ESD保护元件以及带ESD保护元件的共模扼流圈的制作方法

本实用新型涉及ESD保护元件、以及在层叠体上一体地构成了ESD保护元件和共模扼流圈的带ESD保护元件的共模扼流圈。

背景技术：

ESD(Electro-Static Discharge；静电放电)是带电的导电性的物质(人体、连接器等)与其他的导电性的物质(电子设备等)接触或者充分接近时产生放电的现象。ESD保护元件是用于将ESD放到地面等的元件，例如配置于电路的信号线路与地面(接地)之间。

以往，为了防止ESD所带来的电子设备的损伤、误动作等，作为ESD对策，设计了各种ESD保护元件。例如，专利文献1中记载有如下构成的ESD保护元件(电火花放电间隙方式)，即：在形成于层叠体的内部的空洞部具备对置配置的放电电极以及接地电极、和与对置配置的放电电极以及接地电极邻接配置的辅助电极。

另一方面，为了抑制在差动传送线路中传播的共模噪声，以往使用共模扼流圈作为共模滤波器，作为ESD对策，也设计了各种具备上述电火花放电间隙方式的ESD保护元件的共模扼流圈。例如，在专利文献2以及专利文献3中记载有在从层叠方向观察时在左右排列2个空洞部且在每个空洞部分别独立地形成ESD保护元件的构造的阵列型的层叠型共模扼流圈。

专利文献1：国际公开第2008/146514号

专利文献2：国际公开第2013/136936号

专利文献3：国际公开第2013/99540号

若使在每个空洞部独立地形成ESD保护元件的构造的层叠体小型化，则产生多个空洞部被接近配置，空洞部彼此相连等问题。因此，在 按每个ESD保护元件设置空洞部的构造中，需要一定程度的占有空间，小型化困难。因此，在想要使在层叠体的内部具备多个ESD保护元件的电子部件小型化的情况下，不得不采用在一个空洞部内配置接地电极和多个放电电极的构造。

但是，若采用这种构造，则在共享的空洞部内多个放电电极彼此邻接，所以在静电进入至传送线路的情况下，不只是放电电极与接地电极之间，在多个放电电极彼此之间也容易产生异常的放电。若产生这样的放电电极彼此的放电(以下称为“异常放电”)，则存在进入至一方的传送线路的静电迁移到另一方的传送线路，破坏连接于共模扼流圈的后段的IC等电子电路的担忧。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于提供一种在电火花放电间隙方式的ESD保护元件中，即使在共享的空洞部内设置多个ESD保护元件，也在多个放电电极彼此之间抑制放电的小型的ESD保护元件。另外，提供一种具备上述的ESD保护元件的带ESD保护元件的共模扼流圈。

(1)本实用新型的ESD保护元件的特征在于，具备：

层叠体，通过层叠多个基材层而成；

空洞部，形成在上述层叠体的内部；

接地电极，在上述空洞部内露出至少一部分；

第一放电电极以及第二放电电极，在共享的上述空洞部内露出至少一部分，并且与共同的上述接地电极对置；以及

放电辅助电极，通过在上述基材层分散导电性粒子而形成，在上述空洞部内露出至少一部分，并沿着上述空洞部的内表面形成，

在从上述基材层的层叠方向观察时，上述第一放电电极和上述第二放电电极在上述空洞部内相互邻接配置，

在从上述基材层的层叠方向观察时，上述放电辅助电极至少形成于上述第一放电电极与上述接地电极的对置区域以及上述第二放电电极 与上述接地电极的对置区域，并且具有在上述空洞部内不形成上述放电辅助电极的非形成部，

上述非形成部至少将上述第一放电电极与上述第二放电电极的邻接区域的上述放电辅助电极分隔成上述第一放电电极侧和上述第二放电电极侧。

通过该构成，在形成于层叠体的内部的共享的空洞部内形成有多个ESD保护元件，所以与在每个空洞部分别独立地形成ESD保护元件的以往的构造相比，能够小型化。另外，通过该构成，进入至传送线路的静电容易在第一放电电极与接地电极之间以及第二放电电极与接地电极之间放电。并且，至少第一放电电极与第二放电电极的邻接区域的放电辅助电极被非形成部分隔成第一放电电极侧和第二放电电极侧，所以抑制了在空洞部内相互邻接配置的多个放电电极彼此之间的放电。因此，能够防止进入至一方的传送线路的静电迁移到另一方的传送线路。

