具有孔的介质基板和制造方法

专利名称：具有孔的介质基板和制造方法
技术领域：
本发明涉及利用受控的化学蚀刻技术制造具有孔的介质基板。
背景技术：
随着市场趋势朝着更小、更紧凑和增加的功能性器件发展，縮小 了用于放置内部部件例如电源、柔性电路等这些器件的罩内的间隔量。
柔性电路是形成在柔性介质基板上的电路。该电路在一个或两个 主表面上可具有一个或多个导电层以及线路。该电路一般包括附加的 功能层、绝缘层、粘接层、封装层、加强层等。柔性电路一般用于柔 韧性、重量控制等为重要的电子封装。在许多大容量的情形下，柔性 电路还提供与所使用的制造工艺的效率有关的成本优势。
为了最大限度地使用每个器件罩内空间，努力设计包括外壳内的 内部部件的布局和布置的器件。这需要在预定位置处能容易折叠的柔 性电路和能自动保持它的折叠位置的柔性电路，而不必使用另外的器 件。重要的是，基板只在预定的位置折叠，以防止当器件装配时定位 内部部件的时侯，在柔性电路上产生不必要的折痕，这会引起柔性电 路过早失效。
图1是示出柔性电路10如何被装配在显示面板上的实例的截面图。
为简单起见，插图总体上示出柔性电路io，而不单独表示柔性电路的
各个部件。图1示出了在拐角15处折叠的柔性电路10，具有贴附在柔性 电路10的一端的显示面板35以及贴附在另一端的驱动显示面板的电子 部件30。电子部件30的实例是印刷电路板。平行放置的柔性电路10和 散热片20之间是小气隙25。在该实例中，如果柔性电路10如图1所示被弯曲并且安置，希望在拐角15处的挠曲角约是90度。这样折叠时的柔性电路10将保持它的位置，因此，柔性电路10很少可能接触散热片20。 被不适当折叠的柔性电路10很少可能保持它的折叠位置并且具有高的 翘曲趋势，由此移动进气隙25中，并接触散热片20，如图2所示。这会 导致柔性电路10的过早失效。当没有散热片20时，很少可能保持它的折叠位置并具有高翘曲趋 势的被不恰当折叠的柔性电路IO，还会当接触外壳内的其它内部部件 或罩壳本身时，由于振动、磨损、静电放电或其它力而过早失效。壳 内的其它部件或壳可以为振动、磨损、静电放电或其它力的来源。在预定位置处增加柔性电路折叠容易度的一种方式是减少在该位 置的基板的量。图3示出了例如是50微米厚的基板100，其中在折叠位 置60处移除25微米的厚度。在图4中，将负载65施加到折叠位置60的中 心作为支轴(fulcrum)，能使基板100容易折叠。日本专利申请No.91450描述了一种膜载体，其在弯曲位置处具有 通过用受激准分子激光器照射借助光化学烧蚀工艺裂开基材的分子之 间的键合而减小的其绝缘基材厚度。存在与该日本专利申请中描述的方法有关的至少三个问题。第一， 使用激光束装置来减小基板在弯曲位置的厚度是制造柔性电路的附加 工艺步骤。第二，利用激光束所产生的裂缝在凹处倾向于具有很尖的 拐角。这些拐角是产生高应力的高压点，其在基板弯曲时会导致基板 在拐角处裂缝。减小在拐角处的应力由此减少在拐角处裂缝扩大的可 能性的一种方式是，加宽导致产生狭缝的裂缝的宽度。由于所产生的 应力分布在整个宽度上，所以基板裂缝的趋势很小。然而，狭槽的这 种开挖会对制造工艺增加相当多的时间，导致生产力的损耗。第三， 基板碎片会在激光蚀刻工艺期间飞溅，由此污染基板的表面，这在柔 性电路制造工艺中会需要附加的清洗步骤。使用激光器来减小基板厚度和在制造工艺中增加清洗步骤来移除基板碎片是很昂贵的，并且会 增加制造工艺的成本。日本专利No.3327252描述了利用金属模具通过钻孔挤压加工在弯 曲位置形成Z字形网孔的栅格。