用于产生光电子部件的方法以及光电子部件与流程

本发明涉及根据专利权利要求1的用于产生光电子部件的方法，以及根据专利权利要求15的光电子部件。

本专利申请要求德国专利申请de102014116134.3的优先权，据此通过引用并入其公开内容。

背景技术：

已知利用光学透镜来装备光电子部件，例如发光二极管部件，所述光学透镜产生由光电子部件辐射的电磁辐射的射束成形（beamshaping）。

技术实现要素：

本发明的一个目的是提供一种用于产生光电子部件的方法。该目的经由具有权利要求1的特征的方法来实现。本发明的另一目的是提供一种光电子部件。该目的经由具有权利要求15的特征的电子部件来实现。在从属权利要求中提供各种改良方案。

一种用于产生光电子部件的方法包括以下步骤：用于以使得光电子部件部分的上侧至少部分暴露在模制主体的上侧上这样的方式将光电子部件部分嵌入到模制主体中；用于在光电子部件部分的上侧和模制主体的上侧之上布置牺牲层并使其结构化；用于在牺牲层之上施加光学材料的层并使其结构化；以及用于移除牺牲层结构化。

在该方法中，可以由光学材料的层形成光学元件，例如光学透镜。由光学材料的层形成的光学元件的形状和成像性质也可以有利地以高度可变的方式来设计。

借助于牺牲层，所述牺牲层最初被布置在光电子部件的上侧和光学材料的层之间并在随后的方法步骤中被移除，在经由该方法可获得的光电子部件中，气隙被配置在光电子部件部分的上侧和由光学材料的层形成的光学元件的下侧之间。由此产生光学扩展量（etendue），其比在光电子部件部分的上侧和光学透镜之间存在直接接触的情况下将产生的光学扩展量更小。这导致对于经由该方法可获得的光电子部件的应用的优点，在所述应用中所发射的光的准直是重要的，例如针对诸如投影、舞台照明和机动车辆的前大灯之类的应用。

该方法的附加优点是面向光电子部件部分的由光学材料的层形成的光学元件的下侧，以及背对光电子部件部分的该光学元件的上侧二者作为光学折射界面是有用的并且可以设有结构化。因此，光学元件的两个表面可以被用于由经由该方法可获得的光电子部件的光电子部件部分发射的电磁辐射的射束偏转。

在该方法的一个实施例中，该光电子部件部分包括光电子半导体芯片，特别地发光二极管芯片。因此，该光电子部件部分被配置用于发射电磁辐射，例如可见光。

在该方法的一个实施例中，该光电子部件部分以使得光电子部件部分的下侧至少部分暴露在模制主体的下侧上这样的方式被嵌入到模制主体中。因此，在经由该方法可获得的光电子部件中，光电子部件部分的下侧有利地保持可访问。

在该方法的一个实施例中，该光电子部件部分在其下侧上具有电接触件。在经由该方法可获得的光电子部件中，这些电接触件有利地保持可访问，并且可以因此形成经由该方法可获得的光电子部件的电接触件。

在该方法的一个实施例中，该光电子部件部分到模制主体中的嵌入以使得光电子部件部分的上侧和下侧与模制主体的上侧和下侧齐平这样的方式来实现。在这种情况下，光电子部件部分到模制主体中的嵌入可以例如经由膜辅助的传递模塑来实现。因此，该光电子部件的附加处理有利地被简化。此外，由此有利地产生具有特别紧凑的外形尺寸的光电子部件。

在该方法的一个实施例中，模制主体是借助于模塑方法形成的。在这种情况下，该光电子部件部分在模制主体的形成期间被嵌入到模制主体中。该模塑方法可以例如是压缩模塑或传递模塑。因此，该方法可以有利地以特别简单、迅速且经济的方式来实现。此外，该方法有利地适合于作为复合板结构或晶圆结构进行的批量处理。

在该方法的一个实施例中，该牺牲层包括光致抗蚀剂。因此，有利地使该牺牲层的简单应用、简单处理和简单移除成为可能。在这种情况下，可以有利地利用所建立的半导体技术方法。