(2)优选上述第一放电电极与上述接地电极的对置区域的分离距离以及第二放电电极与上述接地电极的对置区域的分离距离比上述第一放电电极与上述第二放电电极的邻接区域的距离短。通过该构成，进入至传送线路的静电容易在第一放电电极与接地电极之间以及第二放电电极与接地电极之间放电，所以抑制了在空洞部内相互邻接配置的多个放电电极彼此之间的放电。

(3)优选上述非形成部将上述放电辅助电极分隔成上述第一放电电极侧和上述第二放电电极侧。在该构成中，放电辅助电极被非形成部分隔成上述第一放电电极侧和上述第二放电电极侧，所以抑制了在空洞部内相互邻接配置的多个放电电极彼此之间的放电。

(4)优选在从上述基材层的层叠方向观察时，上述放电辅助电极至少比在上述空洞部内露出的上述第一放电电极以及上述第二放电电极的外缘形成得宽。通过该构成，放电辅助电极比在空洞部内露出的第一放电电极以及第二放电电极的外缘形成得宽，所以即使在制造时产生堆叠偏差，也能够抑制ESD保护特性的差别。因此，能够提高受堆叠偏差影响的产品的合格率。另外，在第一放电电极与接地电极的对置区域以及第二放电电极与接地电极的对置区域以外也形成有放电辅助电 极，所以放电辅助电极的面积变大。因此，通过该构成，较多地形成静电的放电路径，即使反复产生静电的放电，也难以产生绝缘电阻劣化，能够提高静电的放电的反复特性。

(5)本实用新型的带ESD保护元件的共模扼流圈的特征在于，在上述层叠体的表面或者内层具备：相互耦合的第一线圈及第二线圈、以及与上述第一线圈及上述第二线圈连接的(1)～(5)中的任意一项所述的ESD保护元件。

(6)在本实用新型的带ESD保护元件的共模扼流圈中，优选在从上述第一线圈以及上述第二线圈的卷绕轴向的俯视图中，上述ESD保护元件形成于上述第一线圈以及上述第二线圈的线圈开口部的内侧。在该构成中，在线圈开口部的内侧形成有接地电极、放电电极、放电辅助电极，所以与在线圈开口部的内侧没有任何电极图案的情况相比，能够防止烧制层叠体时产生的环状的第一线圈以及第二线圈的内侧的区域的凹陷的产生。由此，能够实现顶面以及底面的平坦度较高的层叠型的带ESD保护元件的共模扼流圈。另外，在线圈开口部的内侧形成有接地电极、放电电极、放电辅助电极，所以能够抑制在与第一线圈的第一环状导体以及第二线圈的第二环状导体之间产生不必要的电容。另外，ESD保护元件的放电间隙与构成各线圈的环状导体的距离较大，所以环状导体难以受到ESD所带来的电磁感应、发热等影响。

(7)在本实用新型的带ESD保护元件的共模扼流圈中，优选在从基材层的层叠方向观察时，上述接地电极与上述第一线圈以及上述第二线圈重叠的部分的线宽度比在上述空洞部内露出的部分的线宽度细。通过该构成，能够减小形成第一线圈以及第二线圈的导体与接地电极的对置面积。因此，能够减少在形成第一线圈以及第二线圈的导体与接地电极之间产生的杂散电容。

根据本实用新型，能够实现在电火花放电间隙方式的ESD保护元件中，即使在共享的空洞部内设置多个ESD保护元件，也抑制多个放电电极彼此之间的异常放电的小型的ESD保护元件，并且能够实现带ESD保护元件的共模扼流圈。

