的。在半导体，太阳能电池和光学工业中经常将离子溅射(英文：Sputtern)用于表面涂覆，其中，通过微粒轰击从目标材料中放出颗粒，然后将颗粒安置在要涂覆的表面上。在表面清理时例如使用离子束蚀刻或等离子体蚀刻的措施。
背景技术：
表面加工的所提到的流程通常发生在真空中或特定的气体大气环境中。在这些条件下有问题的是，技术要求频繁变换加工方法或仅具有加工质量的低连续性的方法。通常在这些情况下，要加工的基底从工作机器中过闸取出(ausschleusen)并且过闸送入(einschleusen)随后的工作机器中，然后在那实施随后的加工步骤。这种过闸流程始终具有操纵问题，尤其是在基底非常大且重的情况下，或具有由于真空条件所导致的问题。尤其是在借助薄涂层对表面进行调质的情况下重要的是形成该调质的涂层的质量和均匀性。对于现代应用来说，部分地将超过1000的层施加成一个调质涂层。因此，涂覆技术必须能够以最高的质量和可重复性运行。也要可靠地实施这些调质涂层的结构化，尤其是涂层的在保证质量的范围内所需的测量和后加工。离子辅助的技术用于施加和后加工涂层。因此，要求类似的真空条件(压力、温度、可能还有特定的气体成分)的技术往往能够在共同的真空室中实施。由半导体工业公知有所谓的晶片转台(例如US6,949,177B2)，其中，相同类型的晶片旋转地从一个加工站运输到下一个加工站。当涉及到对多个相同类型的、相对较小的基底进行加工时，这些机组是非常有效的。然而，当要加工大的基底时，适应性较低。对于单件或小批量生产来说，这些设备的适用性也是值得怀疑的。
技术实现要素：
因此，任务在于提出一种在使用离子束和等离子体技术的情况下尤其适用于加工大基底的设计方案。根据本发明，该任务以根据权利要求1的设备来解决。在使用根据本发明的设备的情况下的方法在权利要求13中描述。有利的实施方式在引用的从属权利要求中示出。在根据本发明的用于在真空室中利用具有多个加工设备的承载筒(优选是柱形体)来加工工件的表面，尤其是带有多个加工层的基底的方法中，至少实施下列步骤：-将工件在真空室中保持在具有运动主轴线的运输设备上的悬架上，-转动承载筒，直到要使用的加工设备到达工作位置并变为激活的加工设备，-工件沿主轴线以相对激活的加工设备的小的间距行进，其中，第一加工技术应用到工件上，-伴随应用下一加工技术地重复转动承载筒和工件行进的步骤，直至实现想要的表面特性，加工机组具有大的真空室，其前面优选接有闸门。优选地，工件是指大的基底。被视为大的基底的工件在加工期间具有大于10kg，优选大于100kg的质量。工件优选紧固在保持件上，保持件使工件在加工期间能被机器的容纳部触及。当下文提到工件运动时，这指的是工件优选借助该保持件进行运动。这种保持件的实施方案由现有技术公知。工件(优选经由过闸部)输送给真空室。在真空室中，工件优选在悬架上悬挂地沿水平和竖直的方向运输。悬架的运动优选借助直线马达来实现。然而，优选的辅助运动也是可行的，其中，承载筒布置在工件的上方或布置在工件的侧面。悬架优选是能运动的，并受驱动地紧固在预设有主轴线的水平承载件上。优选地，工件在水平运动时也能够围绕竖直轴线转动。工件的转动优选借助马达来实现，该马达同样整合在运输设备上的悬架中。该马达(包括可选的传动装置和辅助设备在内)优选布置在气密的外壳中。该气密的外壳优选具有(可选是二个的)平行于运动主轴线延伸的输送部。特别优选的是，一个输送部或多个输送部实施为刚性的空心杆(管件)，其通过真空室的壁部中的真空贯穿部(优选是膜片式波纹管密封件)从该真空室中穿引出来。输送部能够沿着其纵轴线在真空贯穿部中移动。以该方式，输送部可以跟随在运输设备上的悬架沿着运动主轴线的运动，或者该运动也可以经由刚性的输送部发动并控制。