技术领域本发明涉及有机光电子领域，具体涉及一种有机双功能器件及其制备方法。
背景技术：
在科学技术高速发展的今天，有机光电子技术是作为继承和发展微电子技术而迅速发展起来的高科技科学。随着材料学和电子微电子学的快速发展，有机光电子技术得到了长足的发展，有机电致发光器件、有机光伏太阳能电池、有机紫外探测器、有机场效应晶体管等有机光电子器件都在快速的发展中。其中，有机电致发光器件以其量轻、高效、自发光、低功耗、温度适应范围广、柔性、方便携带等优点，在固态照明和平板显示领域具有得天独厚的优势，现在正在逐步进入市场化的热潮中；另一方面，由于有机/聚合物材料在稳定性和多功能性上取得的巨大发展以及成膜工艺日趋简易而取得的探测率超过1015Jones的突破性进展使有机紫外探测器在性能上有望赶上甚至超越无机紫外探测器，因而在诸如天文研究与观测、生物健康、卫生医疗、环境监测、安全监控、航空及航天跟踪与控制等诸多领域起着越来越广泛和重要的作用。但是，传统的有机光电子器件由于材料和制备工艺的不足存在着一些缺陷：1、日常应用于传统有机光电子器件中的基板材质包括玻璃、石英、硅等。然而，玻璃基板、石英基板和硅基板具有质地硬、重量大、携带不方便、不可降解等缺点，并且易碎，不具备柔性，不能适应将来器件向可穿戴和一体化集成方向发展的趋势；2、传统的有机光电子器件的功能单一，集成性差，比如传统的紫外探测器件不具有有机电致发光功能；3、传统的有机光电子器件的器件厚度较大，耗材料多，同时污染较大，若大规模应用将产生大量的电子垃圾，不利于缓解日益严重的能源问题和环境问题；4、传统有机多功能器件性能较差，远不能同对应单一功能器件的性能相提并论；5、传统有机多功能器件制备工艺复杂，设备要求高，制备繁琐，耗时，材料使用率低，成本高。因此，研究同时具有电致发光与紫外探测性能的有机双功能器件对拓宽有机光电子技术的应用范围和环境保护具有重要意义。
技术实现要素：
针对现有技术，本发明要解决的技术问题是如何提供一种有机双功能器件及其制备方法，目的是克服传统有机光电子器件功能单一和集成度低、性能较差的缺点，制备出量子效率高于传统光电子器件、实现有机电致发光功能和有机紫外探测功能均能达到应用于可穿戴和柔性设备之上的要求的高性能超薄有机双功能器件。本发明的技术方案为：一种有机双功能器件，从下到上依次为：透明衬底、阳极层、空穴传输层、有机活性层、电子传输层和阴极层，所述有机活性层所用的材料具有以下结构骨架：其中，结构骨架中R1基团选自：-CH3、-CH2CH3、-CH2CH2CH3或-C(CH3)3；结构骨架中R2基团选自：作为优选，本发明中所述透明衬底所用的材料为玻璃、透明聚合物柔性材料或生物可降解的柔性材料中的任意一种或多种；其中，所述透明聚合物柔性材料选自聚乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯、聚氨基甲酸酯、聚酰亚胺、氯醋树脂或聚丙烯酸中的任意一种或多种；所述生物可降解的柔性材料选自植物纤维、丝素蛋白、明胶、聚乳酸、葡萄糖、病毒纤维素、聚乳酸、聚乳酸-羟基乙酸共聚物、聚乙烯醇、聚乙烯吡咯烷酮、聚已内酯、聚羟基烷酸酯、多糖类(例如虫胶、壳聚糖和透明质酸等)、聚醇酸及其共聚体、胶原凝胶、纤维蛋白凝胶中的任意一种或多种。