在该方法的一个实施例中，经由光刻方法（特别地经由掩模、接触、灰度、或激光干涉光刻）、经由直接照射或经由压印方法来实现牺牲层的结构化。因此，有利地使牺牲层的简单且精确结构化成为可能。有利地，所使用的方法可适应于牺牲层的期望结构化。在这种情况下，有利地可能使用所建立的半导体技术方法。

在该方法的一个实施例中，通过溶解牺牲层来实现牺牲层的移除。因此，牺牲层的简单、迅速移除，其对于经由该方法可获得的光电子部件是温和的，有利地成为可能。

在该方法的一个实施例中，借助于溶剂或蚀刻溶液来实现牺牲层的溶解。因此，牺牲层的简单、迅速、经济且可靠移除有利地成为可能。

在该方法的一个实施例中，光学材料包括塑料。有利地，该光学材料可以包括硅树脂或聚碳酸酯。因此，可以经济地获得该光学材料并且可以使用所建立的方法来处理该光学材料。

在该方法的一个实施例中，经由光刻方法或经由压印方法来实现光学材料的结构化。这有利地实现光学材料的柔性结构化。也在这种情况下，有利地可能使用所建立的方法。

在该方法的一个实施例中，多个光电子部件部分被一起嵌入到模制主体中。在这种情况下，牺牲层的区段（section）被布置在每个光电子部件部分之上并被结构化。随后，光学材料的区段被布置在牺牲层的每个区段之上并被结构化。最后，通过划切该模制主体来使该光电子部件单片化。因此，该方法有利地实现在常见的处理步骤中产生多个光电子部件。因此，每个单独的光电子部件的生产成本可以有利地被显著降低。

在该方法的一个实施例中，在移除牺牲层之前或在移除牺牲层之后来实现模制主体的划切。还可能的是，最初将模制主体例如按列或按行部分地划切，然后溶解牺牲层，并且随后完全划切模制主体。在这种情况下，在模制主体的第一部分划切期间，有利地形成对牺牲层的访问可以，这实现或促进层的移除。

一种光电子部件包括具有上侧的光电子半导体芯片。该光电子半导体芯片被嵌入到模制主体中。在这种情况下，该光电子半导体芯片的上侧至少部分没有被模制主体覆盖。光学透镜被布置在光电子半导体芯片的上侧之上。光学透镜被连接到模制主体。气隙被布置在光电子半导体芯片的上侧和光学透镜之间。

该光电子部件的光学透镜实现由光电子部件的光电子半导体芯片发射的电磁辐射的射束成形。归因于被配置在光电子半导体芯片的上侧和光学透镜之间的气隙，有利地使比在光学透镜和光电子半导体芯片的上侧之间存在直接接触的情况下将产生的光学扩展量更小的光学扩展量成为可能。归因于被配置在光电子半导体芯片的上侧和光学透镜之间的气隙，面对光电子半导体芯片的光学透镜的下侧和背对光电子半导体芯片的光学透镜的上侧二者可以被用于射束偏转并且可以设有结构化。

在光电子部件的一个实施例中，面对光电子半导体芯片的上侧的光学透镜的下侧具有结构化。因此，光学透镜的下侧也可以被用于由光电子部件的光电子半导体芯片发射的电磁辐射的射束偏转和射束成形。

该模制主体包括第一部分模制主体和第二部分模制主体。在这种情况下，该光电子半导体芯片被嵌入到第一部分模制主体中。该第一部分模制主体被嵌入到第二部分模制主体中。第一部分模制主体的生产和第二部分模制主体的生产可以有利地在分离的处理步骤中进行。在这种情况下，作为复合板结构或晶圆结构的经济批量处理在每个处理步骤中是有利地可能的。

在光电子部件的一个实施例中，其包括被配置成使光学透镜相对于模制主体移动的微系统技术致动器。该微系统技术致动器可以例如被配置为静电致动器。该致动器可以使光学透镜在平行于模制主体的上侧的方向上和/或在垂直于模制主体的上侧的方向上移动成为可能。因此，光电子部件的致动器有利地使改变光电子部件的光学透镜的成像性质成为可能。

