1.一种半导体晶圆表面加工方法，适用于一放电加工设备，该放电加工设备包括一放电电极以及一盛有放电加工液的容器；该晶圆具有相背对的一第一表面以及一第二表面；该半导体晶圆表面加工方法包括以下步骤：
A、浸置该放电电极与该晶圆于放电加工液中，并驱使该放电电极与该晶圆相互靠近；以及
B、提供电能予该放电电极，使该放电电极对该晶圆的该第一表面放电，以改变该晶圆的该第一表面的表面形态。
2.如权利要求1所述的半导体晶圆表面加工方法，其中该放电电极具有一工作面，该工作面面对该晶圆，用以对该晶圆放电。
3.如权利要求2所述的半导体晶圆表面加工方法，其中该工作面的面积大于或等于该晶圆的该第一表面的面积；步骤B包括：在该放电电极对该晶圆放电时，驱使该晶圆旋转。
4.如权利要求2所述的半导体晶圆表面加工方法，其中该工作面包括有一曲面，以使经过步骤B的放电处理后的该晶圆的该第一表面形成与该曲面互补的表面形态。
5.如权利要求2所述的半导体晶圆表面加工方法，其中该工作面的面积小于该晶圆的该第一表面的面积；步骤B包含在该放电电极对该晶圆放电时，驱使该放电电极以及该晶圆的其中至少一者转动及/或移动。
6.如权利要求1所述的半导体晶圆表面加工方法，其中该放电电极为一线状电极，该放电电极具有一段呈直线状的工作段，该工作段实质上与该晶圆的该第一表面平行，用以对该晶圆放电；步骤B中包括：在该放电电极的工作段对该晶圆放电时，驱使该放电电极沿该晶圆的径向方向移动及/或驱使该晶圆旋转。
7.如权利要求1所述的半导体晶圆表面加工方法，在步骤B之后还包括对该晶圆的该第一表面进行研削加工、磨削加工及化学机械抛光的其中至少一者。
8.如权利要求1所述的半导体晶圆表面加工方法，在步骤B之后还包括一步骤C：
翻转该晶圆，使该晶圆的该第二表面面对该放电电极；以及
驱使该放电电极与该晶圆互相靠近，并提供电能予该放电电极，驱使该放电电极对该晶圆的该第二表面放电，以改变该晶圆的该第二表面的表面形态。
9.如权利要求8所述的半导体晶圆表面加工方法，在步骤C之后还包括一步骤D，对该晶圆的该第一表面及/或该第二表面进行研削加工、磨削加工及化学机械抛光的其中至少一者。
10.如权利要求1所述的半导体晶圆表面加工方法，其中所述的晶圆的电阻率为0.001～1ohm-cm。
11.如权利要求1所述的半导体晶圆表面加工方法，其中所述的晶圆为SiC单晶晶圆、硅晶圆、砷化镓半导体晶圆、氮化镓半导体晶圆的其中之一者。
12.如权利要求1或8所述的半导体晶圆表面加工方法，其中当该放电电极对该晶圆进行放电时，还提供超音波震荡能量，以对该晶圆进行表面粗糙度均匀化处理。
13.如权利要求1或8所述的半导体晶圆表面加工方法，在步骤A之前还包括：对该晶圆进行高温热处理以释放应力，以降低其翘曲度。