作为优选，本发明中所述阳极层所用的材料为氧化铟锡(ITO)、导电聚合物聚3,4-乙撑二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸盐(PEDOT:PSS)、石墨烯(Graphene)、碳纳米管(CarbonNanotube)、金属单质纳米线、金属合金纳米线、金属异质结纳米线中的任意一种或多种；其中，所述金属单质纳米线为铁纳米线、铜纳米线、银纳米线、金纳米线、铝纳米线、镍纳米线、钴纳米线、锰纳米线、镉纳米线、铟纳米线、锡纳米线、钨纳米线或铂纳米线中的任意一种或多种；所述金属合金纳米线为铜铁合金纳米线、银铁合金纳米线、金铁合金纳米线、铝铁合金纳米线、镍铁合金纳米线、钴铁合金纳米线、锰铁合金纳米线、镉铁合金纳米线、铟铁合金纳米线、锡铁合金纳米线、钨铁合金纳米线、铂铁合金纳米线、银铜合金纳米线、金铜合金纳米线、铝铜合金纳米线、镍铜合金纳米线、钴铜合金纳米线、锰铜合金纳米线、镉铜合金纳米线、银铜合金纳米线、锡铜合金纳米线、钨铜合金纳米线、铂铜合金纳米线、金银合金纳米线、铝银合金纳米线、镍银合金纳米线、钴银合金纳米线、锰银合金纳米线、镉银合金纳米线、铟银合金纳米线、锡银合金纳米线、钨银合金纳米线、铂银合金纳米线、铝金合金纳米线、镍金合金纳米线、钴金合金纳米线、锰金合金纳米线、镉金合金纳米线、铟金合金纳米线、锡金合金纳米线、钨金合金纳米线、钴镍合金纳米线、锰镍合金纳米线、镉镍合金纳米线、铟镍合金纳米线、锡镍合金纳米线、钨镍合金纳米线、铂镍合金纳米线、镉锰合金纳米线、铟锰合金纳米线、锡锰合金纳米线、钨锰合金纳米线、铂锰合金纳米线、铟镉合金纳米线、锡镉合金纳米线、钨镉合金纳米线、铂镉合金纳米线、锡铟合金纳米线、钨铟合金纳米线、铂铟合金纳米线、钨锡合金纳米线、铂锡合金纳米线或铂钨合金纳米线中的任意一种或多种；所述金属异质结纳米线为铜铁异质结纳米线、银铁异质结纳米线、金铁异质结纳米线、铝铁异质结纳米线、镍铁异质结纳米线、钴铁异质结纳米线、锰铁异质结纳米线、镉铁异质结纳米线、铟铁异质结纳米线、锡铁异质结纳米线、钨铁异质结纳米线、铂铁异质结纳米线、银铜异质结纳米线、金铜异质结纳米线、铝铜异质结纳米线、镍铜异质结纳米线、钴铜异质结纳米线、锰铜异质结纳米线、镉铜异质结纳米线、银铜异质结纳米线、锡铜异质结纳米线、钨铜异质结纳米线、铂铜异质结纳米线、金银异质结纳米线、铝银异质结纳米线、镍银异质结纳米线、钴银异质结纳米线、锰银异质结纳米线、镉银异质结纳米线、铟银异质结纳米线、锡银异质结纳米线、钨银异质结纳米线、铂银异质结纳米线、铝金异质结纳米线、镍金异质结纳米线、钴金异质结纳米线、锰金异质结纳米线、镉金异质结纳米线、铟金异质结纳米线、锡金异质结纳米线、钨金异质结纳米线、钴镍异质结纳米线、锰镍异质结纳米线、镉镍异质结纳米线、铟镍异质结纳米线、锡镍异质结纳米线、钨镍异质结纳米线、铂镍异质结纳米线、镉锰异质结纳米线、铟锰异质结纳米线、锡锰异质结纳米线、钨锰异质结纳米线、铂锰异质结纳米线、铟镉异质结纳米线、锡镉异质结纳米线、钨镉异质结纳米线、铂镉异质结纳米线、锡铟异质结纳米线、钨铟异质结纳米线、铂铟异质结纳米线、钨锡异质结纳米线、铂锡异质结纳米线或铂钨异质结纳米线中的任意一种或多种。作为优选，本发明中所述空穴传输层所用的材料为3,4-乙撑二氧噻吩混合聚苯乙烯磺酸盐、聚苯胺类有机导电聚合物、芳香族二胺类化合物、星形三苯胺化合物、咔唑类聚合物、聚N-乙烯基咔唑、1,10-邻菲罗林衍生物、二(2-甲基-8-喹啉酸根合)三苯基硅烷醇铝(III)、二(2-甲基-8-喹啉酸根合)-4-苯酚铝(III)或二(2-甲基-8-喹啉酸根合)-4-苯基苯酚铝(III)中的任意一种或者多种。作为优选，本发明中所述电子传输层所用的材料为2-(4-二苯基)-5-(4-叔丁苯基)-1,3,4-噁二唑、噁二唑类电子传输材料2-(4-二苯基)-5-(4-叔丁苯基)-1,3,4-噁二唑、或咪唑类电子传输材料1,3,5-三(N-苯基-2-苯并咪唑-2)苯中的任意一种或者多种。