1.一种半导体器件，包括：
衬底；
位于所述衬底上的电介质材料层，其中，所述电介质材料具有形成在其中的凹陷部；以及
导电合金材料，其中，所述导电合金材料填充所述凹陷部，并且其中，所述导电合金材料由55到75原子百分比的钴、20到40原子百分比的钨、以及1到5原子百分比的硼构成。
2.根据权利要求1所述的器件，其中，所述导电合金材料由60到70原子百分比的钴、25到35原子百分比的钨、以及1到5原子百分比的硼构成。
3.根据权利要求1所述的器件，其中，所述凹陷部具有至少一个侧部，并且所述凹陷部的所述侧部与所述导电合金材料直接接触。
4.根据权利要求1所述的器件，其中，所述电介质材料选自由以下各项组成的组：二氧化硅、八氟环丁烷、聚四氟乙烯、氮化硅、氮氧化硅、硼掺杂的氧化硅、磷掺杂的氧化硅、碳掺杂的氧化硅、氟硅酸盐玻璃、倍半硅氧烷、和有机硅酸盐玻璃。
5.根据权利要求1所述的器件，其中，所述凹陷部是位于所述衬底上的第一器件与第二器件之间的导电互连件。
6.一种半导体器件，包括：
衬底；
位于所述衬底上的电介质材料层，其中，所述电介质材料具有形成在其中的凹陷部；以及
导电合金材料，其中，所述导电合金材料填充所述凹陷部，并且其中，所述导电合金材料由55到75原子百分比的镍、20到40原子百分比的钨、以及1至5原子百分比的硼构成。
7.根据权利要求6所述的器件，其中，所述导电合金材料由60到70原子百分比的钴、25到35原子百分比的钨、以及1到5原子百分比的硼构成。
8.根据权利要求6所述的器件，其中，所述凹陷部具有至少一个侧部，并且所述凹陷部的所述侧部与所述导电合金材料直接接触。
9.根据权利要求6所述的器件，其中，所述电介质材料选自由以下各项组成的组：二氧化硅、八氟环丁烷、聚四氟乙烯、氮化硅、氮氧化硅、硼掺杂的氧化硅、磷掺杂的氧化硅、碳掺杂的氧化硅、氟硅酸盐玻璃、倍半硅氧烷、和有机硅酸盐玻璃。
10.根据权利要求6所述的器件，其中，所述凹陷部是位于所述衬底上的第一器件与第二器件之间的导电互连件。
11.一种计算设备，包括：
母板；
通信芯片，所述通信芯片安装在所述母板上；以及
处理器，所述处理器安装在所述母板上，所述处理器操作地耦合到所述通信芯片，所述处理器包括：
衬底；
电介质材料层，所述电介质材料层位于所述衬底上，其中，所述电介质材料具有形成在其中的凹陷部；以及
导电合金材料，其中，所述导电合金材料填充所述凹陷部，并且其中，所述导电合金材料由55到75原子百分比的钴或镍、20到40原子百分比的钨、以及1到5原子百分比的硼构成。
12.根据权利要求11所述的器件，其中，所述导电合金材料由60到70原子百分比的钴或镍、25到35原子百分比的钨、以及1到5原子百分比的硼构成。
13.根据权利要求11所述的器件，其中，所述凹陷部具有至少一个侧部，并且所述凹陷部的所述侧部与所述导电合金材料直接接触。
14.根据权利要求11所述的器件，其中，所述电介质材料选自由以下各项组成的组：二氧化硅、八氟环丁烷、聚四氟乙烯、氮化硅、氮氧化硅、硼掺杂的氧化硅、磷掺杂的氧化硅、碳掺杂的氧化硅、氟硅酸盐玻璃、倍半硅氧烷、和有机硅酸盐玻璃。
15.根据权利要求11所述的器件，其中，所述凹陷部是位于所述衬底上的第一器件与第二器件之间的导电互连件。
16.一种半导体器件，包括：
衬底；
电介质材料层，所述电介质材料层位于所述衬底上，其中，所述电介质材料具有形成在其中的凹陷部，并且所述凹陷部具有表面；
导电合金材料层，其中，所述导电合金层与所述凹陷部的所述表面直接接触，并且其中，所述导电合金材料由55到75原子百分比的钴或镍、20到40原子百分比的钨、以及1到5原子百分比的硼构成；以及
填充材料，所述填充材料包括所述凹陷部中的铜。
17.根据权利要求16所述的器件，其中，所述导电合金材料由60到70原子百分比的钴或镍、25到35原子百分比的钨、以及1到5原子百分比的硼构成。
18.根据权利要求16所述的器件，其中，所述凹陷部具有至少一个侧部，并且所述凹陷部的所述侧部与所述导电合金材料直接接触。
19.根据权利要求16所述的器件，其中，所述电介质材料选自由以下各项组成的组：二氧化硅、八氟环丁烷、聚四氟乙烯、氮化硅、氮氧化硅、硼掺杂的氧化硅、磷掺杂的氧化硅、碳掺杂的氧化硅、氟硅酸盐玻璃、倍半硅氧烷、和有机硅酸盐玻璃。
20.根据权利要求16所述的器件，其中，所述凹陷部是位于所述衬底上的第一器件与第二器件之间的导电互连件。