互连结构及其形成方法与流程

技术特征：

1.一种互连结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供前端器件结构，所述前端器件结构具有第一介质层和位于所述第一介质层中的导电结构；

在所述第一介质层和所述导电结构上形成第一硅掺杂氮化铝层；或者，先在所述导电结构上形成帽盖层，然后在所述第一介质层和所述帽盖层上形成所述第一硅掺杂氮化铝层；

在所述第一硅掺杂氮化铝层上形成纯氮化铝层；

在所述纯氮化铝层上形成第二硅掺杂氮化铝层；

在所述第二硅掺杂氮化铝层上形成扩散阻挡层；

在所述扩散阻挡层上形成第二介质层；

刻蚀所述介质层和所述扩散阻挡层，直至形成贯穿所述介质层和所述扩散阻挡层的通孔，所述通孔底部暴露至少部分所述第二硅掺杂氮化铝层；

在所述通孔中填充导电材料，直至形成导电插塞。

2.如权利要求1所述的互连结构的形成方法，其特征在于，所述第一硅掺杂氮化铝层的形成过程包括：采用原子层沉积法形成第一氮化铝层，所述原子层沉积法采用的材料包括铝的碳氢化合物和氨气；对所述第一氮化铝层进行硅掺杂，直至形成所述第一硅掺杂氮化铝层；采用原子层沉积法形成所述纯氮化铝层，所述原子层沉积法采用的材料包括铝的碳氢化合物和氨气；所述第二硅掺杂氮化铝层的形成过程包括：采用原子层沉积法形成第二氮化铝层，所述原子层沉积法采用的材料包括铝的碳氢化合物和氨气；对所述第二氮化铝层进行硅掺杂，直至形成所述第二硅掺杂氮化铝层。

3.如权利要求2所述的互连结构的形成方法，其特征在于，所述硅掺杂采用的反应气体为甲硅烷，所述甲硅烷的流量范围为50sccm～200sccm。

4.如权利要求3所述的互连结构的形成方法，其特征在于，所述第一硅掺杂氮化铝层、所述纯氮化铝层和所述第二硅掺杂氮化铝层的总厚度为所述第一硅掺杂氮化铝层的厚度为所述总厚度的四分之一至三分之一，所述第二硅掺杂氮化铝层的厚度为所述总厚度的四分之一至三分 之一。

5.如权利要求1所述的互连结构的形成方法，其特征在于，所述扩散阻挡层的材料为碳氮化硅，所述帽盖层的材料为钴，所述第一介质层包括低k介质层和超低k介质层的至少其中之一，所述第二介质层包括低k介质层和超低k介质层的至少其中之一。

6.如权利要求2所述的互连结构的形成方法，其特征在于，所述通孔的形状为大马士革形孔或者双大马士革形孔。

7.一种互连结构，包括：

前端器件结构，所述前端器件结构具有第一介质层和位于所述第一介质层中的导电结构；

其特征在于，

所述第一介质层和所述导电结构上具有第一硅掺杂氮化铝层；或者，所述导电结构上具有帽盖层，所述第一介质层和所述帽盖层上具有所述第一硅掺杂氮化铝层；

所述第一硅掺杂氮化铝层上具有纯氮化铝层；

所述纯氮化铝层上具有第二硅掺杂氮化铝层；

所述第二硅掺杂氮化铝层上具有扩散阻挡层；

所述扩散阻挡层上具有第二介质层；

所述第二介质层和所述扩散阻挡层中，具有贯穿所述第二介质层和所述扩散阻挡层的导电插塞，所述导电插塞同时贯穿所述第二硅掺杂氮化铝层、所述纯氮化铝层和所述第一硅掺杂氮化铝层。

8.如权利要求7所述的互连结构，其特征在于，所述第一硅掺杂氮化铝层、所述纯氮化铝层和所述第二硅掺杂氮化铝层的总厚度为所述第一硅掺杂氮化铝层的厚度为所述总厚度的四分之一至三分之一，所述第二硅掺杂氮化铝层的厚度为所述总厚度的四分之一至三分之一。

9.如权利要求7所述的互连结构，其特征在于，所述扩散阻挡层的材料为碳 氮化硅，所述帽盖层的材料为钴。

10.如权利要求7所述的互连结构，其特征在于，所述第一介质层包括低k介质层和超低k介质层的至少其中之一，所述第二介质层包括低k介质层和超低k介质层的至少其中之一。