1.一种功率模块封装结构，其特征在于，包含：
一单层线路板，包含一绝缘基材以及设置于该绝缘基材上的一导体层，该绝缘基材具有相对的正面与背面，该导体层具有相对的正面与背面，该导体层的背面接触该绝缘基材的正面，该绝缘基材具有多个第一开口，以让该导体层的背面显露于该绝缘基材的背面；
一第一电子元件，设置于该导体层的正面；以及
一第二电子元件，容置于该绝缘基材背面的第一开口处，藉由该第一开口设置于该导体层的背面并与该导体层相连，其中该第一电子元件与该第二电子元件中的至少一者为裸芯片。
2.如权利要求1所述的功率模块封装结构，其中该裸芯片为平面型芯片，该平面型芯片以倒装焊方式焊接至该导体层。
3.如权利要求2所述的功率模块封装结构，还包含一第三电子元件，其中该第二电子元件为一电容，该第一电子元件和该第三电子元件至少一个为平面型芯片，该第三电子元件设置于该导体层的正面。
4.如权利要求3所述的功率模块封装结构，还包含两个驱动元件，所述两个驱动元件分别用以驱动该第一电子元件和该第三电子元件，所述两个驱动元件均设置于该绝缘基材背面的所述多个第一开口处，且所述两个驱动元件在该绝缘基材的正投影分别与该第一电子元件及该第三电子元件在该绝缘基材的正投影相重叠。
5.如权利要求4所述的功率模块封装结构，其中该第一电子元件与该第三电子元件均为氮化镓芯片，所述两个驱动元件在该绝缘基材的正投影分别与该些氮化镓芯片的源极及栅极在该绝缘基材的正投影相重叠。
6.如权利要求2所述的功率模块封装结构，还包含一第三电子元件、一第四电子元件和一第五电子元件，其中该第一电子元件和该第三电子元件均为设置于该导体层的正面的一低压MOS管，该第二电子元件与该第四电子元件均为设置于该绝缘基材的背面的氮化镓芯片，该第五电子元件为设置于该导体层的正面的一电容，该第二电子元件和该第四电子元件在该些第一开口处与该导体层相连，且该些低压MOS管在该绝缘基材上的正投影分别与其对应的该些氮化镓芯片的源极在该绝缘基材上的正投影相重叠。
7.如权利要求6所述的功率模块封装结构，还包含两驱动元件，分别用以驱动该低压MOS管。
8.如权利要求1所述的功率模块封装结构，其中该导体层具有至少一凹陷部分，该第一电子元件设置于该凹陷部分。
9.如权利要求2所述的功率模块封装结构，其中该第一电子元件为一低压MOS管，该第二电子元件为一氮化镓芯片，且该低压MOS管在该绝缘基材上的正投影与该氮化镓芯片的源极在该绝缘基材上的正投影相重叠。
10.如权利要求1所述的功率模块封装结构，其中该导体层为一铜层。
11.如权利要求1至10任一项所述的功率模块封装结构，还包含一封装塑料，全部或部分包覆该单层线路板与设置在该单层线路板上的该第一电子元件。
12.如权利要求11所述的功率模块封装结构，其中部分的该第一电子元件外露于该封装塑料，该功率模块封装结构还包含一散热元件，设置于该第一电子元件上。
13.如权利要求12所述的功率模块封装结构，还包含一导热材料，设置于该散热元件与该第一电子元件之间。
14.如权利要求1所述的功率模块封装结构，其中该绝缘基材包含多个第二开口，以露出该导体层，该功率模块封装结构还包含多个连接结构，设置于该绝缘基材背面的所述多个第二开口处并在所述多个第二开口处连接该导体层，或者所述多个连接结构直接设置在该导体层的正面。
15.如权利要求14所述的功率模块封装结构，还包含一隔离层，覆盖于该绝缘基材的背面，其中该隔离层具有多个第三开口，所述多个第一开口及所述多个第二开口分别与所述多个第三开口上下贯通。
16.如权利要求14所述的功率模块封装结构，其中所述多个连接结构为焊球或是引脚。
17.如权利要求1所述的功率模块封装结构，还包含一绝缘层，设置于该导体层上，该绝缘层包含多个第四开口，该第一电子元件藉由所述多个第四开口处与该导体层相连。
18.如权利要求1所述的功率模块封装结构，还包含一隔离层，覆盖该导体层的正面的部分区域。