双玻太阳能光伏组件及其制备方法与流程

本发明涉及光伏发电
技术领域：
，特别是涉及一种双玻太阳能光伏组件及其制备方法。
背景技术：
：近年来，光伏发电已经发生翻天覆地的变化，各项技术都有很大的进步，推动了国内电站系统的大规模新建，然而随着光伏电站的不断新建，对组件效率和可靠性提出了更高要求，常规组件光学利用的空间还未完全挖掘，使用玻璃代替背板的双玻太阳能光伏组件逐渐受到青睐。然而，现有的双玻太阳能光伏组件的抗PID效应(电位诱导衰减效应)还能进一步强化，其转换效率有待于提高。技术实现要素：基于此，有必要提供一种抗PID效应性能较好且转换效率较高的双玻太阳能光伏组件。一种双玻太阳能光伏组件，包括依次层叠的第一玻璃基板、第一封装层、第二封装层、太阳能电池片、第三封装层及第二玻璃基板，所述太阳能电池片包括依次层叠的铝背场、硅片、扩散层、钝化层及氮化硅层，所述第二玻璃基板包括依次层叠玻璃基体和二氧化硅层，所述铝背场层叠于所述第二封装层上，所述玻璃基体层叠于所述第三封装层上，所述钝化层的材料为二氧化硅层。在其中一个实施例中，所述第二玻璃基板还包括压花层，所述压花层设置于所述玻璃基体的与所述二氧化硅层相对的表面上，且所述压花层层叠于所述第三封装层上。在其中一个实施例中，所述压花层的厚度为30～50微米。在其中一个实施例中，所述二氧化硅层的厚度为90～110纳米。在其中一个实施例中，所述第一封装层和第三封装层的材料为乙烯-醋酸乙 烯酯共聚物。在其中一个实施例中，所述第二封装层的材料包括乙烯-醋酸乙烯酯共聚物和二氧化钛颗粒，所述二氧化钛颗粒分散于所述乙烯-醋酸乙烯酯共聚物中。在其中一个实施例中，所述二氧化钛颗粒的质量百分比为2.5％～3.5％。在其中一个实施例中，所述钝化层的厚度为4～5纳米。在其中一个实施例中，所述太阳能电池片为多个，且多个所述太阳能电池片串联。一种双玻太阳能光伏组件的制备方法，包括如下步骤：提供硅片，在所述硅片的一个表面依次制备扩散层、钝化层和氮化硅层，在所述硅片的与所述扩散层相对的表面上制备铝背场，得到太阳能电池片，其中，钝化层的材料为二氧化硅；制备第二玻璃基板，并提供第一玻璃基板、第一封装层、第二封装层和第三封装层，将所述第一玻璃基板、第一封装层、第二封装层、太阳能电池片、第三封装层和第二玻璃基板依次层叠，得到层叠体；及将所述层叠体于90～130℃下进行一次层压，然后于130～150℃下进行二次层压得到所述双玻太阳能光伏组件，其中，所述第二玻璃基板包括依次层叠的玻璃基体和二氧化硅层，所述铝背场层叠于所述第一封装层上，所述玻璃基体层叠于所述第三封装层上。上述双玻太阳能光伏组件的太阳能电池片在扩散层上设置钝化层，该钝化层的材料为二氧化硅，不仅能够阻隔第一玻璃基板和第二玻璃基板中的钠离子向硅片迁移，从而获得优异的抗PID性能，而且扩散层上设置钝化层具有较好的钝化效果，能够提升太阳能电池片的短波响应性能，最终实现短波段更加有效地利用，从而提高转换效率；并且，第二玻璃基板包括二氧化硅层，二氧化硅层能够使透过第二玻璃基板的短波段入射光顺利通过，进而被太阳能电池片吸收，从而进一步提升光学利用率，有利于提高转换效率，因此，上述双玻太阳能光伏组件抗PID效应性能较好且转换效率较高。附图说明图1为一实施方式的双玻太阳能光伏组件的结构示意图；图2为图1所示的双玻太阳能光伏组件的第二封装层的结构示意图；图3为图1所示的双玻太阳能光伏组件的太阳能电池片的结构示意图；图4为图1所示的双玻太阳能光伏组件的第二玻璃基板的结构示意图；图5为一实施方式的双玻太阳能光伏组件的制备方法的流程图；图6(1)～(2)为实施例1的双玻太阳能光伏组件EL变化图。具体实施方式为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似改进，因此本发明不受下面公开的具体实施的限制。