具有内置电阻式存储器的电可重配置中介体的制作方法

技术特征：

技术总结
集成中介体可包括基板和(诸)电阻类型的非易失性存储器(NVM)阵列。该集成中介体还可包括基板的第一表面上的接触层。该接触层可包括配置成将(诸)电阻类型的NVM阵列耦合至(诸)管芯的互连。(诸)电阻类型的NVM阵列可被部分地嵌入在该集成中介体的接触层内。

技术研发人员：Y·陆;V·拉马钱德兰;S·H·康
受保护的技术使用者：高通股份有限公司
技术研发日：2015.09.02
技术公布日：2017.08.01