附图说明

将结合示例性实施例的以下描述来更清楚和全面地解释本发明的以上描述的性质、特征和优点以及实现它们所用的方式，结合绘图来更详细地解释该示例性实施例。提供下面的系统化的描绘：

图1示出光电子部件部分的剖面侧视图；

图2示出在被嵌入到模制主体之后光电子部件部分的剖面侧视图；

图3示出模制主体以及布置在其上的牺牲层的剖面侧视图；

图4示出在牺牲层的结构化之后的模制主体和牺牲层的剖面侧视图；

图5示出模制主体、牺牲层以及布置在其上的光学材料的层的剖面侧视图；

图6示出在光学材料的结构化之后的模制主体、牺牲层以及光学材料的层的剖面侧视图；

图7示出根据第一实施例的光电子部件的剖面侧视图；

图8示出根据本方法的替换实施例的模制主体以及结构化的牺牲层的剖面侧视图；

图9示出在该实施例中的模制主体、牺牲层以及光学材料的结构化层的剖面侧视图；

图10示出根据第二实施例的光电子部件的剖面侧视图；以及

图11示出根据第三实施例的光电子部件的剖面侧视图。

具体实施方式

图1示出光电子部件部分100的示意性剖面侧视图。该光电子部件部分100包括光电子半导体芯片110，其被配置用于发射电磁辐射，例如用于发射可见光。该光电子半导体芯片110可以例如是发光二极管芯片（led芯片）。在图1中描绘的示例中，该光电子部件部分100被配置为框架中芯片（chip-in-a-frame）部件部分。然而，还可能将光电子部件部分100设计为具有紧凑外形尺寸的另一部件部分。

该光电子半导体芯片110具有上侧111和与该上侧111相对的下侧112。该光电子半导体芯片110的上侧111形成光电子半导体芯片110的辐射发射表面。该光电子半导体芯片110被配置成在其上侧111上辐射电磁辐射，例如可见光。

转换器元件120被布置在该光电子半导体芯片110的上侧111上，该转换器元件120被提供用来将由光电子半导体芯片110在其上侧111上辐射的电磁辐射中的至少一部分转换成不同波长的电磁辐射。该转换器元件120可以例如被配置成将由光电子半导体芯片110发射的具有来自蓝色或紫外光谱范围的波长的电磁辐射转换成具有来自黄色光谱范围的波长的电磁辐射。未被转换的和被转换的电磁辐射的混合可以例如展现白色效应。然而，转换器元件120还可以被省略。

在所描绘的示例中，该光电子半导体芯片110在其上侧111上具有电接触焊盘并且在其下侧112上具有电接触焊盘，可以经由它们使电流传导通过光电子半导体芯片110。

该光电子部件部分100的光电子半导体芯片110被嵌入到第一模制主体130中。在这种情况下，该光电子半导体芯片110的上侧111和下侧112至少部分没有被第一模制主体130的材料覆盖，而是被暴露。优选地，该光电子半导体芯片110的上侧111和下侧112分别与第一模制主体130的上侧131和与该上侧131相对的下侧132基本齐平。该光电子半导体芯片110的上侧111和第一模制主体130的上侧131一起形成光电子部件部分的上侧101。该光电子半导体芯片110的下侧112和第一模制主体130的下侧132一起形成光电子部件部分100的下侧102。

该第一模制主体130包括电绝缘材料，优选地塑料材料。例如，该第一模制主体130可以包括环氧树脂。可以经由成形方法（模塑方法），例如经由压缩模塑或经由传递模塑来产生该第一模制主体130。特别地，第一模制主体130可以例如经由膜辅助传递模塑来形成。该光电子半导体芯片110优选地在第一模制主体130的形成期间已经被嵌入到模制主体130中，在其中利用第一模制主体130的材料对光电子半导体芯片110二次注塑（overmold）。