附图说明

图1是第一实施方式所涉及的带ESD保护元件的共模扼流圈101的外观立体图。

图2是表示第一实施方式所涉及的带ESD保护元件的共模扼流圈101的各基材层的电极图案等的分解俯视图。

图3是图1中的A－A’剖视图。

图4是第一实施方式所涉及的带ESD保护元件的共模扼流圈101的电路图。

图5是将ESD保护元件放大表示的俯视透视图。

图6是带ESD保护元件的共模扼流圈101的俯视透视图。

图7是表示第二实施方式所涉及的带ESD保护元件的共模扼流圈102的各基材层的电极图案等的分解俯视图。

图8是第二实施方式所涉及的带ESD保护元件的共模扼流圈102的剖视图。

图9是第二实施方式所涉及的带ESD保护元件的共模扼流圈102的电路图。

图10是第三实施方式所涉及的带ESD保护元件的共模扼流圈103的外观立体图。

图11是表示第三实施方式所涉及的带ESD保护元件的共模扼流圈103的各基材层的电极图案等的分解俯视图。

图12是第三实施方式所涉及的带ESD保护元件的共模扼流圈103的电路图。

图13是表示第四实施方式所涉及的带ESD保护元件的共模扼流圈104的各基材层的电极图案等的分解俯视图。

图14是第四实施方式所涉及的带ESD保护元件的共模扼流圈104 的电路图。

图15是表示第五实施方式所涉及的ESD保护元件的俯视透视图。

图16是表示第六实施方式所涉及的ESD保护元件的俯视透视图。

图17是表示第七实施方式所涉及的ESD保护元件的俯视透视图。

具体实施方式

以下，参照附图举出几个具体的例子，示出用于实施本实用新型的多个方式。在各图中对相同位置标注相同的附图标记。各实施方式是例示，能够进行不同的实施方式所示的构成的部分置换或者组合。

《第一实施方式》

参照各图对第一实施方式所涉及的带ESD(Electro-Static Discharge)保护元件的共模扼流圈进行说明。图1是第一实施方式所涉及的带ESD保护元件的共模扼流圈101的外观立体图。图2是表示第一实施方式所涉及的带ESD保护元件的共模扼流圈101的各基材层的电极图案等的分解俯视图。图3是图1中的A－A’剖视图。在图3中，为了容易明白附图以及原理，而简化图示了带ESD保护元件的共模扼流圈101的构造。此外，在图3中，夸张地图示出各部的厚度。以后的各实施方式中的侧视图也相同。

带ESD保护元件的共模扼流圈101具备：层叠体80、形成于层叠体80的内部且相互耦合的第一线圈L1以及第二线圈L2、以及ESD保护元件。ESD保护元件如以后详述的那样在形成于层叠体80内部的空洞部21内形成。层叠体80是长方体状，通过层叠图2中的(1)～(12)所示的多个基材层10a～10j而构成。

在图2中，(1)是最上层，(12)是最下层。如图2所示，在基材层10a、基材层10j形成有输入输出端子P1、输入输出端子P2、输入输出端子P3、输入输出端子P4。

在基材层10b形成有均以基材层的中心为轴且逆时针双线卷绕而成的第一环状导体L1a、第二环状导体L2a。此外，第一环状导体L1a被 形成为在第二环状导体L2a的外侧卷绕，第二环状导体L2a被形成为在第一环状导体L1a的内侧卷绕。第一环状导体L1a的一端与输入输出端子P3连接，第一环状导体L1a的另一端通过通路电极与第一环状导体L1b的一端连接。第二环状导体L2a的一端与输入输出端子P4连接，第二环状导体L2a的另一端通过通路电极(或者层间连接导体等。以下相同。)与第二环状导体L2b的一端连接。

在基材层10c形成有均以基材层的中心为轴且逆时针双线卷绕而成的第一环状导体L1b、第二环状导体L2b。逆时针卷绕而成的第一环状导体L1b、第二环状导体L2b大致平行地形成。此外，第一环状导体L1b被形成为在第二环状导体L2b的内侧卷绕，第二环状导体L2b被形成为在第一环状导体L1b的外侧卷绕。第一环状导体L1b的一端通过通路电极与第一环状导体L1a的另一端连接，第一环状导体L1b的另一端通过通路电极与第一环状导体L1c的一端连接。第二环状导体L2b的一端通过通路电极与第二环状导体L2a的另一端连接，第二环状导体L2b的另一端通过通路电极与第二环状导体L2c的一端连接。

在基材层10d形成有均以基材层的中心为轴且逆时针双线卷绕而成的第一环状导体L1c、第二环状导体L2c。此外，第一环状导体L1c被形成为在第二环状导体L2c的外侧卷绕，第二环状导体L2c被形成为在第一环状导体L1c的内侧卷绕。第一环状导体L1c的一端通过通路电极与第一环状导体L1b的另一端连接，第一环状导体L1c的另一端通过通路电极与第一环状导体L1d的一端连接。第二环状导体L2c的一端通过通路电极与第二环状导体L2b的另一端连接，第二环状导体L2c的另一端通过通路电极与第二环状导体L2d的一端连接。