为此，在真空室的外侧上设置有适当的直线驱动器。通过输送部的内部的空腔能够有利地实现能量、数据和介质传输。在另外的优选的实施方式中，在悬架中不设置有用于产生工件旋转的马达，而是仅布置有传动装置，传动装置转换通过输送部的内部经由轴或液压连接部输送的转动运动。优选地，承载筒布置在悬挂的工件的下方。承载筒优选实施为具有周侧面和两个盖面的柱体形的空心体。工件在工作位置中的激活的加工设备上方沿主轴线引导离开，并在此时得到加工。在一个优选实施方式中，沿主轴线的速度发生变化，以便产生加工轮廓。在另一优选实施方式中，工件以其从承载筒旁边引导经过的间距依赖于工作位置中的加工设备地变化。当需要均匀的加工时，要加工的工件可选地有利地置入旋转中。旋转速度可以根据要求发生变化或保持恒定。加工设备在此布置在周侧面上或中，或加工设备布置在承载筒的盖面上或中。承载筒具有中轴线，承载筒围绕中轴线旋转，以便将期望的加工设备带到加工位置中。如果加工设备布置在周侧面中，那么承载筒的中轴线如下这样地取向，即，使其位于垂直于工件的旋转轴线的平面中。当加工设备布置在承载筒的盖面中时，承载筒的中轴线优选平行于工件的旋转轴线地延伸。除了优选的实施方式外，原则上通过将承载筒布置在工件下方或上方能够实现承载筒相对工件的每个方位。同类型的或不同类型的加工设备可以布置在承载筒上作为加工设备。因此，例如可以在筒上布置有不同的离子束源、等离子体源和磁控管。因此，在优选的实施方式中，用于材料镀层的加工设备，例如磁控管和用于材料去除的，例如用于离子束蚀刻或等离子体蚀刻的加工设备共同地布置在承载筒上。在本文中，加工设备也理解为测量或监测器械，其适用于调查工件的表面特性，并且例如确定加工要求或加工效果。这种仪器例如是光学测量仪器，如显微镜、光谱仪、干涉仪或激光测量设备。优选地，承载筒具有至少两个、更优选是三个、四个、五个或六个加工设备。八个加工设备然而也是优选的。加工设备的最大数量仅由空间的和技术上的边缘条件来确定。更特别优选的是，所有加工设备都是磁控管。承载筒至少在一侧上，优选在两侧上以能转动的方式受支承，其中，支承件至少在一侧上优选具有空心轴，用于电力输送、数据连接、气体输送和必要时用于针对加工设备的高频输送的柔性的供应线路穿引过空心轴。在一个优选实施方式中，一个或多个加工设备还在工作管理及空间取向方面具有自身的控制可能性。这优选适用于例如能够设有自身的万向节式的或类似作用的悬架的离子束源和测量装置。承载筒经由驱动器如下这样地转动，即，使所想要的加工设备面向要加工的表面。因此，加工设备处于工作位置中。在一个优选实施方式中，真空室具有一个或多个另外的加工设备、测量设备或检查设备，经由它们能够使工件定位并可选地能够进行转动。这些加工设备、测量设备或检查设备例如是指离子束源、电或光学显微镜、电子束源、摄像机等，这些设备在此未布置在承载筒上。下面，在优选使用磁控管作为加工设备和基底作为工件的示例中阐述根据本发明的方法。为了产生从目标材料放出的颗粒的微粒，往往使用磁控管或简单的阴极溅射源。磁控管或阴极溅射源具有阴极，在其上装有要溅射的材料。这优选借助所谓的靶件发生。在简单的阴极溅射源中只有电场添加到阴极上，而在磁控管中，在阴极板后布置有附加的磁场。利用添加电场，在阴极前方的填充有气体的空间中产生等离子体。等离子体的所产生的离子在电场中加速并从目标材料(靶件)中放出颗粒，这些颗粒凝聚在要涂覆的表面上。将直流电压、脉动式的直流电压或低频的或高频的交变场考虑作为电场。优选地，惰性气体，如氩气或氪气用作气体。然而也可以给气体加入使在要涂覆的表面上与凝聚的颗粒起反应的并因此构造出结合层的另外的气体。