在该情况下，在柔性电路制造工艺之前， 钻孔孔栅格穿过基板，以形成弯曲位置。图5示出了在制造工艺结束时 的柔性电路。在图中，孔70是在已经基板100中钻的孔，粘接剂40使基 板100结合到铜布线45上，并且一层液态聚合物55保护铜布线45的表 面。铜布线45通过钻孔工艺而暴露出。通常，涂敷一层阻焊剂50以保 护相对孔70的主表面上的铜布线45。液态聚合物55必须是柔性的，以 防止在弯曲期间裂缝。还必须选择性地涂敷液态聚合物55以涂布孔70 的内部，并且在涂布之后需要固化步骤，这使得制造工艺复杂。还会 有液态聚合物55在极端弯曲状态下可能从铜布线45剥离的风险。用于柔性电路的制造工艺包含许多步骤，对于一些步骤例如柔性 电路检查来说，需要具有完全蚀刻穿过基板上的孔。在制造柔性电路 之后和在制备的器件上采用柔性电路时，也需要这些通孔。通孔用作 输送孔或加工孔，这取决于何时使用它们和使用它们的目的。发明内容概括地，在一个方面中，本发明包括一种在介质基板中形成孔的 方法，包括如下步骤将一层光致抗蚀剂涂敷到介质基板上，通过光 掩模将光致抗蚀剂的一部分暴露到光化(actinic)辐射，以在光致抗蚀 剂中形成用于在基板中将被蚀刻的孔阵列的图案，显影该光致抗蚀剂， 蚀刻该介质基板以形成孔阵列，每个孔至少部分延伸穿过介质基板， 以及移除过多的光致抗蚀剂。概括地，在另一实施例中，本发明包括一种在介质基板中形成孔 的方法，包括如下步骤将一层光致抗蚀剂涂敷到介质基板上，通过 光掩模将光致抗蚀剂的一部分暴露到光化辐射，以在光致抗蚀剂中形成用于包括在基板中将被蚀刻的至少一个孔阵列的多个孔的图案，显 影该光致抗蚀剂，蚀刻该介质基板以形成部分延伸穿过该介质基板的 孔阵列和完全延伸穿过该介质基板的至少一个孔，以及移除该过多的 光致抗蚀剂。在至少一个实施例中，该方法进一步包括如下步骤提供包括明 显不同的点的阵列的光掩模，通过光掩模将光致抗蚀剂的一部分暴露 到光化辐射，蚀刻介质基板以形成孔阵列，其中选择光掩模上的点的 尺寸和间距以便在蚀刻之后形成在介质基板中的至少两个孔是相连 的。概括地，在另一实施例中，本发明包括一种介质基板，包括被部 分地蚀刻到介质基板中的至少一个孔阵列，形成在介质基板上的布线， 和层叠在布线上方以保护布线的阻焊剂。概括地，在另一实施例中，本发明包括介质基板，该介质基板包 括被部分地蚀刻到介质基板中的至少一个孔阵列，被完全蚀刻穿过介 质基板的至少一个孔，形成在介质基板上的布线，和层叠在布线上方 以保护布线的阻焊剂。在至少一个实施例中，介质基板是柔性的。在至少一个实施例中，在蚀刻之后孔阵列中的至少两个孔是相连的。在至少一个实施例中，布置孔阵列以在介质基板中形成折叠导杆。在至少一个实施例中，该折叠导杆基板的蚀刻部分的厚度是未蚀 刻的介质基板厚度的约80%。在至少一个实施例中，该介质基板由聚酰亚胺形成。 在至少一个实施例中，介质基板可进一步包括至少一个集成电路。


将参考附图，仅以示例方式而不意图限制地进一步描述本发明， 其中图l示出了装配在显示面板上的基板的实例；图2示出了装配在翘曲了的显示面板上的不适当折叠的柔性电路 的实例，该翘曲是由于柔性电路不能保持它的折叠位置，而使得显示 面板脱离了它的初始位置；图3示出了基板的一部分在预定位置处被移除的基板的实例； 图4示出了由于在预定位置施加在槽中心处的负载而折叠的基板 的实例；图5示出了利用在日本专利No.3327252中描述的工艺获得的柔性 电路的实例；图6A示出了设计为在光致抗蚀剂中提供孔阵列的图案的光掩模的 