技术总结
本发明涉及碳化硅半导体器件制备技术领域，尤其公开了一种碳化硅半导体器件的退火方法，所述碳化硅半导体器件包括具有离子注入的碳化硅晶片，该退火方法包括步骤：A、将经过离子注入的碳化硅晶片置于化学气相沉积反应腔室中；B、将反应腔室抽真空，并充入保护气体；C、将充入保护气体后的反应腔室升温，并充入反应气体，进行热解反应，碳化硅晶片的经过离子注入的一侧的表面上形成碳膜；D、将镀有碳膜的碳化硅晶片进行退火处理。根据本发明的退火方法，利用化学气相沉积法，在碳化硅晶片表面形成致密碳膜，使得在后续退火过程中，不仅抑制经离子注入的元素不从碳化硅晶片表面逸出，而且保护碳化硅晶片表面的形貌和粗糙度不发生恶化。
技术研发人员：王辉;蔡勇;张宝顺
受保护的技术使用者：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
文档号码：201510296003
技术研发日：2015.06.02
技术公布日：2017.01.04