请参阅图1，一实施方式的双玻太阳能光伏组件10，包括依次层叠的第一玻璃基板100、第一封装层200、第二封装层300、太阳能电池片400、第三封装层500和第二玻璃基板600。第一玻璃基板100为钢化玻璃或半钢化玻璃。第一玻璃基板的厚度优选为2.0～4.0毫米。第一封装层200的材料为乙烯-醋酸乙烯酯共聚物(EVA)。第一封装层200的厚度优选为0.45～0.6毫米。第二封装层300的材料包括乙烯-醋酸乙烯酯共聚物310和二氧化钛颗粒320，二氧化钛颗粒320均匀分散于乙烯-醋酸乙烯酯共聚物310中，如图2所示。由于二氧化钛颗粒320均匀分散于乙烯-醋酸乙烯酯共聚物310中，使得第二封装层300具有较高的反射率，可以将太阳光反射进入整个双玻太阳能光伏组件10内，从而使太阳能电池片400的空隙之间的未被利用的光实现二次利用，有利于提高转换效率。优选地，二氧化钛颗粒320的质量百分比为2.5％～3.5％。第二封装层300的厚度为0.45～0.6毫米。第一封装层200处于第一玻璃基板100和第二封装层300之间，形成过度区域，从而能够使含有二氧化钛颗粒320的第二封装层300与第一玻璃基板100达到更好的粘接效果，另一方面第一封装层200提供足够的封装胶量，防止双玻太阳能光伏组件10出现缺胶等不良现象。请一并参阅图3，太阳能电池片400包括依次层叠的铝背场410、硅片420、扩散层430、钝化层440及氮化硅层450。铝背场410层叠于第二封装层300上。铝背场410上设置有正电极460，铝背场410设有正电极460的一侧设置于第二封装层300上。铝背场410为印刷铝浆层。铝背场410的厚度优选为20～30微米。硅片420层叠于铝背场410远离正电极460的一侧。硅片420为P型硅片。优选地，硅片420的厚度为180微米～200微米。扩散层430为N型扩磷层。扩散层430的厚度优选为0.3微米～0.5微米。钝化层440的材料为二氧化硅。由二氧化硅形成的钝化层440可以更加有效地实现阻隔第一玻璃基板100和第二玻璃基板600中的钠离子向硅片420迁移，而且具有较好的钝化效果，能够提升太阳能电池片400的短波响应性能，最终实现短波段更加有效地利用，从而提高转换效率。优选地，钝化层440的厚度为4～5纳米。氮化硅层450的厚度优选为75～80纳米。其中，氮化硅层450远离钝化层440的一侧设置有负电极470。太阳能电池片400可以为一个，也可以为多个。当太阳能电池片400为多个时，多个太阳能电池片400通过导电焊带串联在一起。第三封装层500的材料为乙烯-醋酸乙烯酯共聚物，该第三封装层500可以使透过第二玻璃基板600的短波段入射光顺利通过，进而被太阳能电池吸收。第三封装层500层叠于氮化硅层450上。具体地，第三封装层500层叠于氮化硅层450有负电极470的一侧。优选地，第三封装层500的厚度为0.45～0.6毫米。进一步地，第三封装层500中没有添加二苯甲酮类紫外吸收剂。进一步地，可以通过降低第三封装层500中的醋酸乙烯酯的含量、提高第 三封装层500的材料的纯度、调整结构或者添加吸收离子等方式来提高第三封装层500的电阻，从而阻隔玻璃中的钠离子向太阳能光伏组件10的太阳能电池片400迁移，从而增加太阳能光伏组件10的抗PID性能。第二玻璃基板600为钢化镀膜压花玻璃。请一并参阅图4，本实施方式中，第二玻璃基板600包括依次层叠的压花层610、玻璃基体620和二氧化硅层630，压花层610层叠于第三封装层500上。压花层610是第二玻璃基板600制备过程中，通过辊子挤压获得的花纹印。压花层610的厚度为30～50微米。