该第一电接触件140和第二电接触件150被布置在光电子部件部分100的下侧102上。该电接触件140、150可以例如被配置为平面金属化物。第一电接触件140跨光电子半导体芯片110的下侧112延伸，并且导电连接到布置在光电子半导体芯片110的下侧112上的光电子半导体芯片110的电接触件表面。借助于通过第一模制主体130从下侧132延伸到上侧131的通孔160，并且借助于布置在光电子部件部分100的上侧101上的平面金属化物，第二电接触件150导电连接到布置在光电子半导体芯片110的上侧111上的光电子半导体芯片110的电接触件表面。第一电接触件140和第二电接触件150因此允许给光电子部件部分100的光电子半导体芯片110供应电压和电流。

该光电子部件部分100可以和多个其他光电子部件部分100一起在常见处理步骤中产生。为了该目的，多个光电子半导体芯片110以彼此间隔开的布置一起被嵌入到第一模制主体130中。随后，每个光电子半导体芯片110，一个通孔160被创建在第一模制主体130中。此外，每个光电子半导体芯片110，形成电接触件140、150和导电连接的金属化物被创建在第一模制主体130的上侧和下侧上。然后划切第一模制主体130以便使光电子部件部分100单片化。

图2示出处于按照时间顺序在图1的描绘之后的处理状态中的光电子部件部分100的示意性剖面侧视图。该光电子部件部分100已经被嵌入到第二模制主体200中。该光电子部件部分100的上侧101和光电子部件部分100的下侧102至少部分没有被第二模制主体200的材料覆盖，并且因此至少部分被暴露。优选地，该光电子部件部分100的上侧101与第二模制主体200的上侧201基本齐平。同样地，该光电子部件部分100的下侧102优选地与第二模制主体200的下侧202基本齐平。

该第二模制主体200包括电绝缘材料，优选地塑料材料。该第二模制主体200可以包括与第一模制主体130相同的材料。然而，该第二模制主体200还可以包括与第一模制主体130的材料不同的材料。

进而可以经由成形方法（模塑方法）进行光电子部件部分100到第二模制主体200中的嵌入，其中利用第二模制主体200的材料对光电子部件部分100进行二次注塑。特别地，可以经由膜辅助传递模塑进行光电子部件部分100到第二模制主体200中的嵌入。

代替如所描述的最初将光电子半导体芯片110嵌入到第一模制主体130中以便形成光电子部件部分110并且随后将光电子部件部分100嵌入到第二模制主体200中，可以直接将光电子半导体芯片110嵌入到第二模制主体200中。在这种情况下省略第一模制主体130。在这种情况下，由没有第一模制主体130的裸光电子半导体芯片110来形成光电子部件部分100。在这种情况下，在光电子半导体芯片110到第二模制主体200中的嵌入之后，在第二模制主体200的下侧202上实现电接触件140、150的创建。为了这个目的，可以在第二模制主体200内创建通孔。

图3示出处于按照时间顺序在图2的描绘之后的处理状态中的、第二模制主体300以及嵌入在其中的光电子部件部分100的示意性剖面侧视图。牺牲层300已经被布置在光电子部件部分100的上侧101和第二模制主体200的上侧201之上。牺牲层300具有上侧301以及与该上侧301相对的下侧302。牺牲层300的下侧302与光电子部件部分100的上侧101以及第二模制主体200的上侧201接触。

牺牲层300包括适合于在下文中基于图4描述的结构化的材料。例如，该牺牲层300可以包括光致抗蚀剂。例如该牺牲层300可以借助于旋涂和随后的固化而施加于第二模制主体200的上侧201和光电子部件部分100的上侧101。

图4示出处于按照时间顺序在图3的描绘之后的处理状态中的、包括嵌入在其中的光电子部件部分100的第二模制主体200以及布置在第二模制主体200和光电子部件部分100之上的牺牲层300的示意性剖面侧视图。已经在图3和图4的描绘之间实现的处理步骤中使牺牲层300结构化。因此，已经在牺牲层300的上侧301上创建了牺牲层300的结构化310。此外，已经部分移除牺牲层300，以使得第二模制主体200的上侧201的区段不再被牺牲层300覆盖，而是被暴露。