第一实例；图6B是具有在利用图6A的光掩模蚀刻之后产生的半孔的基板中的折叠导杆的顶视图；图6C是具有利用图6A的光掩模产生的未连接的半孔的基板的截面图；图7A示出了设计为在光致抗蚀剂中提供孔阵列的图案的光掩模的 第二实例；图7B是具有在利用图7A的光掩模蚀刻之后产生的半孔的基板中折叠导杆的顶视图；图7C是利用图7A的光掩模产生的连接半孔的基板的截面图； 图8A示出了设计为在光致抗蚀剂中提供不同尺寸的和孔之间不同间隔的不同孔阵列的图案的光掩模的第三实例；图8B是具有利用图8A的光掩模产生的未连接的半孔、连接的半孔、和未连接的通孔的基板的截面图；图9A示出了在本发明的基板中形成半孔的第一步骤； 图9B示出了在本发明的基板中形成半孔的第二步骤； 图9C示出了在本发明的基板中形成半孔的第三步骤； 图9D示出了在本发明的基板中形成半孔的第四步骤； 图10示出了利用化学蚀刻剂，通过选择性地蚀刻本发明的一个实施例的基板以在基板中制造折叠导杆所形成的孔阵列。
具体实施方式
电路可由许多合适的方法例如减法(subtractive)、添加法-减法 和半添加法制造。在典型的减法电路制造工艺中，首先提供一般具有约10微米至约 150微米厚度的基板。该基板用于使导体相互绝缘并提供大部分电路的机械强度。基板 的其它属性包括柔韧性、薄度、高温性能、可蚀刻性、尺寸减小、重 量减小等。许多不同的材料可用作柔性电路制造的基板。基板的选择取决于 包括用于成品上的部件的经济、最终产品应用和组装技术的因素组合。基板可以是任何合适的聚酰亚胺，包括但不限于，可从商标名为 APICAL，包括Kaneka High-Tech Materials公司，Pasadena, Texas (USA) 的APICALNPI获得的聚酰亚胺；和可从商标为KAPTON，包括DuPont High Performance Materals,Circleville,Ohio(USA)的KAPTON E 、 KAPTION EN、 KAPTON H和KAPTON V获得的聚酰亚胺。可使用其它聚合物，例如可从Kuraray High Performance Materials Division,大阪(日本)获得的液晶聚合物(LCP);可分别从DuPont TiejinFilms，Hopewell,Virginia (USA)的商标名为MYLAR和TEONEX获得的 聚(对苯二甲酸亚乙酯)(PET)和聚(萘二甲酸乙二酯)(PEN);和 可从General Electric Plastics，Pittsfield，Massachusetts(USA)的商标名为 LEXAN获得的聚碳酸酯等。优选地，基板是聚酰亚胺。希望地，介质基板是柔性的。首先，基板可用接合层涂布。在沉积接合层之后，可以通过已知 方法例如气相沉积或溅射来沉积导电层。可选地，可以通过已知的电 镀或无电镀工艺将沉积的导电层进一步镀覆到希望的厚度。可以利用许多公知的方法，包括光刻，来构图该导电层。如果使 用光刻，则利用具有热轧的标准层压技术或任意数目的涂布技术(例 如，刮涂法、压型涂布、凹版辊涂布等)将光致抗蚀剂层压或涂布在 基板的至少金属涂布侧上，该光致抗蚀剂可以是水性的或基于溶剂的， 且可以是负的或正光致抗蚀剂。光致抗蚀剂的厚度范围从约l微米到约 100微米。然后，通过光掩模或光掩膜，将光致抗蚀剂暴露到光化辐射， 例如紫外光等。对于负光致抗蚀剂，曝光的部分被交联，然后用合适 的溶剂显影光致抗蚀剂的未曝光部分。利用合适的蚀刻剂蚀刻掉导电层的曝光部分。然后利用合适的蚀 刻剂蚀刻掉接合层的曝光部分。剩余的(未曝光的)导电金属层优选 具有从约5微米到约70微米的最终厚度。