技术总结
在一个实施例中，一种刻蚀衬底的方法包含使用处理设备的控制设置的第一集合通过所述处理设备的提取板将第一离子束导引到所述衬底。所述方法可进一步包含：检测来自所述衬底的信号，所述信号指示由所述第一离子束刻蚀的材料的从第一材料到第二材料的改变，基于所述第二材料将所述处理设备的控制设置调整到不同于控制设置的所述第一集合的控制设置的第二集合，及使用控制设置的所述第二集合通过所述提取板将第二离子束导引到所述衬底。
技术研发人员：卢多维克·葛特;丹尼尔·迪斯塔苏;尼尼·文奴斯;崔斯坦·马;刘宇
受保护的技术使用者：瓦里安半导体设备公司
文档号码：201580024163
技术研发日：2015.05.11
技术公布日：2017.02.22