因此，例如可以通过使用钛作为靶材料，并且在给气体加入O2的情况下，在要涂覆的表面上产生TiO2涂层。在使用磁控管的情况下，通过持续去除靶材料使得该靶材料缓慢耗尽或由于磁控管的因此改变的几何形状而使溅射流程的特征发生改变。因此，在加工流程期间需要更换磁控管或至少替换靶材料。在现有技术中存在一系列的方法来应付该问题。US4,356,073或US5213672描述了这些方法。在此使用旋转的靶材料。因此确保了靶材料在整个旋转体上被均匀地去除并且不会出现靶件的局部过热。虽然该方法确保靶件的使用寿命的延长，但是只能延缓最终的耗尽。EP0543844B1提出了一种设计方案，其中，整个磁控管旋转。要涂覆的基底从磁控管的阴极旁经过并在此时被涂覆。旋转的磁控管的设计方案例如在DE102009053756.2中已经完成，其中，周期性地出现的、受设计方案限制的、由于磁控管的柱体形的形状的小的不规则性而产生的波动应当以变化的靶件电压来补偿。公开的是，旋转的磁控管也不具有足够的靶件使用寿命和流程稳定性。根据本发明的方法在当前的优选的实施方式的范围内设置的是，使用多个布置在能转动的柱体形的承载筒上的磁控管，其中，至少一个磁控管被点燃，并且作为激活的磁控管为此相对于要涂覆的物体带到工作位置中。要加工的物体(基底)优选相对磁控管如下这样地运动，即，使整个针对涂覆所设置的面也都获得该涂覆。如果应该需要多个涂覆层，则有利地执行相应的多次涂覆过程。在此，涂覆过程可以用一个或同一个磁控管来执行或在涂覆过程结束之后更换激活的磁控管。因此，在磁控管的涂覆特征发生改变或靶材料耗尽之前，可以有利地更换磁控管。因为承载筒与要涂覆的基底一起安放在真空中，所以在更换激活的磁控管时不需要换气流程或过闸流程。因此，在需要替换靶件之前，对大的基底的涂覆过程也可以结束。这除了使涂覆过程明显加速之外还提高了质量，这是因为涂覆条件在真空中不发生改变。因为承载筒在当前的实施例中仅配备了磁控管，所以它在下面被称为磁控管筒。优选的第一实施方式设置有如下磁控管筒，其具有水平支承的柱形体。磁控管优选棒状并且平行于柱形体的旋转轴线地布置在其周侧面上或内。优选地，棒状的磁控管至少是如要涂覆的基底的最大涂覆的宽度那样长。在此，磁控管优选具有棒状的靶材料，其优选作为近似具有磁控管的总长度的构件与磁控管分开地操控，尤其可以更换。磁控管在结构形式方面可以与靶材料相同或不同，例如具有不同的靶材料，以便能够建立由不同的材料构成的涂覆层。另外的磁控管结构形式，即，优选旋转的、直线的、优选具有管件阴极的磁控管也是可行的。磁控管筒至少在一侧上，优选在两侧上以能转动的方式受支承，其中，支承件至少在一侧上优选具有空心轴，用于电力输送、气体和必要时用于针对磁控管的高频输送的柔性的供应线路布置为穿过空心轴。磁控管筒经由驱动器被转动，从而使所想要的磁控管面向要涂覆的表面。因此，磁控管处于工作位置中。一个优选实施方式设置的是，不在工作位置中的磁控管也可以被点燃，以便能够执行磨合过程直至稳定的运行。调查证实的是，磁控管的磨合过程与压力情况并且还与几何关系，尤其是与要涂覆的面相对磁控管的间距有关。为了使磁控管驶入相应于工作位置中的运行状态的运行状态中，根据本发明设置的是，不在工作位置中的磁控管相对磁控管筒的外壳(壁部)的间距相应于在工作位置中的磁控管相对基底的要涂覆的表面的间距。不在工作位置中的磁控管的间距相对在工作位置中的磁控管相对基底的要涂覆的表面所具有的间距的偏差优选小于25％，特别优选的是小于15％，并且更优选的是小于5％。因为对于磁控管来说，在工作位置中还是在不是工作位置的位置中都存在有相同的几何关系，因此让磁控管在运行状态下稳定化的、有利于涂覆运行的磨合过程是可行的。在一个特别优选的实施方式中，针对在工作位置以外的磁控管的真空情况同样与在工作位置中的真空情况相适应。