作为优选，本发明中所述阴极层所用的材料是金属薄膜或合金薄膜，该金属薄膜为锂或镁或钙或锶或铝或铟；合金薄膜为锂、钙、锶、铝或铟与铜或银的合金。作为优选，本发明中所述阳极层、空穴传输层、有机活性层、电子传输层和阴极层总厚度不超过190nm。一种有机双功能器件的制备方法，包括以下步骤：①对透明衬底及透明导电阳极ITO所组成的基板进行清洗，清洗后用干燥氮气吹干；②将衬底传送至真空蒸发室中进行电极层的制备；③将制备好的电极层的衬底移入真空室，进行等离子预处理；④将处理后的衬底在高真空度的蒸发室中，开始进行有机薄膜的制备，按照器件结构依次制备空穴传输层、有机活性层和电子传输层；⑤在真空蒸发室中进行阴极层的制备；⑥测试器件在紫外光照射和无紫外光照射条件下的电流-电压特性曲线，同时测试器件的电流-电压-亮度特性曲线和发光光谱。作为优选，在步骤④中将处理后的衬底在旋涂机中按照器件结构依次进行空穴传输层、有机活性层和电子传输层的旋涂；或者将处理后的衬底在高真空室中蒸镀和在旋涂机中旋涂相结合的方法来按照器件结构依次制备空穴传输层、有机活性层和电子传输层。本发明的有益效果在于：1、通过施加于器件正负极的外加电压，使内部电场作用于处于激发态的三线态激子和具有相异电性的极化子，从而形成新的激子，进而提高有效激子的数量而达到具有高于传统双功能器件量子效率，且具有低效率滚降的特点；2、该器件既能实现有机电致发光器件电致发光功能，又能实现有机紫外探测器紫外探测功能的多功能器件；3、其足够高的电致发光性能和紫外探测性能，达到了应用于可穿戴和柔性设备上的要求；4、集成度高，故器件超薄，除去衬底厚度外，器件总厚度不超过190nm；5、制备工艺简单，设备要求低，制备时间短，成本低。附图说明图1是本发明所涉及的一种有机双功能器件的结构示意图；图2是本发明所提供的实施例1中所述器件在紫外光(波长为365nm，强度为0.2mW/cm2)照射和无紫外光照射条件下的电流密度-电压特性曲线；图3是本发明所提供的实施例1中所述器件的电流-电压-亮度特性曲线；图4是本发明所提供的实施例1中所述器件的发光光谱的测试曲线图；其中，1、透明衬底，2、阳极层，3、空穴传输层，4、有机活性层，5、电子传输层，6、阴极层，7、测试电路。具体实施方式下面结合附图对本发明作进一步描述：本发明的技术方案是提供一种有机双功能器件，如图1所示，器件的结构包括透明衬底1、阳极层2、空穴传输层3、有机活性层4、电子传输层5、阴极层6。器件既能在外加正向驱动电压下实现发光功能，又能在外加反向驱动电压下实现紫外探测功能。本发明中有机活性层所用的材料具有以下结构骨架：所使用的有机活性层所用的材料的实例如下图所示：材料1材料2材料3材料4材料5材料6材料7材料8材料9材料10材料11材料12材料13材料14材料15材料16本发明中透明衬底1为电极和有机薄膜层的依托，它在紫外光和可见光区域有着良好的透光性能，有一定的防水汽和氧气渗透的能力，有较好的表面平整性，它可以采用玻璃、透明聚合物柔性材料或生物可降解的柔性材料中的任意一种或多种；其中，所述透明聚合物柔性材料包括聚乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯、聚氨基甲酸酯、聚酰亚胺、氯醋树脂或聚丙烯酸中的任意一种或多种；所述可生物降解的柔性材料包括植物纤维、丝素蛋白、明胶、聚乳酸、葡萄糖、病毒纤维素、聚乳酸、聚乳酸-羟基乙酸共聚物、聚乙烯醇、聚乙烯吡咯烷酮、聚已内酯、聚羟基烷酸酯、多糖类(例如虫胶、壳聚糖和透明质酸等)、聚醇酸及其共聚体、胶原凝胶、纤维蛋白凝胶等具有生物可降解性材料中的任意一种或多种。玻璃或柔性基片，柔性基片采用聚酯类、聚酞亚胺化合物中的一种材料或者较薄的金属。