第二封装层300将进入太阳能电池片400间隙的入射光反射回去，反射到正面压花层610时，发生全反射被太阳能电池片400回收利用，提升光学利用率。玻璃基体620作为压花层610和二氧化硅层630衬底，同时起到提高机械强度的作用。玻璃基体620为钢化玻璃基体。优选地，玻璃基体620的厚度为2～4毫米。二氧化硅层630具有增透的作用，以增加短波段的透过率。优选地，二氧化硅层630的厚度为90～110纳米，该厚度的二氧化硅层630设能够在短波段具有较高的透过率，即在300nm～400nm波段具有较高的透过率。上述压花层610可以省略，省略压花层610时，玻璃基体620层叠于第三封装层500上。省略了压花层610的第二玻璃基板600中的二氧化硅层630亦可提高透过率从而有利于提高转换效率，但同时设置压花层610和二氧化硅层630，效果更优。上述双玻太阳能光伏组件10的太阳能电池片400在扩散层430上设置钝化层440，钝化层440的材料为二氧化硅，不仅能够阻隔第一玻璃基板100和第二玻璃基板600中的钠离子向硅片420迁移，从而获得优异的抗PID性能，而且扩散层430上设置钝化层440具有较好的钝化效果，能够提升太阳能电池片400的短波响应性能，最终实现短波段更加有效地利用，从而提高转换效率；并且，第二玻璃基板600包括二氧化硅层630，二氧化硅层630能够使透过第二玻璃基板600的短波段入射光顺利通过，进而被太阳能电池片400吸收，有利于提高 转换效率。同时，第二封装层300可以将进入太阳能电池片400间隙的入射光反射回去，反射到第二玻璃基板600中的压花层610，发生全反射被太阳能电池片400回收利用，从而进一步提升光学利用，最终提高转换效率。因此，上述双玻太阳能光伏组件10抗PID效应性能较好且转换效率较高。进一步，提供一种双玻太阳能光伏组件的制备方法，用于制备上述双玻太阳能光伏组件。请参阅图5，该双玻太阳能光伏组件的制备方法包括如下步骤：步骤S110：提供硅片，在硅片的一个表面依次制备扩散层、钝化层和氮化硅层，在硅片的与扩散层相对的表面上制备铝背场，得到太阳能电池片，其中，钝化层的材料为二氧化硅。硅片为P型硅片。将硅片进行清洗制绒，再进行扩散制结，在硅片的一个表面上形成扩散层，钝化层可通过等离子体增强化学气相沉积法镀膜工艺(PECVD)或者扩散完进行二洗出料时臭氧氧化制备得到，氮化硅层通过等离子体增强化学气相沉积法镀膜工艺(PECVD)制备得到。采用丝网印刷铝浆在硅片的与扩散层相对的表面上制备铝背场，得到太阳能电池片。步骤S120：制备第二玻璃基板，并提供第一玻璃基板、第一封装层、第二封装层和第三封装层，将第一玻璃基板、第一封装层、第二封装层、太阳能电池片、第三封装层和第二玻璃基板依次层叠，得到层叠体。第一玻璃基板、第一封装层、第二封装层和第三封装层采购得到。第二玻璃基板制备出玻璃基体后，在玻璃基体的一个表面上滚涂镀膜液形成二氧化硅层。当第二玻璃基板还包括压花层时，采用辊子挤压在玻璃基体的与二氧化硅层相对的表面行获得的花纹印，形成压花层。将第一玻璃基板、第一封装层、第二封装层、太阳能电池片、第三封装层和第二玻璃基板依次层叠，得到层叠体。步骤S130：将层叠体于90～130℃下进行一次层压，然后于130～150℃下进 行二次层压得到双玻太阳能光伏组件，其中，第二玻璃基板包括依次层叠的压花层、玻璃基体和二氧化硅层，铝背场层叠于所述第一封装层上，玻璃基体层叠于第三封装层上。采用分步层压工艺，有利于减轻了第一玻璃基板和第二玻璃基板的形变程度，制备得到高质量的双玻太阳能光伏组件。