为此，磁控管的外壳具有一个或多个气体吸出部，其抽吸由在工作位置以外的磁控管输出的气体，并且因此，这些真空情况与在真空室中对基底进行涂覆的真空室中的真空情况相适应。优选地，气体吸出部以如下方式布置，即，使该气体流动相应于作用到工作位置中的磁控管上的气体流动。真空室与磁控管的外壳之间的压力差小于10％，特别优选的是小于5％，并且更特别优选的是小于2.5％。在一个优选实施方式中，每个磁控管都具有自身的、固定或能松开的输送线路。在另外的优选的实施方式中存在带有输送线路的一个或多个自动接口，经由接口能够以松开的方式联接进入到工作位置中的磁控管和在其他位置中的磁控管。优选地，磁控管筒的旋转方向始终被选择成在定位磁控管时使输送线路的扭曲最小化。被水平支承的磁控管筒优选使用在涂覆大型的基底的机组中。为此，该机组具有大的真空室，在真空室前面接有闸门。通过闸门给真空室输送要加工的基底。在此，优选侧向地直接输送到悬架下方，从而仅需要小的上升来使工件与悬架连接。在真空室中，工件优选在悬架上悬挂地沿水平且可选地沿竖直方向运输。悬架是能运动的并且受驱动地紧固在水平承载件上。优选地，基底在水平运动时也能够围绕竖直轴线转动。优选地，磁控管筒布置在悬挂的基底的下方。构件在处于工作位置中的激活的磁控管上方沿主轴线引导离开并且在此获得涂覆层。在优选的实施方式中，速度沿主轴线发生变化，以便产生限定的涂覆轮廓。当需要均匀的涂覆层时，要加工的基底可选有利地置入旋转中。旋转速度可以根据要求发生变化或保持恒定。在完全施加完一个层之后，运动方向沿主轴线反向，并且在需要时重新涂覆基底。为此可以使用至此仍位于工作位置中的磁控管，或如果必须更换靶材料或者需要其他的涂覆材料，那么可以通过旋转磁控管筒而将其他的磁控管带到工作位置中。在此，所选出的磁控管可以已经提前被点燃或在工作位置中才被点燃。现在可以通过沿主轴线的运动并可选地通过基底的旋转来设有另外的涂覆层。这一情况一直持续，直至实现涂覆的期望的层结构或直至不再有可运转的带有所需要的层材料的磁控管可供使用。当涂覆过程结束时，基底从真空室中过闸取出。在一个优选实施方式中，承载筒布置在外壳中。筒具有针对所想要的加工设备的开口，通过该开口，加工设备能够加工工件的表面。已证实的是，尤其是在使用磁控管的情况下，存在于磁控管之前的工件可能会导致等离子体特征发生改变。然而却力求总是有稳定的等离子体来用于加工。因此，外壳优选地与等离子体源间隔开地布置，该间距相应于距在加工位置中的工件的间距。只在针对所想要的加工设备的开口的区域内实现外壳的间距的适应，从而加工设备可以在不与外壳接触的情况下带到加工位置中，然而工件也可以在不与外壳接触的情况下运动。优选地，外壳具有自身的气体吸出部。该气体吸出部确保了在外壳中和在各自的磁控管之前存在有气体压力情况和气体成分，就像它们之后在工作位置中必须实现的那样。由于为了运行状态稳定，磁控管即使是当其不在工作位置中时也处于运行中，所以限定地抽吸所使用的气体(通常为氩气)。这也优选地通过气体吸出部来实现。优选地，外壳也具有用于气体输送的设备。因此，可以有利地在每个磁控管上方实现对于本领域技术人员来说公知的“横流(CrossFlow)”。气体吸出部和输送部例如可以通过承载筒的空心轴来实现。其他优选的实施方式设置的是，承载筒在其一个或两个柱体盖面上具有开口，这些开口在加工位置中与气体吸出部的抽吸开口一致，并且在转动过程期间通过承载筒的支承件来遮盖。类似地，在气体输送时可以行进。在使用高频交流电压时，为了HF发生器与磁控管之间的功率匹配通常使用匹配设备(匹配箱(Matchbox))。这些匹配设备优选地布置在承载筒中。