本发明中阳极层2作为器件与外加偏压的连接层，它要求有较好的导电性能、紫外光和可见光透明性以及较高的功函数。通常采用氧化铟锡(ITO)、导电聚合物聚3,4-乙撑二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸盐(PEDOT:PSS)、石墨烯(Graphene)、碳纳米管(CarbonNanotube)、金属单质纳米线、金属合金纳米线、金属异质结纳米线中的任意一种或多种。本发明中空穴传输层3作为阳极层2与有机活性层4的连接层，它要求有较好的空穴传输能力。通常采用的材料有3,4-乙撑二氧噻吩混合聚苯乙烯磺酸盐、聚苯胺类有机导电聚合物、芳香族二胺类化合物、星形三苯胺化合物、咔唑类聚合物、聚N-乙烯基咔唑、1,10-邻菲罗林衍生物、二(2-甲基-8-喹啉酸根合)三苯基硅烷醇铝(III)、二(2-甲基-8-喹啉酸根合)-4-苯酚铝(III)或二(2-甲基-8-喹啉酸根合)-4-苯基苯酚铝(III)中的任意一种或者多种。如：N,N’-双-(3-甲基苯基)-N,N’-二苯基-[1,1’-联苯基]-4,4’-二胺(TPD)、N,N’-双(3-萘基)-N,N’-二苯基-[1,1’-二苯基]-4,4’-二胺(NPB)、聚乙烯咔唑(PVK)、4,4’-亚环己基-二(N,N-二-4-甲基苯基)苯胺(TAPC)、4,4',4”-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)。本发明中电子传输层5作为有机活性层4与阴极层6的连接层，它要求有较好的电子传输能力。通常采用的材料2-(4-二苯基)-5-(4-叔丁苯基)-1,3,4-噁二唑、噁二唑类电子传输材料2-(4-二苯基)-5-(4-叔丁苯基)-1,3,4-噁二唑、或咪唑类电子传输材料1,3,5-三(N-苯基-2-苯并咪唑-2)苯中的任意一种或者多种。如：8-羟基喹啉铝(Alq3)、1,3,5-三(N-苯基-2-苯并咪唑-2)苯(TPBI)、4,7-二苯基-1,10-菲罗啉(Bphen)、1,10-邻菲罗林衍生物(BCP)。本发明中阴极层6作为器件与外加偏压的连接层，它要求具有较好的导电性能和较低的功函数。通常采用金属薄膜或合金薄膜，该金属薄膜为锂或镁或钙或锶或铝或铟；合金薄膜为锂、钙、锶、铝或铟与铜或银的合金。采用本发明制备的一种有机双功能器件结构举例如下：①玻璃/ITO/空穴传输层/有机活性层/电子传输层/阴极层②玻璃/导电聚合物/空穴传输层/有机活性层/电子传输层/阴极层③柔性聚合物衬底/ITO/空穴传输层/有机活性层/电子传输层/阴极层以下是本发明的具体实施例：实施例1器件的空穴传输层材料为NPB，有机活性层材料为材料1，电子传输材料为Alq3，阴极层用Mg:Ag合金。整个器件结构描述为：玻璃衬底/ITO/NPB(15nm)/材料1(15nm)/Alq3(20nm)/Mg:Ag(90nm)制备方法如下：①用乙醇溶液、丙酮溶液和去离子水对透明导电基片ITO玻璃进行超声清洗，清洗后用干燥氮气吹干。其中玻璃衬底上面的ITO膜作为器件的阳极层，ITO膜的方块电阻为10Ω/□，膜厚为160nm。②将干燥后的基片移入真空室，在气压为20Pa的氧气压环境下对ITO玻璃进行低能氧等离子预处理5分钟，溅射功率为20W。处理后的基片在高真空度的蒸发室中，开始进行有机薄膜的蒸镀。按照如上所述器件结构依次蒸镀材料NPB层15nm，材料1层15nm，材料Alq3层20nm。各有机层的蒸镀速率0.3nm/s，蒸镀速率及厚度由膜厚仪监控。③有机层蒸镀结束后进行金属电极的制备。气压为3×10-3Pa，蒸镀速率为3nm/s，合金中Mg:Ag比例为10:1，膜层厚度为90nm。