技术总结
一种方法包括：在牺牲衬底上的极性化合物半导体层上形成阻挡层；将牺牲衬底耦合到载体衬底以形成复合结构，其中，阻挡层布置在极性化合物半导体层与载体衬底之间；将牺牲衬底从复合结构分离以暴露出极性化合物半导体层；以及形成至少一个电路器件。一种装置包括：在衬底上的阻挡层；在阻挡层上的晶体管器件；以及布置在阻挡层与晶体管器件之间的极性化合物半导体层，极性化合物半导体层包括其中的二维电子气。
技术研发人员：K·俊;S·达斯古普塔;A·X·利万德;P·莫罗
受保护的技术使用者：英特尔公司
文档号码：201480078732
技术研发日：2014.06.13
技术公布日：2017.02.15