1.一种碳化硅半导体器件的退火方法，所述碳化硅半导体器件包括具有离子注入的碳化硅晶片，其特征在于，所述退火方法包括步骤：
A、将经过离子注入的碳化硅晶片置于化学气相沉积反应腔室中；
B、将所述反应腔室抽真空，并充入保护气体；
C、将充入所述保护气体后的反应腔室升温，并充入反应气体进行热解反应，在所述碳化硅晶片的经过离子注入的一侧的表面上形成碳膜；
D、将镀有所述碳膜的碳化硅晶片进行退火处理。
2.根据权利要求1所述的退火方法，其特征在于，所述碳膜的厚度为0.2μm～5μm。
3.根据权利要求1或2所述的退火方法，其特征在于，在所述步骤C中，所述反应气体为烃类气体，所述反应气体的通气流量为0.01L/min～0.5L/min，所述反应气体通至其在所述反应腔室中的分压为0.5kPa～5kPa。
4.根据权利要求3所述的退火方法，其特征在于，所述烃类气体选自甲烷、丙烷中的任意一种。
5.根据权利要求3所述的退火方法，其特征在于，所述热解反应的温度为900℃～1400℃，时间为1h～8h。
6.根据权利要求5所述的退火方法，其特征在于，所述步骤C中，升温速率为10℃/min～50℃/min。
7.根据权利要求5所述的退火方法，其特征在于，所述步骤D具体包括：
将镀有碳膜的碳化硅晶片在所述反应腔室中以5℃/min～10℃/min的速度降温至室温；
将降温后的镀有碳膜的碳化硅晶片转移至高温退火炉中，在1500℃～2100℃的温度下退火处理1min～60min。
8.根据权利要求7所述的退火方法，其特征在于，在所述步骤B中，将所述反应腔体抽真空至1Pa～10Pa，所述保护气体为氮气或惰性气体，所述保护气体的通气流量为0.1L/min～5L/min，所述保护气体通至其在所述反应腔室中的压强为2×104Pa～9×104Pa。
9.根据权利要求1所述的退火方法，其特征在于，所述退火方法还包括步 骤：
E、将退火处理后的碳化硅晶片加热去除所述碳膜。
10.根据权利要求9所述的退火方法，其特征在于，去除所述碳膜的具体方法为：
将经过退火处理的镀有所述碳膜的碳化硅晶片转移至马弗炉中；
将所述马弗炉加热至700℃～1000℃，去除所述碳膜。