1.一种低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：
在基底上形成图案化的非晶硅，所述图案化的非晶硅包括第一源漏预设区、第二源漏预设区以及位于所述第一源漏预设区和所述第二源漏预设区之间的有源区；
在所述基底及图案化的非晶硅上形成栅绝缘层，所述栅绝缘层覆盖所述第一源漏预设区、所述第二源漏预设区以及所述有源区，所述栅绝缘层的厚度均一且为1/4激光波长奇数倍；
进行准分子激光照射，使所述图案化的非晶硅进行结晶化，获得多晶硅；
其中，进行准分子激光照射的步骤中，所述准分子激光固定不动，移动所述基底，使所述准分子激光均匀照射至所述图案化的非晶硅。
2.如权利要求1所述的低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，所述栅绝缘层的材质为氧化硅或者氮化硅。
3.如权利要求2所述的低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，所述栅绝缘层采用等离子体化学气相沉积技术形成。
4.如权利要求1所述的低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，所述准分子激光的波长为308nm。
5.如权利要求4所述的低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，所述栅绝缘层的厚度为77nm或231nm。
6.如权利要求1所述的低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，所述准分子激光为XeCl准分子激光。
7.如权利要求1所述的低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，在形成所述多晶硅后，还包括：
在所述栅绝缘层上形成栅极；
形成栅极后采用自对准工艺对多晶硅进行离子掺杂形成源漏极，所述源漏极位于所述第一源漏预设区和所述第二源漏预设区；
在所述栅绝缘层及栅极表面形成层间介质层；
对所述层间介质层及栅绝缘层进行刻蚀，暴露出所述源漏极；
在暴露出的源漏极上形成金属通孔连线。
8.如权利要求1所述的低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，所述基底包括玻璃基板及形成在所述玻璃基板上的缓冲层。
9.一种低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板，采用如权利要求1至8中任一项所述的低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板的制作方法制备而成，其特征在于，包括：
基底；
形成在所述基底上通过准分子激光照射图案化非晶硅形成的多晶硅；
形成在所述多晶硅上的栅绝缘层；
形成在所述栅绝缘层上的栅极；
形成在所述栅极两侧多晶硅两端的源漏极；
形成在所述栅绝缘层和栅极上的层间介质层；
以及，穿过层间介质层及栅绝缘层与所述源漏极相连的金属通孔连线；
其中，所述栅绝缘层的厚度均一且为1/4激光波长奇数倍。