蒸镀速率及厚度由膜厚仪监控。④测试器件在紫外光照射和无紫外光照射条件下的电流-电压特性曲线，同时测试器件的电流-电压-亮度特性曲线和发光光谱。⑤器件在紫外光照射和无紫外光照射条件下的电流-电压特性曲线、电流-电压-亮度特性曲线和器件发光光谱曲线分别参见附图2、3和4。实施例2器件的空穴传输层材料为NPB，有机活性层材料为材料2，电子传输材料为Alq3，阴极层用Mg:Ag合金。整个器件结构描述为：玻璃衬底/ITO/NPB(15nm)/材料2(15nm)/Alq3(20nm)/Mg:Ag(90nm)器件的制备流程与实施例1相似。实施例3器件的空穴传输层材料为NPB，有机活性层材料为材料3，电子传输材料为Alq3，阴极层用Mg:Ag合金。整个器件结构描述为：玻璃衬底/ITO/NPB(15nm)/材料3(15nm)/Alq3(20nm)/Mg:Ag(90nm)器件的制备流程与实施例1相似。实施例4器件的空穴传输层材料为NPB，有机活性层材料为材料4，电子传输材料为Alq3，阴极层用Mg:Ag合金。整个器件结构描述为：玻璃衬底/ITO/NPB(15nm)/材料4(15nm)/Alq3(20nm)/Mg:Ag(90nm)器件的制备流程与实施例1相似。实施例5器件的空穴传输层材料为NPB，有机活性层材料为材料5，电子传输材料为Alq3，阴极层用Mg:Ag合金。整个器件结构描述为：玻璃衬底/ITO/NPB(15nm)/材料5(15nm)/Alq3(20nm)/Mg:Ag(90nm)器件的制备流程与实施例1相似。实施例6器件的空穴传输层材料为NPB，有机活性层材料为材料6，电子传输材料为Alq3，阴极层用Mg:Ag合金。整个器件结构描述为：玻璃衬底/ITO/NPB(15nm)/材料6(15nm)/Alq3(20nm)/Mg:Ag(90nm)器件的制备流程与实施例1相似。实施例7器件的空穴传输层材料为NPB，有机活性层材料为材料7，电子传输材料为Alq3，阴极层用Mg:Ag合金。整个器件结构描述为：玻璃衬底/ITO/NPB(15nm)/材料7(15nm)/Alq3(20nm)/Mg:Ag(90nm)器件的制备流程与实施例1相似。实施例8器件的空穴传输层材料为NPB，有机活性层材料为材料8，电子传输材料为Alq3，阴极层用Mg:Ag合金。整个器件结构描述为：玻璃衬底/ITO/NPB(15nm)/材料8(15nm)/Alq3(20nm)/Mg:Ag(90nm)器件的制备流程与实施例1相似。实施例9器件的空穴传输层材料为NPB，有机活性层材料为材料9，电子传输材料为Alq3，阴极层用Mg:Ag合金。整个器件结构描述为：玻璃衬底/ITO/NPB(15nm)/材料9(15nm)/Alq3(20nm)/Mg:Ag(90nm)器件的制备流程与实施例1相似。实施例10器件的空穴传输层材料为NPB，有机活性层材料为材料10，电子传输材料为Alq3，阴极层用Mg:Ag合金。整个器件结构描述为：玻璃衬底/ITO/NPB(15nm)/材料10(15nm)/Alq3(20nm)/Mg:Ag(90nm)器件的制备流程与实施例1相似。实施例11器件的空穴传输层材料为NPB，有机活性层材料为材料11，电子传输材料为Alq3，阴极层用Mg:Ag合金。整个器件结构描述为：玻璃衬底/ITO/NPB(20nm)/材料11(15nm)/Alq3(20nm)/Mg:Ag(90nm)器件的制备流程与实施例1相似。实施例12器件的空穴传输层材料为NPB，有机活性层材料为材料12，电子传输材料为Alq3，阴极层用Mg:Ag合金。