牺牲层300的上侧301上的结构化310被布置在光电子部件部分100的光电子半导体芯片110的上侧111之上。该结构化310例如可以被配置为光学成像透镜结构的负片（negative），例如被配置为菲涅耳透镜结构的负片。然而，还可省略牺牲层300的上侧301上的结构化310。在这种情况下，根据在图3和4中描绘的处理状态之间实现的处理，牺牲层300的上侧301可以被配置成基本上平坦的。

例如，可以经由光刻方法来实现牺牲层300的结构化。特别地，可以例如经由掩模、接触、灰度或激光干涉光刻来实现牺牲层300的结构化。然而，替换地，还可以经由例如借助于激光射束的直接照射或者经由压印方法来实现牺牲层300的结构化。

图5示出处于按照时间顺序在图4的描绘之后的处理状态中的第二模制主体200、光电子部件部分100和牺牲层300的示意性剖面侧视图。光学材料的层400已经被布置在牺牲层300的上侧301之上。该光学材料的层400具有上侧401以及与该上侧401相对的下侧402。该光学材料的层400的下侧402与牺牲层300的上侧301接触。在第二模制主体200的上侧201的区域中，该区域在通过移除牺牲层300进行的牺牲层300的结构化期间已经被暴露，光学材料的层400的下侧402也与第二模制主体200的上侧201直接接触，并且在那里形成光学材料的层400的锚440。

在牺牲层300的上侧301上的结构化310的区域中，光学材料的层400的下侧402具有下侧结构化420，其在牺牲层300的上侧301上形成结构化310的负片。如果牺牲层300的上侧301上的结构化310被配置为菲涅耳透镜结构的负片，则光学材料的层400的结构化420的下侧相应地形成菲涅耳透镜结构的正片（positive）。

光学材料的层400包括光学透明材料，优选地光学透明塑料。例如，光学材料的层400可以包括硅树脂或聚碳酸酯。

图6示出处于按照时间顺序在图5的描绘之后的处理状态中的光电子部件部分100、第二模制主体200、牺牲层300和光学材料的层400的示意性剖面侧视图。已经在图5和图6中描绘的处理状态之间实现的处理步骤中使光学材料的层400结构化。在这种情况下，已经在光学材料的层400的上侧401上创建了上侧结构化430。

上侧结构化430被布置在光电子部件部分100的上侧101之上，特别地在光电子半导体芯片110的上侧111之上。上侧结构化430可以例如被配置为凸透镜结构或argus透镜结构。然而，上侧结构化430还可以被配置为另一透镜结构。

例如，可以经由光刻方法或经由压印方法来实现光学材料的层400的结构化。

图7示出处于按照时间顺序在图6的描绘之后的处理状态中的光电子部件部分100、第二模制主体200和光学材料的层400的示意性剖面侧视图。

牺牲层300已经从光学材料的层400的下侧402与光电子部件部分100的上侧101以及第二模制主体200的上侧201之间的区域移除。因此，已经由光学材料的层400形成光学透镜410。包括嵌入的光电子部件部分100的第二模制主体200和光学透镜410一起形成光电子部件10。

优选地可以通过溶解牺牲层300来实现牺牲层300的移除。例如，可以借助于溶剂或蚀刻溶液来溶解牺牲层300。在这种情况下，溶剂或蚀刻溶液可以通过在光学材料的层400中提供的开口渗透到牺牲层300。这些开口可以例如是在光学材料的层400的结构化期间创建的。替换地，可以以使得该开口在光学材料的层400的创建期间形成这样的方式来配置牺牲层300和使牺牲层300结构化。另一选项是在第二模制主体200和光学材料的层400的随后更精确限定的划切期间形成提供到牺牲层300的访问的开口。

通过移除牺牲层300，在光电子部件部分100的上侧101和由光学材料的层400形成的光学透镜410的下侧402（其具有下侧结构化420）之间形成气隙500。该光学透镜410的下侧402因此被布置在光电子部件部分100的上侧101之上，但是借助于气隙500与光电子部件部分100的上侧101间隔开。经由锚440将光学透镜410锚定到第二模制主体200。