在基材层10e形成有均以基材层的中心为轴且逆时针双线卷绕而成的第一环状导体L1d、第二环状导体L2d。此外，第一环状导体L1d被形成为在第二环状导体L2d的内侧卷绕，第二环状导体L2d被形成为在第一环状导体L1d的外侧卷绕。第一环状导体L1d的一端通过通路电极与第一环状导体L1c的另一端连接，第一环状导体L1d的另一端通过通路电极与第一环状导体L1e的一端连接。第二环状导体L2d的一端通过通路电极与第二环状导体L2c的另一端连接，第二环状导体L2d的另一端通过通路电极与第二环状导体L2e的一端连接。

在基材层10f形成有均以基材层的中心为轴且逆时针双线卷绕而成的第一环状导体L1e、第二环状导体L2e。此外，第一环状导体L1e被形成为在第二环状导体L2e的外侧卷绕，第二环状导体L2e被形成为在第一环状导体L1e的内侧卷绕。第一环状导体L1e的一端通过通路电极与第一环状导体L1d的另一端连接，第一环状导体L1e的另一端通过通路电极与第一环状导体L1f的一端连接。第二环状导体L2e的一端通过通路电极与第二环状导体L2d的另一端连接，第二环状导体L2e的另一端通过通路电极与第二环状导体L2f的一端连接。

在基材层10g形成有均以基材层的中心为轴且逆时针双线卷绕而成的第一环状导体L1f、第二环状导体L2f。此外，第一环状导体L1f被形成为在第二环状导体L2f的内侧卷绕，第二环状导体L2f被形成为在第一环状导体L1f的外侧卷绕。第一环状导体L1f的一端通过通路电极与第一环状导体L1e的另一端连接，第一环状导体L1f的另一端通过通路电极与第一环状导体L1g的一端连接。第二环状导体L2f的一端通过通路电极与第二环状导体L2e的另一端连接，第二环状导体L2f的另一端通过通路电极与第二环状导体L2g的一端连接。

在基材层10h形成有均以基材层的中心为轴且逆时针双线卷绕而成的第一环状导体L1g、第二环状导体L2g。此外，第一环状导体L1g被形成为在第二环状导体L2g的外侧卷绕，第二环状导体L2g被形成为在第一环状导体L1g的内侧卷绕。第一环状导体L1g的一端通过通路电极与第一环状导体L1f的另一端连接，第一环状导体L1g的另一端与输入输出端子P1连接。第二环状导体L2g的一端通过通路电极与第二环状导体L2f的另一端连接，第二环状导体L2g的另一端与输入输出端子P2连接。

在图2中，(9)～(11)示出基材层10i的构成。在基材层10i，在基材层的中心附近形成有放电辅助电极51。放电辅助电极51包括分散于层叠体的基材中的粒子状的导电性材料，在空洞部21内露出至少一部分，并沿着空洞部21的内表面形成。如图2所示，本实施方式的放电辅助电极51形成为コ字(c字)状。

并且，在基材层10i形成有接地电极31以及第一放电电极41、第二放电电极42。接地电极31从基材层的一个短边朝向另一个短边形成 为直线状，且与形成于层叠体80的两个短边的接地端子GND连接。接地电极31具有在空洞部21内露出的部分。第一放电电极41从基材层的一个长边(图2中的下侧的长边)朝向基材层的中央附近形成。第一放电电极41的一端与输入输出端子P1连接，第一放电电极41的另一端在空洞部21内露出，并且具有在基材层的中心附近与接地电极31接近并对置的部分。第二放电电极42从基材层的一个长边(图2中的下侧长边)朝向基材层的中央附近形成。第二放电电极42的一端与输入输出端子P2连接，第二放电电极42的另一端在空洞部21内露出，并且具有在基材层的中心附近与接地电极31接近并对置的部分。在本实施方式中，第一放电电极41和第二放电电极42在基材层的长边方向上左右对称地形成。