这有利地缩短了通向每个磁控管的一个联入点或多个联入点的必要的传输线路的长度。为此优选地，匹配箱布置在自身的真空密封的容器中。匹配箱的容器可以填充有空气或有利地填充有保护气体(例如干燥的氮气)。在一个简单且优选的实施方式中，加工设备，例如磁控管或其靶材料在设备停机期间进行更换。为此，真空室优选具有维护门。然而，另一优选实施方式设置的是，在磁控管耗尽靶材料的情况下能够就地更换该靶材料。为此，磁控管旋转到如下位置中，在该位置中，要维护的磁控管从工作位置转动到更换位置中。磁控管筒的更换位置优选与工作位置对立。在该位置中能够将闸门设备对接到磁控管筒上，闸门设备允许对靶材料进行更换。在此，第一实施方式设置的是，将耗尽的靶材料在磁控管筒的端侧上拉出并暂存在闸门中，并且然后被过闸取出。同样地，通过闸门将新的靶材料过闸进来并从端侧引入到磁控管中并在那里锚固。该解决方案有利的是，因为闸门开口仅必须稍微大于棒状的靶材料的横截面，所以闸门开口的要密封的横截面很小。优选自动更换靶材料和/或用在真空室中操纵靶材料的机械手进行。另一优选实施方式设置了闸门开口，其垂直于磁控管筒的周侧面地提取靶材料。在此有利的是，机组宽度没有由于接在旁边的闸门设备而提高。在此优选也自动更换靶材料和/或用在真空室中操纵靶材料的机械手进行。另一优选实施方式设置的是，代替靶材料地更换整个棒状的磁控管。该实施方式尤其结合使用输送线路是有利的，输送线路通过自动接口与在工作位置中的磁控管连接。另外优选的实施方式设置的是，输送线路整合到磁控管筒的端面中，并在那里接触磁控管。优选地，在磁控管筒的端面中存在与磁控管的能松开的连接。一个有利的运行方式设置的是，在工作位置中的磁控管运行期间，通过安置磁控管筒使具有耗尽的靶材料的磁控管位于更换位置中。然后，可以在不中断涂覆运行的情况下对靶材料或具有耗尽的靶材料的磁控管进行更换。同样还能够对这种磁控管进行另外的必要的维护工作。一个特别优选的实施方式设置的是，不是存在仅一个闸门，而是存在多个闸门。这些闸门优选相应于不在工作位置中的磁控管在涂覆期间所占据的位置。因此，多个磁控管可以同时设有新的靶材料或进行维护。另一优选的实施方式设置有磁控管筒，其具有竖直地受支承的柱形体。磁控管作为小的圆的溅射磁控管直立地布置在磁控管筒中。“圆”在此是指磁控管构造成杯状，并在水平横截面中基本上是圆形的。涂覆材料向上离开磁控管柱体的盖面。一个或多个在运行中的磁控管被孔板释放，从而使涂覆材料能够离开。其他磁控管被遮板覆盖。优选地存在以能转动的方式受支承的孔板，其仅释放处在运行中的磁控管。然而，未被释放的磁控管已经可以有利地处在运行中，以便到达稳定的工作点直至其被使用。磁控管筒围绕其竖直轴线转动，以便将应该考虑用于涂覆过程的磁控管带到必要的位置中。在加工期间可以可选地发生进一步的转动。工件优选如同在使用水平的磁控管筒那样地沿着主轴线在可选的旋转的情况下在磁控管上方运动离开。针对工件的平移和旋转运动的相应的参数被预先计算。竖直的磁控管筒有利的是，可以在工件上产生层厚轮廓，这些层厚轮廓也不必是旋转对称的。这种工件例如在制造具有期望的层厚斜度的自由形状面或球片段时是有利的。优选地，磁控管轴是空心的，从而通向磁控管的供给线路的接口在此也通过轴实现。即使当在此使用更短的圆的磁控管的情况下，靶材料的耗尽和由此而需要的替代也是限制参数。因此，在一个优选实施方式中设置的是，磁控管从磁控管筒的背离遮板的盖面来进行替换。为此，用于电力、气体及高频的供给线路以能拆卸的方式联接到磁控管上。必要时松开供给线路并使过闸结构移近到磁控管上。然后将磁控管全部从磁控管筒中取出并添加替代磁控管。随后，将供给线路再次紧固。整个机组(真空机组)以及涂覆过程优选借助数据处理装置来控制。