然后在合适的溶液中将交联的 抗蚀剂剥离开叠层。导电层可在基板上形成布线。可用阻焊剂电镀布 线，以保护布线。如果希望的话，可蚀刻基板以在基板中形成特征。然后可执行随 后的处理步骤，例如盖层或阻焊剂以及另外的电镀的应用。还可以在 基板上提供集成电路。形成电路部分的另一可用的方法将使用半添加电镀和以下的典型 步骤顺序用接合层涂布基板。然后利用真空溅射或蒸发技术来沉积薄的第 一导电层。基板和导电层的材料和厚度可与以前段落中描述的相同。可以用与减法电路制备工艺中如上所述相同的方式构图导电层。 然后可利用标准电镀或无电镀方法进一步电镀导电层的第一暴露部 分，直至获得所希望的约5微米至约70微米范围内的电路厚度。然后剥离掉抗蚀剂的交联的曝光部分。随后，用不伤害基板的蚀 刻剂蚀刻薄的第一导电层的曝光部分。如果移除曝光的接合层，则可 以用合适的蚀刻剂来移除。剩余的导电层可在基板上形成布线。如果希望的话，可蚀刻基板以在基板中形成特征。然后可执行随 后的处理步骤，例如盖层或阻焊剂，以及另外的电镀。基板可进一步 提供有一个或多个集成电路。形成电路部分的另一可能的方法将使用减法和添加法电镀的组 合，其称为减法-添加法方法，和以下的典型步骤顺序可用接合层涂布基板。然后利用真空溅射或蒸发技术来沉积薄的 第一导电层。介质基板和导电层的材料和厚度可以是如在前段落中所 描述的。可以通过许多公知的方法，包括光刻，来构图导电层，如上所述。 当光致抗蚀剂形成用于导电层的希望图案的正图案时， 一般利用合适 的蚀刻剂蚀刻掉曝光的导电材料。然后用合适的蚀刻剂蚀刻接合层。 然后，剥离抗蚀剂的曝光(交联的)部分。所希望的导电层厚度可以 用附加的电镀获得约5微米至70微米的最终厚度。如果希望的话，可蚀刻基板以在基板中形成特征。然后可执行随后的处理步骤，例如盖层或阻焊剂，和另外的电镀。应当注意，本说明书中的图不是按比例绘制的。绘制附图来说明 原理和/或示例本发明，并且不应当解释为按比例绘制。还应当注意， 大多数图代表三维物品的截面图。截面图有时可用于说明柔性电路的 不同层。图6A示出了具有点134阵列的光掩模132。点134由光掩模上的间距 126隔开。设计光掩模132上的点134的布置，以在涂敷到介质基板的光 致抗蚀剂中提供相应的阵列孔的图案。通过光掩模将光致抗蚀剂暴露 到光化辐射，以将孔构图为光致抗蚀剂。然后显影光致抗蚀剂，以暴 露出将利用已知的蚀刻技术蚀刻的介质基板的区域。以上的光掩模设 计供负光致抗蚀剂使用，而对于正光致抗蚀剂将需要使用光掩模中相 反的对比度。图6B是在利用如图6A所示的光掩模132，在基板中部分蚀刻孔之 后的介质基板100的顶视图。为方便起见，在图6B中提供光掩模132的 轮廓，但实际上容易明白，光掩模不存在于图6B的基板上。如图6B所 示，已通过蚀刻工艺将半孔144蚀刻到介质基板100中。在与光掩模上 的点134相同的位置，将半孔144放在中心。然而，由于蚀刻工艺，半 孔144具有比点134更宽的圆周。由于光掩模(图6A所示)上的点126 的间距和/或尺寸， 一旦蚀刻了半孔144，就不蚀刻半孔之间的介质基板 的一些区域。图6C是部分基板100的截面图，示出了形成在介质基板中的半孔 144。在该图中，可以清楚地看到半孔144以及在半孔之间的未蚀刻区 域145。如果蚀刻半孔144以在介质基板100中形成折叠导杆，则宽度116 限定折叠导杆的折叠部分的宽度。可以通过改变光掩模132上点的行数 和/或点的尺寸来改变该宽度(图6A所示)。图7A示出了具有点134阵列的光掩模132。在光掩模上点134被间距 124隔开。