并且，在基材层10i，在基材层的中心附近形成有矩形的空洞部21。

如图1所示，层叠体80在外表面具备输入输出端子P1、输入输出端子P2、输入输出端子P3、输入输出端子P4以及接地端子GND。

作为基材层的材料，在形成HF带用的共模扼流圈的情况下涡流损耗相对较小，所以在磁能的封闭性的点上优选使用磁性体材料(磁导率较高的电介质材料)。作为该磁性体材料，也可以使用六方晶铁素体等高频对应的铁素体磁性体。另一方面，例如在形成UHF带用的共模扼流圈的情况下，为了抑制高频区域中的涡流损耗，而优选使用电绝缘电阻较高的电介质材料。铁素体所代表的磁性体对磁导率具有频率依赖性，所以随着利用频带变高，损失变大，但电介质的频率依赖性比较小，所以能够实现在较宽的频带中损失较小的层叠型共模扼流圈。即，作为包括宽频带、特别是高频带域的高速接口所使用的共模扼流圈，优选使用非磁性体层的电介质层作为基材层。

基材层既可以是低温烧制陶瓷(LTCC[Low Temperature Co-fired Ceramics]这样的电介质陶瓷层，也可以是由热塑性树脂、热固化性树脂构成的树脂层。即，层叠体既可以是陶瓷层叠体，也可以是树脂层叠体。另外，构成各线圈的环状导体、层间连接电极、设置于层叠体的表面的表面电极等优选使用以铜、银等电阻率较小的金属为主要成分的金属材料。

由第一环状导体L1a、第一环状导体L1b、第一环状导体L1c、第一环状导体L1d、第一环状导体L1e、第一环状导体L1f、第一环状导体L1g和连接它们的通路电极形成了第一线圈L1。由第二环状导体L2a、第二环状导体L2b、第二环状导体L2c、第二环状导体L2d、第二环状导体L2e、第二环状导体L2f、第二环状导体L2g和连接它们的通路电极形成了第二线圈L2。第一线圈L1以及第二线圈L2在阻止共模电流的方向上耦合而作为共模扼流圈发挥作用。

在本实施方式中，为在通过通路电极将各基材层中的双线卷绕而成的第一环状导体和第二环状导体进行层间连接时，更换第一环状导体和第二环状导体的内外配置的构成。因此，第一线圈L1和第二线圈L2的电极的长度被大致相同地形成。因此，确保了第一线圈L1和第二线圈L2的对称性，能够提高共模扼流圈的耦合度。此外，共模扼流圈并不局限于本实施方式的构成，第一线圈L1以及第二线圈L2的卷绕方向、匝数、构成等能够适当地变更。

图4是第一实施方式所涉及的带ESD保护元件的共模扼流圈101的电路图。

如图4所示，第一线圈L1形成于输入输出端子P1与输入输出端子P3之间，第二线圈L2形成于输入输出端子P2与输入输出端子P4之间。另外，ESD保护元件Dg1在输入输出端子P1与输入输出端子P3之间形成于第一线圈L1的前段，ESD保护元件Dg2在输入输出端子P2与输入输出端子P4之间形成于第二线圈L2的前段。

在带ESD保护元件的共模扼流圈101中，如图3所示，在层叠体80的上部侧形成有第一线圈L1以及第二线圈L2，在层叠体80的下部侧形成有ESD保护元件Dg1、ESD保护元件Dg2。通过成为这样的构成，能够缩短安装层叠体80的安装基板到接地电极的距离。另外，第一环状导体以及第二环状导体和安装基板等到接地电极的距离变长，所以能够减少其间产生的杂散电容。但是，ESD保护元件Dg1、ESD保护元件Dg2并不局限于形成于层叠体80的下部侧，也可以是形成于层叠体80的上部侧的构成。

图5是将ESD保护元件放大表示的俯视透视图。由空洞部21、在 空洞部21内露出的第一放电电极41、在空洞部21内露出的接地电极31、以及放电辅助电极51构成ESD保护元件Dg1。由空洞部21、在空洞部21内露出的第二放电电极42、在空洞部21内露出的接地电极31、以及放电辅助电极51构成ESD保护元件Dg2。ESD保护元件Dg1以及ESD保护元件Dg2形成在共享的空洞部21内，使用共同的接地电极31而形成。

