技术特征：
技术总结
在一个实施例中提供了一种发光二极管，包括：发光结构，该发光结构包括第一导电半导体层、位于第一导电半导体层顶部的有源层、以及位于有源层顶部的第二导电半导体层；第一电极，布置在第一导电半导体层的一部分上；绝缘层，布置在第一电极、第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层的一部分上，并且具有DBR结构；以及第二电极，布置在第二导电半导体层上，其中第一电极经由第一表面与绝缘层接触，并且经由与第一表面相对的第二表面暴露于绝缘层。
技术研发人员：李建和;崔炳均
受保护的技术使用者：LG伊诺特有限公司
技术研发日：2015.12.24
技术公布日：2017.08.29