在光电子部件10的操作期间，光电子部件部分100在其上侧101上发射电磁辐射，经由可选地存在的转换器元件120将该电磁辐射至少部分转换成不同波长的电磁辐射。该光学透镜410产生电磁辐射的射束成形并且将其投射到光电子部件10附近的目标区域中。因此，电磁辐射不仅在气隙500和光学透镜410的下侧402之间的界面处偏转，而且在光学透镜410的上侧401和光电子部件10的附近之间的界面处偏转。因此，光学透镜410的下侧402上的下侧结构化420以及光学透镜410的上侧401上的上侧结构化430二者产生射束成形。

电接触件140、150，其可在嵌入到第二模制主体200中的光电子部件部分100的下侧102上访问，形成光电子部件10的电连接表面。该光电子部件10可以例如被提供为用于表面安装（例如，用于借助于回流焊接进行的表面安装）的smt部件。

该光电子部件部分10可以和多个其他光电子部件部分10一起在常见处理步骤中产生。为了该目的，多个光电子部件部分100以彼此间隔开的布置一起被嵌入到第二模制主体200中。

牺牲层300的区段然后被布置在嵌入到第二模制主体200中的每个光电子部件部分100之上并且被以描述方式结构化。例如，该牺牲层300可以被布置为在嵌入到第二模制主体200中的所有光电子部件部分100之上的连接层。如果经由借助于激光的直接照射来实现牺牲层300的区段的结构化，则因此最初可以在在前的处理步骤中检测到嵌入到第二模制主体200中的各个光电子部件部分100的位置。因此，可以使牺牲层300的结构化310确切地朝着光电子部件部分100的光电子半导体芯片110定向。

在随后处理步骤中，光学材料的层400的区段被布置在牺牲层300的每个区段之上并且以描述的方式来结构化。

随后，第二模制主体200和光学材料的层400被划切以便使光电子部件10单片化。可以在牺牲层300的移除之前或之后实现光学材料的层400和模制主体200的划切。

如果光电子部件部分100以规则二维矩阵布置被嵌入到第二模制主体200中，则第二模制主体200可以例如最初被划切成行或列，由此创建对牺牲层300的区段的访问。在牺牲层300的区段的随后移除之后，第二模制主体200的列或行以及光学材料的层400被进一步划切，以便最后使光电子部件10单片化。

下面将基于图8至10描述根据替换实施例的用于产生光电子部件20的方法。该光电子部件20以及用于其生产的方法高度类似于图7的光电子部件10以及用于其生产的方法，其基于图1至7被描述。在图8至10中，对应的部件由此设有与图1至7中的相同的参考数字。下面的描述集中于第二实施例的光电子部件20与第一实施例的光电子部件10之间的差异以及相应生产方法之间的差异的说明上。

图8示出处于与图4中示出的处理状态相对应的处理状态中的、具有嵌入在其中的光电子部件部分100的第二模制主体200以及布置在光电子部件部分100以及第二模制主体200的上侧101、201之上的结构化的牺牲层300的示意性剖面侧视图。可获得图8中示出的处理状态，因为以类似方式实现基于图1至4描述的处理步骤。

由于不存在转换器元件120，图8中示出的光电子部件部分100不同于图4中描绘的光电子部件部分100。然而，还将可能在图8的实施例中的光电子部件部分100的情况中提供转换器元件120。

图8的描绘中的结构化牺牲层300与图4的描绘中的牺牲层300的不同之处在于，图8的描绘中的结构化牺牲层300具有附加的占位部（placeholder）320，其在垂直于第二模制主体200的上侧201的方向上以柱状方式从第二模制主体200的上侧201向上延伸。在牺牲层300的结构化期间，该占位部320已经被创建，由于占位部320的区域中的牺牲层300没有被移除。

图9示出处于按照时间顺序在图8的描绘之后的处理状态中的、包括嵌入的光电子部件部分100的第二模制主体200以及布置在第二模制主体200和光电子部件部分100之上的牺牲层300的示意性剖面侧视图。在图8和9的描绘之间实现的处理步骤中，已经在牺牲层300的上侧301之上布置光学材料的层400并使其结构化。在图9中描绘的处理状态因此对应于图6中描绘的处理状态。