通过该构成，在形成于层叠体80的内部的一个空洞部21内形成有多个ESD保护元件，所以与在每个空洞部分别独立地形成ESD保护元件的以往的构造相比，能够小型化。

在本实施方式中，形成于基材层10i的第一放电电极41以及第二放电电极42在空洞部21内相互邻接配置，接地电极31与コ字(c字)状的放电辅助电极51重叠。因此，如图5所示，在从基材层的层叠方向观察时，在第一放电电极－接地电极间对置区域Deg1(相当于本实用新型的“第一放电电极与接地电极的对置区域”。)和第二放电电极－接地电极间对置区域Deg2(相当于本实用新型的“第二放电电极与接地电极的对置区域”。)形成有放电辅助电极51。

通过该构成，在本实施方式中，在从基材层的层叠方向观察时，至少在第一放电电极－接地电极间对置区域Deg1以及第二放电电极－接地电极间对置区域Deg2形成有放电辅助电极51。因此，进入至传送线路的静电容易在第一放电电极－接地电极间对置区域Deg1以及第二放电电极－接地电极间对置区域Deg2放电。

并且，形成于基材层10i的第一放电电极41、第二放电电极42以及接地电极31在空洞部21内与コ字(c字)状的放电辅助电极51重叠。因此，如图5所示，在从基材层的层叠方向观察时，带ESD保护元件的共模扼流圈101的放电辅助电极51具备在空洞部21内不形成放电辅助电极51的非形成部500。放电辅助电极51被该非形成部500分隔成第一放电电极41侧和第二放电电极42侧。通过非形成部500，在第一放电电极41与第二放电电极42之间不存在放电辅助电极51，所以抑制了在空洞部21内相互邻接配置的多个放电电极彼此之间的放电。因此，能够防止进入至一方的传送线路的静电迁移到另一方的传送线路，能够防止电子设备的损伤、误动作等。

另外，如图5所示，在本实施方式的ESD保护元件中，在从基材层的层叠方向观察时，第一放电电极－接地电极间对置区域Deg1以及第二放电电极－接地电极间对置区域Deg2的距离x(相当于本实用新型的“第一放电电极与接地电极的对置区域的分离距离以及第二放电电极与接地电极的对置区域的分离距离”。)比第一放电电极－第二放电电极间邻接区域Dee的距离y(相当于本实用新型的“第一放电电极与第二放电电极的邻接区域的距离”。)短。

通过该构成，进入至传送线路的静电容易在第一放电电极－接地电极间对置区域Deg1以及第二放电电极－接地电极间对置区域Deg2放电。因此，能够抑制在空洞部21内相互邻接配置的多个放电电极彼此之间的放电。

如图3所示，放电辅助电极51通过在层叠体80的基材层分散导电性粒子300而形成，在空洞部21内露出，并沿着空洞部21的内表面形成。导电性粒子300例如是Cu的金属粒子。如图5所示，本实施方式的放电辅助电极51与接地电极31、第一放电电极41以及第二放电电极42接触，形成于第一放电电极－接地电极间对置区域Deg1以及第二放电电极－接地电极间对置区域Deg2。因此，ESD保护元件Dg1、ESD保护元件Dg2能够得到放电开始电压的降低和针对ESD的响应特性的提高。

此外，第一放电电极－接地电极间对置区域Deg1以及第二放电电极－接地电极间对置区域Deg2中的放电包括：(1)沿着放电辅助电极51的沿面放电；(2)第一放电电极－接地电极间对置区域Deg1以及第二放电电极－接地电极间对置区域Deg2的气体放电；(3)将分散于放电辅助电极51内的导电性粒子300如跳石一样传播的放电。静电通过这些放电而被放出。

ESD保护元件通过如以下所描述的材料以及工序制造。

用于形成第一放电电极41、第二放电电极42的电极糊剂通过对由Cu粉和乙基纤维素等构成的粘合剂树脂添加溶剂并搅拌、混合而得到。

成为形成空洞部21的起点的树脂糊剂也通过相同的方法制成。该 树脂糊剂仅由树脂和溶剂构成。树脂材料使用在烧制时分解、消失的树脂。例如聚乙烯对苯二甲酸酯、聚丙烯、丙烯酸树脂等。