并且，第二封装层由于成分中含有二氧化钛颗粒，在层压过程中第一玻璃基板和第二玻璃基板受热形变，会造成双玻太阳能光伏组件中第二封装层四周出现二氧化钛颗粒分布不均的情况，采用分步层压工艺，双玻太阳能光伏组件共经过两次层压，第一次层压温度为90～130℃，第二次层压的温度为130～150℃，经过第一次低温层压过渡，减轻了第一玻璃基板和第二玻璃基板的形变程度，缓解了因第二封装层中二氧化钛颗粒分布不均导致的褶皱情况。上述双玻太阳能光伏组件的制备方法工艺简单，制备得到抗PID效应性能较好且转换效率较高的双玻太阳能光伏组件。以下通过具体实施例进一步阐述。实施例11、提供P型硅片，将P型硅片进行清洗制绒后扩散制结，在硅片的一个表面上形成扩散层，然后采用等离子体增强化学气相沉积法在扩散层的表面上依次形成钝化层和氮化硅层，采用丝网印刷工艺在氮化硅层上负电极，扩散层为N型扩磷层，钝化层的材料为二氧化硅，进一步采用丝网印刷工艺在P型硅片的与扩散层相对的表面上形成铝背场，并采用丝网印刷工艺在铝背场上形成正电极，得到太阳能电池片，其中，铝背场的厚度为20微米，P型硅片的厚度为180微米，扩散层的厚度为0.3微米，钝化层的厚度为4纳米，氮化硅层的厚度为75纳米。2、制备钢化玻璃作为玻璃基体，在钢化玻璃的一个表面上滚涂镀膜液形成二氧化硅层，然后采用辊子挤压在玻璃基体的与二氧化硅层相对的表面行获得的花纹印，形成压花层，得到第二玻璃基板，其中，钢化玻璃的厚度为2毫米，压花层的厚度为30微米，二氧化硅层的厚度为90纳米。3、将第一玻璃基板、第一封装层、第二封装层、太阳能电池片、第三封装 层和第二玻璃基板依次层叠，得到层叠体，其中，第一玻璃基板为钢化玻璃，厚度为2.0毫米；第一封装层的材料为乙烯-醋酸乙烯酯共聚物(EVA)，厚度为0.45毫米，第二封装层的材料包括乙烯-醋酸乙烯酯共聚物和均匀分散于乙烯-醋酸乙烯酯共聚物中的二氧化钛，二氧化钛颗粒的质量百分比为2.5％，第二封装层的厚度为0.6毫米；第三封装层的材料为乙烯-醋酸乙烯酯共聚物(EVA)，厚度为0.45毫米。4、将层叠体于90℃下进行一次层压，然后于130℃下进行二次层压得到双玻太阳能光伏组件，其中，第二玻璃基板包括依次层叠的压花层、玻璃基体和二氧化硅层，铝背场层叠于第一封装层上，压花层层叠于第三封装层上。实施例21、提供P型硅片，将P型硅片进行清洗制绒后扩散制结，在硅片的一个表面上形成扩散层，然后采用等离子体增强化学气相沉积法在扩散层的表面上依次形成钝化层和氮化硅层，采用丝网印刷工艺在氮化硅层上负电极，扩散层为N型扩磷层，钝化层的材料为二氧化硅，进一步采用丝网印刷工艺在P型硅片的与扩散层相对的表面上形成铝背场，并采用丝网印刷工艺在铝背场上形成正电极，得到太阳能电池片，其中，铝背场的厚度为30微米，P型硅片的厚度为200微米，扩散层的厚度为0.5微米，钝化层的厚度为5纳米，氮化硅层的厚度为80纳米。2、制备钢化玻璃作为玻璃基体，在钢化玻璃的一个表面上滚涂镀膜液形成二氧化硅层，然后采用辊子挤压在玻璃基体的与二氧化硅层相对的表面行获得的花纹印，形成压花层，得到第二玻璃基板，其中，钢化玻璃的厚度为3毫米，压花层的厚度为40微米，二氧化硅层的厚度为100纳米。3、将第一玻璃基板、第一封装层、第二封装层、太阳能电池片、第三封装层和第二玻璃基板依次层叠，得到层叠体，其中，第一玻璃基板为钢化玻璃，厚度为4.0毫米；第一封装层的材料为乙烯-醋酸乙烯酯共聚物(EVA)，厚度为0.6毫米，第二封装层的材料包括乙烯-醋酸乙烯酯共聚物和均匀分散于乙烯-醋酸乙烯酯共聚物中的二氧化钛，二氧化钛颗粒的质量百分比为3.5％，第二封装 层的厚度为0.45毫米；第三封装层的材料为乙烯-醋酸乙烯酯共聚物(EVA)，厚度为0.6毫米。4、将层叠体于130℃下进行一次层压，然后于150℃下进行二次层压得到双玻太阳能光伏组件，其中，第二玻璃基板包括依次层叠的压花层、玻璃基体和二氧化硅层，铝背场层叠于第一封装层上，压花层层叠于第三封装层上。