为此，在机组中存在有传感器，其除了工件的位置和状态外也获知对靶材料和磁控管的位置、运行和耗损的说明以及机组中的真空状态等。这些传感器以无线或有线的方式将所收集到的数据传输到数据处理装置上，然后，数据处理装置评估这些数据并引入到真空机组的控制决定部中。替换靶材料和磁控管必要时也由数据处理装置(或另外的为此设置的数据处理装置)控制。尤其地，在真空机组的数据处理装置或其他的数据处理装置上预先计算(模拟)涂覆过程，以便获知具有特征的数据，如必要的层厚、层数、涂覆时间、工件与在工作位置中的磁控管之间的间距、进给速度并且必要时还有旋转速度等。如果在那里已经没有进行计算，那么将这些数据传输到真空室的数据处理装置上。附图说明图1示出带有具有水平轴线的磁控管筒和竖直的过闸部的根据本发明的装置的示意图；图2示出带有具有竖直轴线的磁控管筒和竖直的过闸部的根据本发明的装置的示意图；图3示出具有外壳的磁控管筒和水平的过闸部的根据本发明的图示的示意图；图4a至4f示出具有外壳的磁控管筒的实施方式的示意图。不在工作位置中的磁控管相对外壳与在工作位置中的磁控管相对基底的间距比没有真实地示出；图5示出具有输送部和在真空室内部的直线马达的根据本发明的设备的示意图；图6示出具有输送部和在真空室之外的直线马达的根据本发明的设备的示意图；图7以俯视图示出具有输送部和侧向布置的闸门的根据本发明的设备的示意图；图8示意性地示出不在工作位置中的磁控管相对外壳与在工作位置中的磁控管相对基底的间距比。两个间距根据本发明是相同的或几乎相同的。具体实施方式图1示出了根据本发明的带有具有水平轴线(42)的磁控管筒的装置的示意图。尤其是示出了三个位置3a、3b、3c中的工件。这些位置依次到达。因此，并不是指同时加工的三个工件。图2示出了根据本发明的带有具有竖直轴线(42)的磁控管筒的装置的示意图。尤其是示出了三个位置3a、3b、3c中的工件。这些位置依次到达。因此，并不是指同时加工的三个工件。根据本发明的设备的图2的实施方式中在其参数方面相应于第一示例。通过竖直轴线(42)，实施下一涂覆过程的磁控管(41)运动到工作位置中，并同时，孔板(43)扭转，从而使孔板在工作位置中释放其针对磁控管(41)的溅射的靶材料的颗粒的开口。根据本发明的设备的图3中的实施方式具有真空室(1)，在真空室中，主轴线(2)由具有4000mm长度的承载件形成。真空室(1)的宽度为2000mm，以便可以容纳具有直径最大为1500mm的工件(3a、3b、3c)。在承载件(2)上布置有悬架(21)，其能够容纳最大为1000kg的载荷。此外，悬架能够实现给予工件(3c)围绕轴线(31)的最大为3Hz的旋转。为了也能够加工具有不同尺寸的工件，这些工件在设备的外面引入到统一的承载件系统(保持件)中并因此形成新的共同的工件。工件和承载件系统在真空室中共同地被悬架(21)容纳。磁控管筒(4)在周侧面上等距分布地具有四个平的1700mm长的磁控管(41)。磁控管筒(4)的直径为1000mm。为了运行磁控管，在真空室中设立有约2×10-3mbar的平均工作压力。然而，工作压力典型地可以在约2×10-4mbar与约2×10-2mbar之间变化。为了遵守洁净的运行条件，在真空室之内，并且避免来自大气环境的污染，真空室可以被抽真空直至<1×10-7mbar的基本压力。为此有利地，真空室也能够被加热或能够被调温。闸门(11)在高度为800mm的情况下具有2000mm×2000mm的开口宽度。工件(3a)在朝真空方向(33)敞开的闸门(11)中，在运输设备(5)的滚子上运动进入真空室中，被升降设备(115)抬升并自动地联接到悬架上。然后，工件(3c)借助直线驱动器沿着运输设备的主轴线(2)行进并置入旋转中。