设计光掩模132上点134的布置，以在涂敷到介质基板的光致 抗蚀剂中提供相应阵列孔的图案。利用光掩模暴露出光致抗蚀剂，以 将孔构图到光致抗蚀剂中。然后显影光致抗蚀剂，以暴露出介质基板 的将利用已知的蚀刻技术蚀刻的区域。再次，以上的光掩模设计供负 光致抗蚀剂使用，对于正光致抗蚀剂需要光掩模中相反的对比度来。图7B是在利用如图7A所示的光掩模132，在基板中部分蚀刻孔之 后的介质基板100的顶视图。为方便起见，在图7B中提供光掩模132的 轮廓，但实际上容易明白，光掩模不存在于图7B的基板上。如图7B所 示，己通过蚀刻工艺将半孔144蚀刻到介质基板100中。在与光掩模上 的点134相同的位置，将半孔144放在中心。然而，由于蚀刻工艺，半 孔144具有比点134更宽的圆周。由于在光掩模(图7A所示)上的点124 的间距和/或尺寸， 一旦蚀刻了半孔144，就不蚀刻半孔之间的介质基板 IOO的区域。图7C是部分基板100的截面图，示出了形成在介质基板中的半孔 144。在该图中，可以清楚地看到半孔144以及半孔之间的未蚀刻区域。 将孔之间的部分146部分蚀刻到介质基板表面以下的深度150。如果蚀 刻半孔144以在介质基板100中形成折叠导杆，那么宽度114限定折叠导 杆的折叠部分的宽度。可以通过改变光掩模132上点的行数和/或点的尺 寸来改变该宽度(图7A所示)。图8A示出了具有三个点阵列134的光掩模132和附加的点138。点 134被光掩模上的间距122、 124和126隔开。点的圆周变化以及光掩模 上的点阵列之间的点的间距也变化。设计光掩模132上点的布置，以在 涂敷到介质基板的光致抗蚀剂中提供相应的阵列孔的图案。利用光掩 模曝光光致抗蚀剂，以将孔构图到光致抗蚀剂中。然后显影光致抗蚀 剂，以暴露出将利用已知蚀刻技术蚀刻的介质基板的区域。再次，以 上光掩模设计供负光致抗蚀剂使用，对于正光致抗蚀剂需要光掩模中相反的对比度。图8B是部分基板100的截面图，示出了形成在介质基板中的半孔144和通孔148。在该图中，在蚀刻的介质基板中可以清楚地看到光掩 模上点的间距和圆周之间的差别。在基板100中，具有最小间距122和 最小圆周的孔形成具有宽度112的阵列。这些部分蚀刻的孔与被蚀刻到 介质基板下面的深度152的孔之间的区域连接。在基板100中，具有小 间距126和最小圆周的孔形成具有宽度116的阵列。如图8B所示，这些 部分蚀刻的孔没有被连接。相比于具有最小间距122的孔，这些孔由于 孔的小间距而没有连接。在基板100中，具有大圆周和最大间距124的 孔形成具有宽度114的阵列。这些孔比较小圆周的孔要更深，并且与蚀 刻到介质基板表面下方深度150的孔之间的区域连接。最大圆周孔138完全延伸穿过基板100，如图8B所示。图8B示出了 可以使用孔的圆周来确定孔将穿入基板多深。可以使用孔的圆周和孔 的间距的组合来确定孔的蚀刻和孔之间的任意蚀刻的深度。利用本发 明的方法，可以使孔同时部分地和完全地蚀刻穿过介质基板。在介质基板中蚀刻孔一样，可以在如上所述的步骤中未蚀刻的基 板的主表面上形成电路。用于在介质基板上形成金属和电路的方法和 设备是公知的。例如，可以在基板上方形成布线和在布线上方层叠保 护布线的阻焊剂。图9A至9D示出了根据本发明，用于在基板中产生半孔的选择性化 学蚀刻工艺的一个实例。在该实例中，基板为75微米厚的聚酰亚胺。 在图9A中，聚酰亚胺200被负光致抗蚀剂210覆盖。应当注意，可以使 用正或负光致抗蚀剂，只要其与蚀刻工艺中使用的蚀刻溶液正确进行。 对于本实例，负光致抗蚀剂的最佳厚度在20微米和50微米之间。