实施例31、提供P型硅片，将P型硅片进行清洗制绒后扩散制结，在硅片的一个表面上形成扩散层，然后采用等离子体增强化学气相沉积法在扩散层的表面上依次形成钝化层和氮化硅层，采用丝网印刷工艺在氮化硅层上负电极，扩散层为N型扩磷层，钝化层的材料为二氧化硅，进一步采用丝网印刷工艺在P型硅片的与扩散层相对的表面上形成铝背场，并采用丝网印刷工艺在铝背场上形成正电极，得到太阳能电池片，其中，铝背场的厚度为25微米，P型硅片的厚度为190微米，扩散层的厚度为0.45微米，钝化层的厚度为4.5纳米，氮化硅层的厚度为78纳米。2、制备钢化玻璃作为玻璃基体，在钢化玻璃的一个表面上滚涂镀膜液形成二氧化硅层，然后采用辊子挤压在玻璃基体的与二氧化硅层相对的表面行获得的花纹印，形成压花层，得到第二玻璃基板，其中，钢化玻璃的厚度为4毫米，压花层的厚度为50微米，二氧化硅层的厚度为110纳米。3、将第一玻璃基板、第一封装层、第二封装层、太阳能电池片、第三封装层和第二玻璃基板依次层叠，得到层叠体，其中，第一玻璃基板为钢化玻璃，厚度为4.0毫米；第一封装层的材料为乙烯-醋酸乙烯酯共聚物(EVA)，厚度为0.5毫米，第二封装层的材料包括乙烯-醋酸乙烯酯共聚物和均匀分散于乙烯-醋酸乙烯酯共聚物中的二氧化钛，二氧化钛颗粒的质量百分比为3.0％，第二封装层的厚度为0.5毫米；第三封装层的材料为乙烯-醋酸乙烯酯共聚物(EVA)，厚度为0.5毫米。4、将层叠体于110℃下进行一次层压，然后于140℃下进行二次层压得到双玻太阳能光伏组件，其中，第二玻璃基板包括依次层叠的压花层、玻璃基体 和二氧化硅层，铝背场层叠于第一封装层上，压花层层叠于第三封装层上。实施例41、提供P型硅片，将P型硅片进行清洗制绒后扩散制结，在硅片的一个表面上形成扩散层，然后采用等离子体增强化学气相沉积法在扩散层的表面上依次形成钝化层和氮化硅层，采用丝网印刷工艺在氮化硅层上负电极，扩散层为N型扩磷层，钝化层的材料为二氧化硅，进一步采用丝网印刷工艺在P型硅片的与扩散层相对的表面上形成铝背场，并采用丝网印刷工艺在铝背场上形成正电极，得到太阳能电池片，其中，铝背场的厚度为25微米，P型硅片的厚度为190微米，扩散层的厚度为0.45微米，钝化层的厚度为4.5纳米，氮化硅层的厚度为78纳米。2、制备钢化玻璃作为玻璃基体，在钢化玻璃的一个表面上滚涂镀膜液形成二氧化硅层，然后采用辊子挤压在玻璃基体的与二氧化硅层相对的表面行获得的花纹印，形成压花层，得到第二玻璃基板，其中，钢化玻璃的厚度为4毫米，压花层的厚度为50微米，二氧化硅层的厚度为110纳米。3、将第一玻璃基板、第一封装层、第二封装层、两个太阳能电池片、第三封装层和第二玻璃基板依次层叠，得到层叠体，其中，第一玻璃基板为钢化玻璃，厚度为4.0毫米；第一封装层的材料为乙烯-醋酸乙烯酯共聚物(EVA)，厚度为0.5毫米，第二封装层的材料包括乙烯-醋酸乙烯酯共聚物和均匀分散于乙烯-醋酸乙烯酯共聚物中的二氧化钛，二氧化钛颗粒的质量百分比为3.0％，第二封装层的厚度为0.5毫米；第三封装层的材料为乙烯-醋酸乙烯酯共聚物(EVA)，厚度为0.5毫米，两个太阳能电池片通过导电焊带串联在一起。4、将层叠体于110℃下进行一次层压，然后于140℃下进行二次层压得到双玻太阳能光伏组件，其中，第二玻璃基板包括依次层叠的压花层、玻璃基体和二氧化硅层，铝背场层叠于第一封装层上，压花层层叠于第三封装层上。实施例51、提供P型硅片，将P型硅片进行清洗制绒后扩散制结，在硅片的一个表 面上形成扩散层，然后采用等离子体增强化学气相沉积法在扩散层的表面上依次形成钝化层和氮化硅层，采用丝网印刷工艺在氮化硅层上负电极，扩散层为N型扩磷层，钝化层的材料为二氧化硅，进一步采用丝网印刷工艺在P型硅片的与扩散层相对的表面上形成铝背场，并采用丝网印刷工艺在铝背场上形成正电极，得到太阳能电池片，其中，铝背场的厚度为25微米，P型硅片的厚度为190微米，扩散层的厚度为0.45微米，钝化层的厚度为4.5纳米，氮化硅层的厚度为78纳米。