整个器件结构描述为：玻璃衬底/ITO/NPB(15nm)/材料12(15nm)/Alq3(20nm)/Mg:Ag(90nm)器件的制备流程与实施例1相似。实施例13器件的空穴传输层材料为NPB，有机活性层材料为材料13，电子传输材料为Alq3，阴极层用Mg:Ag合金。整个器件结构描述为：玻璃衬底/ITO/NPB(15nm)/材料13(15nm)/Alq3(20nm)/Mg:Ag(90nm)器件的制备流程与实施例1相似。实施例14器件的空穴传输层材料为NPB，有机活性层材料为材料14，电子传输材料为Alq3，阴极层用Mg:Ag合金。整个器件结构描述为：玻璃衬底/ITO/NPB(15nm)/材料14(15nm)/Alq3(20nm)/Mg:Ag(90nm)器件的制备流程与实施例1相似。实施例15器件的空穴传输层材料为NPB，有机活性层材料为材料15，电子传输材料为Alq3，阴极层用Mg:Ag合金。整个器件结构描述为：玻璃衬底/ITO/NPB(15nm)/材料15(15nm)/Alq3(20nm)/Mg:Ag(90nm)器件的制备流程与实施例1相似。实施例16器件的空穴传输层材料为NPB，有机活性层材料为材料16，电子传输材料为Alq3，阴极层用Mg:Ag合金。整个器件结构描述为：玻璃衬底/ITO/NPB(15nm)/材料16(15nm)/Alq3(20nm)/Mg:Ag(90nm)器件的制备流程与实施例1相似。实施例17器件的空穴传输层材料为TAPC，有机活性层材料为材料1，电子传输材料为TPBI，阴极层用Mg:Ag合金。整个器件结构描述为：玻璃衬底/ITO/TAPC(15nm)/材料1(15nm)/TPBI(20nm)/Mg:Ag(90nm)器件的制备流程与实施例1相似。实施例18器件的空穴传输层材料为TPD，有机活性层材料为材料2，电子传输材料为Bphen，阴极层用Mg:Ag合金。整个器件结构描述为：玻璃衬底/ITO/TPD(15nm)/材料2(15nm)/Bphen(20nm)/Mg:Ag(90nm)器件的制备流程与实施例1相似。实施例19器件的空穴传输层材料为m-MTDATA，有机活性层材料为材料3，电子传输材料为BCP，阴极层用Mg:Ag合金。整个器件结构描述为：玻璃衬底/ITO/m-MTDATA(15nm)/材料3(15nm)/BCP(20nm)/Mg:Ag(90nm)器件的制备流程与实施例1相似。实施例20器件的空穴传输层材料为PVK，有机活性层材料为材料4，电子传输材料为Alq3，阴极层用Mg:Ag合金。整个器件结构描述为：玻璃衬底/ITO/PVK(15nm)/材料4(15nm)/Alq3(20nm)/Mg:Ag(90nm)制备方法如下：①利用乙醇溶液、丙酮溶液和去离子水对透明导电基片ITO玻璃进行超声清洗，清洗后用干燥氮气吹干。其中玻璃衬底上面的ITO膜作为器件的阳极层，ITO膜的方块电阻为10Ω/□，膜厚为160nm。②将干燥后的基片移入真空室，在气压为20Pa的氧气压环境下对ITO玻璃进行低能氧等离子预处理5分钟，溅射功率为20W。①配制浓度为10mg/ml的PVK溶液，溶剂采用三氯甲烷；然后旋涂在经过清洁处理后的氧化铟锡(ITO)导电玻璃基片上，在低真空腔中以60℃烘干10分钟后，置于高真空度的蒸发室中，蒸镀材料4为15nm，电子传输材料Alq3为20nm。有机层的蒸镀速率0.3nm/s，蒸镀速率及厚度由膜厚仪监控。②有机层蒸镀结束后进行金属电极的制备。气压为3×10-3Pa，蒸镀速率为3nm/s，合金中Mg:Ag比例为10:1，膜层厚度为90nm。蒸镀速率及厚度由膜厚仪监控。⑤测试器件在紫外光照射和无紫外光照射条件下的电流-电压特性曲线，同时测试器件的电流-电压-亮度特性曲线和发光光谱。