在涂敷光致抗蚀剂210的步骤之后，通过如图9B所示的光掩模220将光致抗蚀剂210暴露到光化辐射。在该实例中，光掩模220上的覆盖区225防止下层的光致抗蚀剂210的相应区域被暴露到光化辐射(由箭 头示出)。在暴露光致抗蚀剂210之后，如图9C所示，显影光致抗蚀剂210。 显影光致抗蚀剂210移除了离开光致抗蚀剂210中的孔215的未曝光的 光致抗蚀剂。应当注意，在光致抗蚀剂210中构图孔的阵列以形成折叠 导杆，但在该实例中，为了便于解释，仅形成了单个孔。然后利用己知的化学蚀刻工艺蚀刻聚酰亚胺200。蚀刻工艺在聚酰 亚胺200中形成孔144，如图9D所示。重要的是，要注意孔144没有完全 延伸穿过聚酰亚胺200。如果孔144完全延伸穿过聚酰亚胺，则当随后 在聚酰亚胺200的第二侧上的铜布线层(图9A至9D中未示出)上方增加 阻焊剂层(图9A至9D中未示出)时，阻焊剂将通过孔144泄漏，并且会 污染聚酰亚胺200的第一侧。还应当注意，蚀刻工艺导致孔144的两侧 比设置在光致抗蚀剂210中的孔215要宽。在光致抗蚀剂210中，相比孔 圆周215更大的孔圆周144是蚀刻工艺的特征。应当注意，虽然图9D中的孔144没有完全延伸穿过聚酰亚胺200， 但能够利用相同的工艺生成完全延伸穿过聚酰亚胺的孔。在希望产生 通过孔的位置，没有将铜布线被添加到那些位置。铜布线在通孔附近 的缺失消除了阻焊剂泄漏和污染的现有技术问题。通孔可用作输送孔、 加工孔等。图10是具有通过本发明的选择性化学蚀刻技术形成的孔144阵列 的聚酰亚胺200的截面图。孔144的阵列是通过具有相应的点阵列的光 掩模220，通过第一构图和曝光部分光致抗蚀剂210而形成的。再有， 在图10中，使用负光致抗蚀剂210，以便在光致抗蚀剂210中未曝光的 区域形成孔215的阵列。然后蚀刻聚酰亚胺200，以形成孔M4。间隔开 阵列中的孔144，以便在孔的蚀刻期间，会出现蚀刻孔之间间隔的相互蚀刻，由此形成间隙"6。在现有的光致抗蚀剂210下蚀刻这些部分。相互蚀刻连接孔144，以在聚酰亚胺200中形成折叠导杆114。折叠导杆 的未蚀刻的介质基板的设计厚度将取决于许多参数，包括基板材料和 折叠导杆需要的弯曲量。在示例性实施例中，导杆基板的蚀刻部分的 厚度约为未蚀刻介质基板厚度的80%。图6A、7A和8A示出了如何设计光掩模以在负光致抗蚀剂中提供孔 阵列的图形。在这些图中，点134覆盖光掩模上的区域，并且虚线132 示出了将形成基板上的折叠导杆的边界。在另一实例中，可以利用强碱性溶液进行蚀刻。在一个实施例中， 对于来自Kaneka High-Tech Materials公司，Pasadena，Texas(USA)的 APICAL NPI3密耳聚酰亚胺，使用氢氧化钾(KOH)作为蚀刻溶液， 并利用800KPa的喷射压力，在93'C的温度下进行了350秒蚀刻周期的聚 酰亚胺蚀刻。概括地，当孔间距为200微米时，希望是设定聚酰亚胺的 最小厚度，其中孔形成在先前聚酰亚胺厚度的约63%处。在该实例中， 未蚀刻基板厚度约63%的蚀刻基板厚度将提供用于折叠导杆的折叠区 域。在该实例中，当蚀刻基板的厚度为未蚀刻基板厚度的约63%时，形 成最佳的折叠导杆。在其它实例中，不同的蚀刻基板厚度可用于形成 折叠导杆。如果在该实例中蚀刻基板膜约220秒的周期，则形成孔的聚 酰亚胺膜的厚度是未蚀刻的聚酰亚胺膜厚度的约90%。在该实例中，蚀 刻基板较短的持续时间会在基板中产生孔，其中未蚀刻的基板具有比 在较长持续时间蚀刻中产生的孔更大的厚度。光掩模上点的尺寸和间 距也与在蚀刻持续时间期间将发生的蚀刻量有关。应当注意，虽然在该实例中示出的孔是圆形的，但可以形成任意 形状的孔。例如，孔可以是六角形。而且，孔可以是相同尺寸或变化 尺寸的，并且在相同的预定位置或不同的预定位置内以相同距离分开 或不同距离分幵布置。上文描述了本发明包括其优选形式。对于本领域技术人员显而易 见的改变和修改旨在被结合在如由附加权利要求定义的范围内。