在开始对工件进行实际加工之前，磁控管筒(4)的磁控管(41)已被点燃。磁控管筒被外壳(44)包围，外壳朝工件的方向具有带有能行进的封盖(441)的工作开口。磁控管筒(4)的外壳(44)与磁控管(41)以如下程度分离，即，使工件(3c)在工作位置中处在磁控管(41)的上方。因而，磁控管(41)已经可以达到稳定的等离子体状态，并且不必在工作位置中被点燃。与工件的递送同时地，包含作为靶材料的要施加的材料的磁控管(41)运动到工作位置中。由于磁控管(41)已经被点燃，所以磁控管在工作位置中立即达到稳定运行，并且以2.00min-1进行旋转的工件(3c)以限定的速度曲线和相对磁控管(41)的靶表面的60mm的间距在该磁控管上方运动离开。在此，第一涂覆层凝聚在工件(3c)的要加工的表面(32)上，典型的速度曲线包含0.1mm/s与30mm/s之间的速度变化。为了能够实现速度变化优选地使用直线马达驱动系统。在工件与靶表面之间的间距可以在约50mm至约100mm之间调节。一旦工件(3c)完全行进越过磁控管(41)，那么就减慢其运动，反之亦然。与此同时，磁控管筒(4)如下这样地围绕其轴线(42)扭转，即，下一个被点燃的磁控管(41)现在到达工作位置。下一个磁控管(41)现在以类似的方式施加后面的涂覆层，同时其被旋转的工件(3c)行进越过。图4a至图4f示意性地示出了磁控管筒(4)和所属的外壳(44)的不同的设计方案。在图4a中示出了在磁控管筒(4)上具有四个磁控管(41)的简单的实施方式。工件(3c)在外壳的工作开口(442)的和在工作位置(45)中的磁控管的上方运动。在此，外壳(44)具有圆的横截面。在图4b中，外壳设计成八角形。每个磁控管(41)(示出了四个磁控管(41)，在此适宜地最多八个)对置于外壳(44)的平面的区段。这是特别有利的，这是因为在此等离子体的稳定化发生在特别靠近在工作位置中期待的几何形状中。在图4c中，磁控管筒(4)构造为具有承载磁控管(41)的臂的轴。根据图4d的实施方式具有同样设计为八角形的磁控管筒(4)。因此，连同八角形的外壳(44)生成有利的几何形状，其中，磁控管筒(4)的面对置于外壳(44)的面。优选地，在图示中未被磁控管(41)占用的面也准备于安装加工设备，从而在改装的范围内可以响应改变的技术流程。图4e示出了如下实施方式，其中，磁控管筒(4)被中断，从而实现经由磁控管筒(4)的空心的中心轴抽吸气体，气体从磁控管筒(4)与外壳(44)之间的间隙中吸走。因此，这些压力情况有利地适应于真空室中的压力情况。根据图4f的实施方式示意性地示出了磁控管(41)的匹配箱(46)在磁控管筒(4)内部中的布置。在该实施方式中，外壳(44)具有气体抽吸开口(443)，其能够实现从磁控管筒(4)与外壳(44)之间的间隙中抽吸气体。以这种方式确保了间隙中的真空条件接近真空室(1)中的真空条件。根据图5的实施方式示意性地示出了输送部(7)，该输送部在其内部是空心的，并且允许从供应线路和数据线路至悬架(21)的输送。输送部(7)跟随悬架(21)的沿着具有主轴线(2)的运输设备的运动。为了在运动期间能够确保真空密封的情况，输送部设有膜片式波纹管密封件(71)，其跟随该运动。在悬架(21)中，马达(22)布置在真空密封的外壳中，马达实现了工件(3c)的旋转运动。在本实施方式中，在升降设备(115)旁边示出了离子源(6)，其能够实现对工件(3c)的另外的加工。为此，工件(3c)可以定位在离子源(6)上方。旋转运动和沿主轴线(2)的平移运动能够实现对在工件(3c)的面向离子源的侧面上的每个任意点的加工。在离子源(6)的部位上还可以布置有其他的加工或分析设备(例如显微镜)。