技术总结
本发明公开了一种硅片直接键合方法，属于微电子技术领域。该方法是将经过清洗的抛光片，依次进行等离子激活处理、化学液清洗、低真空直接键合和退火处理，获得所需硅键合片；其中：等离子激活前的清洗是将硅片依次经过DHF、SC-1和SC-2清洗；等离子激活处理工艺参数为：采用N2激活，气体压力0.1-1mbar，激活时间1-10s，射频功率55-120W；采用本发明方法可以大量稳定的生产无空洞、无氧化层的硅硅键合片，可以根据不同需求选用不同电阻率的硅片进行键合，所制备的键合片可以作为超厚外延片或超厚硅片进行使用。
技术研发人员：李响;丁浩杰;刘丽君;范美华
受保护的技术使用者：沈阳硅基科技有限公司
文档号码：201510481429
技术研发日：2015.08.03
技术公布日：2017.02.15