权利要求
1.一种在介质基板中形成孔的方法，包括步骤将一层光致抗蚀剂涂敷到介质基板上，通过光掩模将光致抗蚀剂的一部分暴露到光化辐射，以在光致抗蚀剂中形成用于在基板中将被蚀刻的孔阵列的图案，显影该光致抗蚀剂，蚀刻该介质基板以形成孔阵列，每个孔至少部分地延伸通过介质基板，以及移除过多的光致抗蚀剂。
2. 如权利要求l所述的在介质基板中形成孔的方法，其中蚀刻介 质基板的步骤形成部分地延伸通过介质基板的孔阵列。
3. 如权利要求1或权利要求2所述的在介质基板中形成孔的方法，其中该介质基板是柔性的。
4. 如权利要求1至3中任一项所述的在介质基板中形成孔的方法， 进一步包括步骤提供包括明显不同的点的阵列的光掩模，通过该光掩模，将光致抗蚀剂的一部分暴露到光化辐射，蚀刻介质基板以形成孔阵列，其中选择光掩模上的点的尺寸，以便在蚀刻之后形成在介质基板中的 至少两个孔是相连的。
5. 如权利要求1至3中任一项所述的在介质基板中形成孔的方法， 进一步包括步骤提供包括明显不同的点的阵列的光掩模，通过光掩模，将光致抗蚀剂的一部分暴露到光化辐射，蚀刻介质基板，以形成孔阵列，其中选择光掩模上的点的间距，以便在蚀刻之后形成在介质基板中的 至少两个孔是相连的。
6. 如权利要求1至3中任一项所述的在介质基板中形成孔的方法, 进一步包括步骤提供包括明显不同的点的阵列的光掩模，通过光掩模，将光致抗蚀剂的一部分暴露到光化辐射，蚀刻介质基板，以形成孔阵列，其中选择光掩模上的点的尺寸和间距，以便在蚀刻之后形成在介质基 板中的至少两个孔是相连的。
7. 如权利要求1至6中任一项所述的在介质基板中形成孔的方法， 其中布置孔阵列以在介质基板中形成折叠导杆。
8. 如权利要求7所述的在介质基板中形成孔的方法，其中该折叠 导杆基板的蚀刻部分的厚度是未蚀刻的介质基板的厚度的约80%。
9. 如权利要求1至8中任一项所述的在介质基板中形成孔的方法， 其中该介质基板由聚酰亚胺形成。
10. —种介质基板，包括至少一个孔阵列，该至少一个孔阵列被至少部分地蚀刻到该介质基板中，形成在该介质基板上的布线，以及 层叠在该布线上方以保护该布线的阻焊剂。
11. 如权利要求IO所述的介质基板，其中该孔阵列在该介质基板中被部分地蚀刻。
12. 如权利要求10或权利要求11所述的介质基板，其中该介质基板是柔性的。
13. 如权利要求10至12中任一项所述的介质基板，其中在蚀刻 之后，基板中的多个孔中的至少两个孔是相连的。
14. 如权利要求10至13中任一项所述的介质基板，其中孔阵列 被布置为在该介质基板中形成折叠导杆。
15. 如权利要求14所述的介质基板，其中该折叠导杆基板的蚀刻 部分的厚度是未蚀刻的介质基板的厚度的约80%。
16. 如权利要求10至15中任一项所述的介质基板，其中该介质 基板由聚酰亚胺形成。
17. 如权利要求10至16中任一项所述的介质基板，其中该介质 基板可进一步包括至少一个集成电路。
18. —种在介质基板中形成孔的方法，包括步骤 将一层光致抗蚀剂涂敷到介质基板上，通过光掩模，将光致抗蚀剂的一部分暴露到光化辐射，以在光致 抗蚀剂中形成用于在基板中将被蚀刻的包括至少一个孔阵列的多个孔 的图案，显影该光致抗蚀剂，蚀刻该介质基板，以形成部分地延伸通过该介质基板的孔阵列W 完全延伸通过该介质基板的至少一个孔，以及 移除过多的光致抗蚀剂。
