1.一种互连结构的形成方法，其特征在于，包括：
形成基底，所述基底内形成有前层待连接件；
在所述基底上形成图形化的第一光刻胶层，所述第一光刻胶层在前层待连接件上方形成有第一开口，所述第一开口用于定义插塞的位置；
对所述第一光刻胶层进行硬化处理；
在硬化后的所述第一光刻胶层上形成填充层，所述填充层填满所述第一开口并覆盖所述第一光刻胶层；
在所述填充层上形成图形化的第二光刻胶层，所述第二光刻胶层在前层待连接件上方形成有第二开口，所述第二开口大于所述第一开口，所述第二开口用于定义后层待连接件的位置；
以所述第二光刻胶层为掩模，去除第二开口底部的填充层，形成露出第一光刻胶层的第三开口，所述第三开口包括用于定义后层待连接件位置的沟槽和位于沟槽底部用于定义插塞位置的接触孔；
将所述第三开口的图形转移到所述基底内，在所述基底内形成露出前层待连接件的第四开口；
向所述第四开口中填充导电材料，以形成互连结构。
2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，对所述第一光刻胶层进行硬化处理的步骤包括：采用紫外光照射或加热处理的方式对所述第一光刻胶层进行硬化处理。
3.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，对所述第一光刻胶层进行硬化处理的步骤之后，形成填充层的步骤之前，所述形成方法还包括：形成保形覆盖硬化后的所述第一光刻胶层和第一开口底部基底的保形层。
4.如权利要求3所述的形成方法，其特征在于，所述保形层的材料为氧化硅。
5.如权利要求3所述的形成方法，其特征在于，形成所述保形层的步骤包括：采用原子层沉积的方式形成所述保形层。
6.如权利要求5所述的形成方法，其特征在于，采用原子层沉积的方式形成 所述保形层的步骤包括：形成所述保形层的温度为160摄氏度至200摄氏度。
7.如权利要求3所述的形成方法，其特征在于，形成所述保形层的步骤包括：所述保形层的厚度为600埃至1000埃。
8.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成基底的步骤包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成前层待连接件；形成覆盖所述半导体衬底和所述前层待连接件的层间介质层；
将所述第三开口的图形转移到所述基底内的步骤包括：将第三开口的图形转移到所述层间介质层中，在所述层间介质层中形成露出所述前层待连接件的第四开口。
9.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成基底的步骤之后，形成图形化的第一光刻胶层的步骤之前，所述形成方法还包括：
在所述基底上依次形成氧化层和第一底部抗反射层。
10.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述填充层为有机绝缘材料层。
11.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成所述填充层的步骤包括：采用旋涂的工艺形成所述填充层。
12.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成填充层的步骤之后，形成图形化的第二光刻胶层的步骤之前，所述形成方法还包括：在所述填充层上形成第二底部抗反射层。
13.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，去除第二开口底部的填充层，形成露出第一光刻胶层的第三开口的步骤包括：以第二光刻胶为掩模，采用等离子体干法刻蚀方法去除第二开口底部的填充层，形成第三开口。
14.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，将所述第三开口的图形转移到所述基底内的步骤包括：
以剩余的填充层为掩模，对所述第一光刻胶层和所述基底进行第一刻蚀，去除未被剩余的填充层覆盖的部分第一光刻胶层和未被第一光刻胶层覆盖的 部分基底；
以剩余的第一光刻胶层为掩模，对所述基底进行第二刻蚀，去除未被剩余第一光刻胶层覆盖的部分基底；
以剩余的所述第一光刻胶层为掩模，对所述基底进行第三刻蚀，去除剩余的第一光刻胶层和部分基底，形成露出前层待连接件的第四开口。
15.如权利要求14所述的形成方法，其特征在于，所述第一刻蚀、第二刻蚀和第三刻蚀中的一个或多个步骤包括：采用等离子体干法刻蚀方法进行刻蚀。
16.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述导电材料为金属材料。