图9中描绘的情况中的光学材料400的结构化层与图6中描绘的情况的不同之处在于，牺牲层300的占位部320从光学材料的层400的下侧402延伸通过光学材料400的整个层到达光学材料的层400的上侧401。因此，形成延伸通过光学材料的层400的通道450，在其中布置牺牲层300的占位部320。该通道450建立从光学材料的层400的上侧401到牺牲层300的连接。

图10示出处于按照时间顺序在图9的描绘之后的处理状态中的光电子部件部分100、第二模制主体200和光学材料的层400的示意性剖面侧视图。图10中描绘的处理状态对应于图7中描绘的处理状态。在图9和10中描绘的处理状态之间实现的处理步骤中，已经移除牺牲层300。因此，已经形成第二光电子部件20。

已经通过借助于蚀刻溶液或溶剂使牺牲层300溶解实现了牺牲层300的移除。在这种情况下，蚀刻溶液或溶剂已通过光学材料的层400中的通道450渗透到牺牲层300。

图11示出根据第三实施例的光电子部件30的示意性剖面侧视图。光电子部件30高度类似于第一实施例的光电子部件10。在图11中，对应的部件因此设有与图7中的相同的参考数字。可以经由基于图1至7描述的方法来产生光电子部件30，其中将考虑到下面描述的偏差和特别特征。

由于微系统技术致动器600的存在，光电子部件30不同于光电子部件10，该微系统技术致动器600被配置成使光学透镜410相对于光电子部件30的第二模制主体200移动。

在该示意性描绘的示例中，致动器600被配置为静电致动器。该致动器600具有透镜侧电极610，其被布置在光学透镜410的下侧402上的气隙500的区域中。此外，该致动器600具有模制主体侧电极620，其被布置在第二模制主体200的上侧201上的气隙500的区域中并且与透镜侧电极610相对。通过在透镜侧电极610和模制主体侧电极620之间施加电压，可以生成作用在透镜侧电极610和模制主体侧电极620之间的力，其使光电子部件30的光学透镜410在垂直于第二模制主体200的上侧201的方向上相对于第二模制主体200移动，并且因此还相对于光电子部件部分100和光电子半导体芯片110移动。

如果透镜侧电极610相对于模制主体侧电极620横向移位，则作用在致动器600的透镜侧电极610和模制主体侧电极620之间的力还可以影响光学透镜410在平行于第二模制主体200的上侧201的方向上的偏转。

在按照时间顺序在图2的描绘之后的处理状态中，在牺牲层300被随后布置在第二模制主体200的上侧201上之前，可以例如将模制主体侧电极620施加于第二模制主体200的上侧201。在按照时间顺序在图4的描绘之后的处理步骤中，在光学材料的层400被随后布置在牺牲层300的上侧301之上之前，可以例如将透镜侧电极610施加于结构化牺牲层300的上侧301。在移除牺牲层300之后，透镜侧电极610则保持在由光学材料的层400形成的光学透镜410的下侧402上。

光电子部件30的光学透镜410相对于光电子部件30的光电子半导体芯片110的移动（致动器600使之成为可能）实现光电子部件30在光电子部件30的操作期间的光学成像性质的动态调整。这可以例如被用于生成改变的图像或用于生成可变闪光。

基于优选示例性实施例更详细地说明和描述了本发明。然而，本发明不限于描述的示例。而是，在不脱离本发明的保护范围的情况下，本领域的技术人员可以从描述的示例导出其他变体。

参考数字列表

10光电子部件

20光电子部件

30光电子部件

100光电子部件部分

101上侧

102下侧

110光电子半导体芯片

111上侧

112下侧

120转换器元件

130第一模制主体

131上侧

132下侧

140第一电接触件

150第二电接触件

160通孔

200第二模制主体

201上侧

202下侧

300牺牲层

301上侧

302下侧

310结构化

320占位部

400光学材料的层

401上侧

402下侧

410光学透镜

420下侧结构化

430上侧结构化

440锚

450通道

500气隙

600致动器

610透镜侧电极

620模制主体侧电极。