19. 如权利要求18所述的在介质基板中形成孔的方法，其中该介 质基板是柔性的。
20. 如权利要求IS或权利要求19所述的在介质基板中形成孔的方法，进一步包括步骤提供包括明显不同的点的阵列的光掩模，通过光掩模，将光致抗蚀剂的一部分暴露到光化辐射，蚀刻介质基板，以形成孔阵列，其中选择光掩模上的点的尺寸，以便在蚀刻之后形成在介质基板中的 至少两个孔是相连的。
21. 如权利要求18或权利要求19所述的在介质基板中形成孔的 方法，进一步包括步骤-提供包括明显不同的点的阵列的光掩模， 通过光掩模，将光致抗蚀剂的一部分暴露到光化辐射， 蚀刻介质基板，以形成孔阵列，其中选择光掩模上的点的间距，以便在蚀刻之后形成在介质基板中的 至少两个孔是相连的。
22. 如权利要求18或权利要求19所述的在介质基板中形成孔的 方法，进一步包括步骤提供包括明显不同的点的阵列的光掩模，通过光掩模，将光致抗蚀剂的一部分暴露到光化辐射，蚀刻介质基板，以形成孔阵列，其中选择光掩模上的点的尺寸和间距，以便在蚀刻之后形成在介质基 板中的至少两个孔是相连的。
23. 如权利要求18至22中任一项所述的在介质基板中形成孔的 方法，其中布置至少一个孔阵列以形成折叠导杆。
24. 如权利要求23所述的在介质基板中形成孔的方法，其中该折 叠导杆基板的蚀刻部分的厚度是未蚀刻的介质基板的厚度的约80%。
25. 如权利要求18至24中任一项所述的在介质基板中形成孔的 方法，其中该介质基板由聚酰亚胺形成。
26. —种介质基板，包括至少一个孔阵列，该至少一个孔阵列被至少部分地蚀刻到该介质 基板中，被完全地蚀刻通过该介质基板的至少一个孔，形成在该介质基板上的布线，层叠在该布线上方以保护该布线的阻焊剂。
27. 如权利要求26所述的介质基板，其中该介质基板是柔性的。
28. 如权利要求26或权利要求27所述的介质基板，其中多个孔 形成为完全穿过该介质基板。
29. 如权利要求26至28中任一项所述的介质基板，其中在蚀刻之 后在该介质基板中被部分地蚀刻的孔阵列中的至少两个孔是相连的。
30. 如权利要求26至29中任一项所述的介质基板，其中在该介 质基板中被部分地蚀刻的孔阵列布置为在该介质基板中形成折叠导 杆。
31. 如权利要求30所述的介质基板，其中该折叠导杆基板的蚀刻 部分的厚度是未蚀刻的介质基板的厚度的约80%。
32. 如权利要求26至31中任一项所述的介质基板，其中该介质 基板由聚酰亚胺形成。
33. 如权利要求26至32中任一项所述的介质基板，其中该介质 基板可进一步包括至少一个集成电路。
全文摘要
本发明的一个方面包括一种在介质基板中形成孔的方法，该方法包括以下步骤将一层光致抗蚀剂涂敷到介质基板上，通过光掩模将光致抗蚀剂的一部分暴露到光化辐射，以在光致抗蚀剂中形成用于在基板中将被蚀刻的孔阵列的图案，显影该光致抗蚀剂，蚀刻该介质基板以形成孔阵列，每个孔至少部分地延伸穿过介质基板，和移除过多的光致抗蚀剂。本发明的另一个方面是在介质基板中同时地形成孔的方法，一些所述孔部分地延伸穿过基板，以及一些所述孔完全延伸穿过基板。本发明的其它方面是利用本发明的方法形成的介质基板。
文档编号H05K3/00GK101248708SQ200680022796
公开日2008年8月20日 申请日期2006年6月20日 优先权日2005年6月22日
发明者付一良, 伊东正彦, 大仓启幸, 小柳达则, 李勇进 申请人:3M创新有限公司