1.一种金属-绝缘层-金属(MIM)电容，包含：
第一电极层；
第二电极层；以及
倒T型介电层堆叠结构，形成于该第一电极层与该第二电极层之间。
2.如权利要求1所述的MIM电容，其中该倒T型介电层堆叠结构包括水平部及垂直部，该垂直部位于该水平部之上。
3.如权利要求2所述的MIM电容，其中该垂直部位于该第一电极层之下，而该水平部位于该第二电极层之上。
4.如权利要求2所述的MIM电容，其中该水平部及该垂直部的材料选自二氧化硅或氮硅化物。
5.如权利要求2所述的MIM电容，其中一介电层配置于该水平部及该垂直部之间。
6.如权利要求5所述的MIM电容，其中该介电层与该水平部的线宽大小约略相等并且大于该垂直部的线宽大小。
7.如权利要求5所述的MIM电容，其中该介电层的材料为高介电常数材料。
8.如权利要求7所述的MIM电容，其中该高介电常数材料包括SiOxNy、Si3N4、Al2O3、Y2O3、La2O3、CeO2、Dy2O3、Ta2O5、Pr2O3、TiO2、HfO2、ZrO2、BaxSr1-xTiO3(BST)、SrBiTa2O9(SBT)或PbZrxTi1-xO3。
9.如权利要求2或5所述的MIM电容，还包括一金属导线间介电层以覆盖该MIM电容。
10.如权利要求9所述的MIM电容，还包括多个通孔，形成于该金属导线间介电层之中，其中该多个通孔包括第一类通孔，自该金属导线间介电层的上表面至该第一电极层的上表面，第二类通孔，自该金属导线间介电层的上表面、贯穿该水平部而至该第二电极层的上表面。
11.如权利要求10所述的MIM电容，其中填入导电材料于该第一类通孔与该第二类通孔之中，以形成第一导孔与第二导孔，其中该第一导孔与该第二导孔分别电性耦合该第一电极层与该第二电极层。
12.如权利要求11所述的MIM电容，其中该第二导孔的厚度约略等于 该第一导孔的厚度加上该第一电极层以及该倒T型介电层堆叠结构的厚度。
13.如权利要求9所述的MIM电容，还包括多个通孔，形成于该金属导线间介电层之中，其中该多个通孔包括第一类通孔，自该金属导线间介电层的上表面至该第一电极层的上表面，第二类通孔，自该金属导线间介电层的上表面贯穿至其下表面。
14.如权利要求13所述的MIM电容，其中填入导电材料于该第一类通孔与该第二类通孔之中，以形成第一导孔与第二导孔，其中该第一导孔与该第二导孔分别形成与连接于该第一电极层与该金属导线间介电层之上。
15.如权利要求14所述的MIM电容，其中该第二导孔的厚度约略等于该第一导孔的厚度加上该第一电极层、该倒T型介电层堆叠结构与该第二电极层的厚度。
16.如权利要求11或14所述的MIM电容，还包括金属导线形成于该金属导线间介电层、该第一导孔与该第二导孔之上，其中该金属导线电性耦合该第一导孔与该第二导孔。
17.如权利要求1所述的MIM电容，其中该第一电极层与该第二电极层的材料选自钽、氮化钽、钛、氮化钛、钨、硅化钨、氮化钨、铜、铝或合金。
18.一种形成MIM电容的方法，包含；
形成一底层金属层于一底层介电层之上；
形成一介电层堆叠层于该底层金属层之上，该介电层堆叠层至少包含第一介电层、第二介电层以及第三介电层；
形成一上层金属层于该介电层堆叠层之上；
图案化该第三介电层以及该上层金属层，以形成一垂直部与一上电极图案；
图案化该第一介电层、第二介电层以及该底层金属层，以形成一水平堆叠层图案与一下电极图案；以及
其中该垂直部与该水平堆叠层图案构成一倒T型介电层堆叠结构。
19.如权利要求18所述的形成MIM电容的方法，还包括形成一金属导线间介电层以覆盖该MIM电容。
20.如权利要求19所述的形成MIM电容的方法，还包括形成多个通孔于该金属导线间介电层之中，其中该多个通孔包括第一类通孔，自该金属导线间介电层的上表面至该上电极图案的上表面，第二类通孔，自该金属导线 间介电层的上表面、贯穿该水平堆叠层图案而至该下电极图案的上表面。
21.如权利要求20所述的形成MIM电容的方法，还包括填入导电材料于该第一类通孔与该第二类通孔之中，以形成第一导孔与第二导孔，其中该第一导孔与该第二导孔分别电性耦合该上电极图案与该下电极图案。
22.如权利要求21所述的形成MIM电容的方法，其中该第二导孔的厚度约略等于该第一导孔的厚度加上该上电极图案以及该倒T型介电层堆叠结构的厚度。
23.如权利要求19所述的形成MIM电容的方法，还包括形成多个通孔于该金属导线间介电层之中，其中该多个通孔包括第一类通孔，自该金属导线间介电层的上表面至该上电极图案的上表面，第二类通孔，自该金属导线间介电层的上表面贯穿至其下表面。
24.如权利要求23所述的形成MIM电容的方法，还包括填入导电材料于该第一类通孔与该第二类通孔之中，以形成第一导孔与第二导孔，其中该第一导孔与该第二导孔分别形成与连接于该第一电极层与该金属导线间介电层之上。
25.如权利要求24所述的形成MIM电容的方法，其中该第二导孔的厚度约略等于该第一导孔的厚度加上该上电极图案、该倒T型介电层堆叠结构与该第二电极层的厚度。
26.如权利要求21或24所述的形成MIM电容的方法，还包括形成金属导线于该金属导线间介电层、该第一导孔与该第二导孔之上，其中该金属导线电性耦合该第一导孔与该第二导孔。