2、制备钢化玻璃作为玻璃基体，在钢化玻璃的一个表面上滚涂镀膜液形成二氧化硅层，得到第二玻璃基板，其中，钢化玻璃的厚度为4毫米，二氧化硅层的厚度为110纳米。3、将第一玻璃基板、第一封装层、第二封装层、太阳能电池片、第三封装层和第二玻璃基板依次层叠，得到层叠体，其中，第一玻璃基板为钢化玻璃，厚度为4.0毫米；第一封装层的材料为乙烯-醋酸乙烯酯共聚物(EVA)，厚度为0.5毫米，第二封装层的材料包括乙烯-醋酸乙烯酯共聚物和均匀分散于乙烯-醋酸乙烯酯共聚物中的二氧化钛，二氧化钛颗粒的质量百分比为3.0％，第二封装层的厚度为0.5毫米；第三封装层的材料为乙烯-醋酸乙烯酯共聚物(EVA)，厚度为0.5毫米。4、将层叠体于110℃下进行一次层压，然后于140℃下进行二次层压得到双玻太阳能光伏组件，其中，第二玻璃基板包括依次层叠的压花层、玻璃基体和二氧化硅层，铝背场层叠于第一封装层上，二氧化硅层层叠于第三封装层上。对比例11、提供P型硅片，将P型硅片进行清洗制绒后扩散制结，在硅片的一个表面上形成扩散层，然后采用等离子体增强化学气相沉积法在扩散层的表面上依次形成钝化层和氮化硅层，采用丝网印刷工艺在氮化硅层上负电极，扩散层为N型扩磷层，钝化层的材料为二氧化硅，进一步采用丝网印刷工艺在P型硅片的与扩散层相对的表面上形成铝背场，并采用丝网印刷工艺在铝背场上形成正电极，得到太阳能电池片，其中，铝背场的厚度为20微米，P型硅片的厚度为180 微米，扩散层的厚度为0.3微米，钝化层的厚度为4纳米，氮化硅层的厚度为75纳米。3、将第一玻璃基板、第一封装层、太阳能电池片、第二封装层和第二玻璃基板依次层叠，得到层叠体，其中，第一玻璃基板和第二玻璃基板均为钢化玻璃，厚度均为4.0毫米；第一封装层的材料为乙烯-醋酸乙烯酯共聚物(EVA)，厚度为0.5毫米，第二封装层的材料为乙烯-醋酸乙烯酯共聚物(EVA)，厚度为0.5毫米。4、将层叠体于90℃下进行一次层压，然后于130℃下进行二次层压得到双玻太阳能光伏组件，其中，铝背场层叠于第一封装层上，第二封装层层叠于氮化硅层上。实施例1～实施例5及对比例1的双玻太阳能光伏组件的性能参数见下表1，由下表1可看出，实施例1～实施例5的双玻太阳能光伏组件的Pmax均高于对比例1的双玻太阳能光伏组件的Pmax，在相同的入射光强度Pin下，实施例1～实施例5的转换效率PCE＝Pmax/Pin明显高于对比例1。表1表2为实施例1的双玻太阳能光伏组件在85℃、85％湿度及-1000V条件下96小时后的性能参数变化。由表2可看出，在上述条件下，经过96小时后，实施例1的双玻太阳能光伏组件的参数无明显变化，功率衰减几乎为0％。表2VocIscPmaxVpmIpmFFRsRsh测试前38.7989.062260.18630.6608.4860.7400.58369.37996小时后38.4679.088260.18030.7128.4720.7440.514113.379图6(1)和图6(2)为实施例1的双玻太阳能光伏组件在85℃、85％湿度及-1000V条件下96小时后的EL图片。由图6(1)和图6(2)可看出，实施例1的双玻太阳能光伏组件在85℃、85％湿度及-1000V条件下96小时后无EL黑化。结合表2、图6(1)和图(2)可知，实施例1的双玻太阳能光伏组件的抗PID性能优异。以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。当前第1页1 2 3