1.一种硅片直接键合方法，其特征在于：该方法是将经过清洗的抛光片，依次进行等离子激活处理、键合机内化学液清洗、低真空直接键合和退火处理，获得所需硅键合片；具体包括如下步骤：
(1)等离子激活处理：
硅片采用N2对其进行等离子激活处理，气体压力0.1-1mbar，激活时间1-10s，射频功率55-120W；
(2)化学液清洗：
使用120℃的HF、H2SO4和H2O2的混合溶液对硅片进行表面处理，处理时间20-40min；然后再用去离子水冲选干净；
(3)低真空直接键合：
经步骤(2)清洗后的硅片送入键合机内，在键合机内压力降至0.5-1mbar时向硅片施加1-3N的压力完成预键合；
(4)退火处理：
键合后的硅片送入退火炉进行退火处理，退火温度850-1100℃，退火时间2-4h。
2.根据权利要求1所述的硅片直接键合方法，其特征在于：硅片在等离子激活前进行清洗，清洗过程为：将硅片依次经过DHF、SC-1和SC-2清洗，其中：DHF清洗时间为1-5min，SC-1清洗时间为5-15min，SC-2清洗时间为5-15min；清洗后的硅片表面呈亲水性。
3.根据权利要求1所述的硅片直接键合方法，其特征在于：步骤(2)中，所述混合溶液中HF、H2SO4和H2O2的体积比例为5:5:1。
4.根据权利要求1所述的硅片直接键合方法，其特征在于：步骤(3)中，键合后的硅片具有小于0.5°键合偏差，可以保证键合界面晶向的一致性。