图6示意性地示出了可以如何实现根据本发明的设备，其中，承载件的能运动的部分与真空室(1)机械脱离。加固系统(74)经由外置的加固部件(741)将具有主轴线(2)的运输设备与磁控管筒(742)的保持件连接。该加固系统(74)借助加固部件(741)经由膜片式波纹管贯穿部保持带有主轴线(2)的运输设备。磁控管筒(4)的保持件(742)也经由膜片式波纹管贯穿部实现。因此能够使真空室与运动系统机械脱离，并实现基底运动的所要求的精度。图7以俯视图示意性地示出了根据本发明的设备，其中，闸门(11)实现为侧向的附件(Anbau)。在此，具有主轴线(2)的承载设备实施为双承载设备。悬架(21)沿主轴线在两个平行的承载件(2)上运动，在此，主轴线在两个承载件(2)之间的中部并平行于这些承载件地延伸(未示出)。示出了在等待位置中的磁控管(41)(实际上被挡住了，但在此在缺口中能看到)和在工作位置中的磁控管(45)。当工件在外壳的工作开口(442)上方运动时，在工作位置中的磁控管(45)可以加工该工件(3c)。与悬架(21)的运动同步化地实现输送部的驱动设备(73)的运动。该驱动设备也布置在构造为双承载设备(72)的承载设备上并且能沿主轴线的方向运动地布置。闸门(11)的侧向布置能够实现的是，在不被输送部(7)的承载设备(72)阻碍的情况下，工件(3d)运动到闸门(11)中或从该闸门中运动出来。用所谓的运输件实现大气环境区域与处理室中的转移或接收位置之间的工件的递送和收取。为此，运输件匹配于所选择的运输系统和针对不同的工件尺寸的承载件系统。在图7中示例性地示出滚轮式运输系统作为运输系统。图8示意性地示出了相应于图4f中的实施方式的根据本发明的实施方式。为了清楚说明发明思路，即，将处于工作位置之外的磁控管所存在的情况匹配于在工作位置中的磁控管的情况，在图8中画出了在工作位置之外的磁控管相对外壳(44)的间距(A)和在工作位置中的磁控管相对基底(3c)的间距(B)。适用的是，间距(A)应该等于或约等于间距(B)。为了进一步适应于这些情况，经由外壳中的抽吸开口(443)抽吸由不在工作位置中的磁控管所输出的气体。以该方式，外壳中的压力情况相应于真空室中的压力情况。气体抽吸通过不安装在对置于磁控管的壁中而是安装在布置在其侧向的壁中的抽吸开口(443)实现。以该方式模仿也在工作位置中期待的气体流动，在那里，对真空室的气体抽吸针对气体流动侧向地在基底旁引导经过。附图标记列表1真空室11闸门111闸门至真空室的滑动件112闸门至周围环境的滑动件113闸门的气体吸出部114真空室的气体吸出部(真空产生部)115用于抬升工件的升降设备2具有主轴线的运输设备21悬架22悬架的内部马达的真空密封的外壳3a闸门中的工件3b在运输设备上上升运动到真空室之后的工件3c加工期间处于运动和旋转中的工件3d在过闸送入之前在滚轮设备上的工件3e在真空室内进行上升运动之前的工件3f工件的旋转运动31旋转轴线，工件在加工期间围绕该旋转轴线转动32工件的要加工的表面33工件在过闸送入时的上升运动34从磁控管至工件的颗粒流4磁控管筒41单个的磁控管42磁控管筒的旋转轴线43孔板431孔板的开口44磁控管筒的外壳441磁控管筒的外壳的工作开口的封盖442磁控管筒的外壳的工作开口443外壳中的气体抽吸开口45在工作位置中的磁控管46用于对磁控管进行高频匹配的匹配箱5用于运输工件的滚轮设备6离子源7输送部71膜片式波纹管密封件72在真空室外部的输送部的承载设备73输送部的驱动设备74用于限定且精确地将主轴线和磁控管筒彼此布置的加固系统741加固部件742磁控管筒的保持件A不在工作位置中的磁控管相对外壳的间距B在工作位置中的磁控管相对基底的间距