技术总结
一种互连结构的形成方法，包括：提供基底，基底内形成有前层待连接件；在基底上形成图形化的第一光刻胶层；对第一光刻胶层进行硬化处理；在第一光刻胶层上形成填充层；在填充层上形成图形化的第二光刻胶层；以第二光刻胶层为掩模，形成露出第一光刻胶层的第三开口；将第三开口的图形转移到基底内，在基底内形成露出前层待连接件的第四开口；向第四开口中填充导电材料，以形成互连结构。本发明通过固定用以定义接触孔位置的第一光刻胶的图形，使尺寸较小的接触孔位置的定义能够先于尺寸较大的后层待连接件位置的定义，避免了两次光刻的层叠偏差的叠加，能够有效扩大接触孔刻蚀工艺窗口，提高器件制造过程中的良品率，降低器件制造成本。
技术研发人员：邢滨;张城龙
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
文档号码：201510178919
技术研发日：2015.04.15
技术公布日：2016.11.23