技术特征：
技术总结
可以通过：形成包括具有散布在其中的金属化催化剂的电介质材料的微电子电介质层、在所述微电子电介质层上形成底漆层、以及穿过所述底漆层并且进入电介质材料层形成凹槽来制造内建层。在所述凹槽内，活化层可以形成在暴露的微电子电介质层中或上，其中，所述底漆层用作掩模。可以诸如利用无电镀工艺将金属层形成在所述活化层上。因此，金属层沉积的分辨率可以由用于形成所述凹槽的工艺精确地控制。
技术研发人员：B·C·马林;T·格霍斯达斯蒂达;Y·李;D·塞纳维拉特纳
受保护的技术使用者：英特尔公司
技术研发日：2015.02.16
技术公布日：2017.09.26