1.一种发光二极管阵列结构，其特征在于包含：
一基底，包含一承载基板以及多个排列设置于该承载基板上的金属单元，每一该金属单元外缘的任二点界定出一端点间距；以及
至少二发光体，被同步设置于该基底之上，每一该发光体包含有互为电性相异并分隔设置的一第一电极及一第二电极，每一该发光体于该第一电极与该第二电极之间界定出一电极间距，该电极间距大于该端点间距，每一该发光体的该第一电极与该第二电极分别与该些金属单元的至少其中之一电性连接，且其中一该发光体的该第一电极与另一该发光体的该第二电极连接于相同的至少一该金属单元，令二该发光体形成串联。
2.如权利要求1所述的发光二极管阵列结构，其特征在于，该发光体的该第一电极与另一该发光体的该第二电极之间具有一小于该端点间距的连接间距以连接于相同的至少一该金属单元。
3.如权利要求1或2所述的发光二极管阵列结构，其特征在于，该些发光体分别为一三族氮系列半导体发光叠层或一三族磷系列半导体发光叠层。
4.一种发光二极管阵列结构，其特征在于包含：
一基底，包含一承载基板以及多个排列设置于该承载基板上的金属单元，每一该金属单元外缘的任二点界定出一端点间距；以及
至少二发光体，被同步设置于该基底之上，每一该发光体包含有互为电性相异并分隔设置的一第一电极及一第二电极，每一该发光体于该第一电极与该第二电极之间界定出一电极间距，该电极间距大于该端点间距，二该发光体的该第一电极连接于相同的至少一该金属单元，二该发光体的该第二电极则连接于其他相同的至少一该金属单元，令二该发光体形成并联。
5.如权利要求4所述的发光二极管阵列结构，其特征在于，二该发光体的二该第一电极之间具有一小于该端点间距的连接间距以连接于相同的至少一该金属单元，二该发光体的二该第二电极之间则具有该连接间距以连接于其他相同的至少一该金属单元。
6.如权利要求4或5所述的发光二极管阵列结构，其特征在于，该些发光体分别为一三族氮系列半导体发光叠层或一三族磷系列半导体发光叠层。
7.一种发光二极管阵列结构，其特征在于包含：
一基底，包含一承载基板以及多个排列设置于该承载基板上的金属单元，每一该金属单元外缘的任二点界定出一端点间距；以及
多个发光体，被同步设置于该基底之上并形成矩阵，每一该发光体包含有互为电性相异并分隔设置的一第一电极及一第二电极，每一该发光体于该第一电极与该第二电极之间界定出一电极间距，该电极间距大于该端点间距，该些发光体依序连接形成串行电路，该些发光体被设定为电性连接关系的该第一电极与该第二电极之间具有一小于该端点间距的连接间距，而该些发光体被设定为电性隔离关系的该第一电极或该第二电极之间具有一大于该端点间距的隔离间距。
8.如权利要求7所述的发光二极管阵列结构，其特征在于，该些发光体分别为一三族氮系列半导体发光叠层或一三族磷系列半导体发光叠层。
9.一种发光二极管阵列结构，其特征在于包含：
一基底，包含一承载基板以及多个排列设置于该承载基板上的金属单元，每一该金属单元外缘的任二点界定出一端点间距；以及
多个发光体，被同步设置于该基底之上并形成矩阵，每一该发光体包含有互为电性相异并分隔设置的一第一电极及一第二电极，每一该发光体于该第一电极与该第二电极之间界定出一电极间距，该电极间距大于该端点间距，该些发光体组成并联电路，该并联电路包含至少二并联分支，该二并联分支中的该些发光体被设定为电性连接关系的该第一电极或该第二电极之间具有一小于该端点间距的连接间距，该二并联分支被设定为电性隔离关系的该第一电极或该第二电极之间具有一大于该端点间距的隔离间距，每一该并联分支中被设定为电性连接关系的该第一电极与该第二电极之间具有该连接间距。
10.如权利要求9所述的发光二极管阵列结构，其特征在于，该些发光体分别为一三族氮系列半导体发光叠层或一三族磷系列半导体发光叠层。