技术总结
半导体模块（10）包括：至少一个半导体芯片（12），其包括至少一个半导体开关（14），该至少一个半导体开关（14）具有集电极（18）、发射极（22）和栅极（20）；集电极端子（24），其连接到集电极（18）；栅极端子（26），其连接到栅极（20）；发射极端子（28），其经由具有发射极电感（32）的发射极导体路径（30）连接到发射极（22）；辅助发射极端子（38），其连接到发射极（22）；第一导体路径（34），其连接到发射极（22）；和第二导体路径（36），其连接到发射极（22）具有与第一导体路径（34）不同的与发射极导体路径（30）的互感耦合。第一导体路径（34）和第二导体路径（36）能连接到辅助发射极端子（38）和/或第一导体路径（34）连接到辅助发射极端子（38）并且第二导体路径（36）连接到第二辅助发射极端子（44）。半导体开关（14）是IGBT，并且第一导体路径（34）和第二导体路径（36）中的每个包括桥接点（40），用于使相应导体路径连接到辅助发射极端子（38）。
技术研发人员：S.哈特曼;D.科泰特;S.基钦
受保护的技术使用者：ABB瑞士有限公司
文档号码：201580008490
技术研发日：2015.01.14
技术公布日：2016.11.23