技术特征：
技术总结
本发明的实施例包含具有应变沟道的非平面晶体管以及形成这样的晶体管的方法。在实施例中，非平面晶体管可以包含半导体衬底。根据实施例，第一源极/漏极（S/D）区域和第二S/D区域可以形成在半导体衬底之上并且通过沟道区域彼此分离。栅极堆叠可以形成在沟道区域之上。为了增加在沟道区域中可以诱导的应变的量，实施例可以包含在半导体衬底中形成从沟道区域下面去除半导体衬底的至少一部分的应变增强开口。
技术研发人员：A.D.利拉克;S.M.策亚;R.梅汉德鲁;P.莫罗;P.H.凯斯
受保护的技术使用者：英特尔公司
技术研发日：2015.09.25
技术公布日：2018.05.11