用于形成放电辅助电极51的混合糊剂通过以规定的比例调和作为导电性材料的Cu粉和作为陶瓷材料的BAS粉，且添加粘合剂树脂和溶剂并搅拌、混合而得到。

基材层的层叠与通常的陶瓷多层基板相同地通过层叠陶瓷生片并压焊而构成。

被接合压焊而成的层叠体与LC滤波器这样的芯片型的电子部件相同地利用微型刀具切割，分离成各元件体。之后，在各元件体的端面涂覆在烧制后成为各种外部端子的电极糊剂。

接下来，与通常的陶瓷多层基板相同地，在N₂环境气体中烧制。另外，在为了降低针对ESD的响应电压而对空洞部导入Ar、Ne等惰性气体的情况下，在Ar、Ne等惰性气体环境下在进行陶瓷材料的收缩、烧结的温度区域进行烧制即可。在第一放电电极41、第二放电电极42以及外部电极(输入输出端子、接地电极等)是不氧化的电极材料的情况下，也可以在大气环境中烧制。

之后，与LC滤波器这样的芯片型的电子部件相同地，在外部电极的表面通过电解Ni-Sn电镀形成Ni-Sn电镀膜。

另外，一般来说，在使铁素体中的Fe为氧化状态且不使电极材料的Cu氧化的状态下进行烧制极困难，所以在层叠体使用铁素体的情况下，需要对电极材料使用Ag。但是，若用Ag形成第一放电电极41、第二放电电极42，则存在出现迁移而放电电压随时间变化的情况。与此相对，在层叠体不使用铁素体的情况下，若用Cu形成第一放电电极41、第二放电电极42，则通过放电时的能量形成电极表面Cu的氧化膜，但该膜不作为放电电极材料发挥作用，所以即使反复放电，放电电压也实质上保持恒定。

在本实施方式中，在放电辅助电极51中分散地形成Cu的金属粒子作为导电性粒子300，但并不局限于该构成。导电性粒子300除了Cu的金属粒子以外，例如优选为从Ni、Co、Ag、Pd、Rh、Ru、Au、Pt、 Ir等过渡金属群选出的至少1种金属(导电材料)粒子。另外，也可以以单体形式使用这些金属，但也能够作为合金使用。并且，也可以使用这些金属的氧化物(电阻材料)。或者，也可以使用SiC这样的半导体材料作为构成放电辅助电极的导电性粒子。也可以是金属粒子与半导体粒子的混合物。

另外，通过在这些放电辅助电极51的表面覆盖Al₂O₃、ZrO₂、SiO₂等无机材料、BAS这样的混合煅烧材料、高熔点的玻璃等绝缘材料，来形成辅助电极粒。覆盖放电辅助电极51的表面的绝缘材料阻碍放电辅助电极51的烧结，如果是具有绝缘性的绝缘材料，则也可以是例示材料以外的材料。

图6是带ESD保护元件的共模扼流圈101的俯视透视图。图6中的环状导体形成部200表示从基材层的层叠方向观察带ESD保护元件的共模扼流圈101时，图2所示的形成于基材层10b～10h的第一环状导体L1a～L1g以及第二环状导体L2a～L2g的形成区域。线圈开口内侧部Cid(相当于本实用新型的“线圈开口部的内侧”。)是从基材层的层叠方向观察时，形成为环面状的环状导体形成部200内侧的未形成有环状导体的区域。

如上所述，通过第一环状导体L1a～L1g和连接它们的通路导体形成了第一线圈L1，通过第二环状导体L2a～L2g和连接它们的通路导体形成了第二线圈L2。因此，线圈开口内侧部Cid是第一线圈L1以及第二线圈L2的开口部。另外，在带ESD保护元件的共模扼流圈101中，第一线圈L1以及第二线圈L2的卷绕轴与基材层的层叠方向一致。

如图6所示，空洞部21形成于线圈开口内侧部Cid。ESD保护元件形成于空洞部21内，所以换言之，可以说ESD保护元件形成于线圈开口内侧部Cid。这样，带ESD保护元件的共模扼流圈101是在从第一线圈L1以及第二线圈L2的卷绕轴向的俯视图中，在第一线圈L1以及第二线圈L2的线圈开口内侧部Cid形成有ESD保护元件的构成。

通过该构成，与在线圈开口内侧部Cid没有任何电极图案的情况相比，能够防止烧制层叠体时产生的环状的第一线圈L1以及第二线圈L2的内侧的区域的凹陷的产生。由此，能够实现顶面以及底面的平坦度较 高的层叠型的带ESD保护元件的共模扼流圈。另外，在线圈开口内侧部Cid形成有接地电极31、第一放电电极41、第二放电电极42、放电辅助电极51，所以能够抑制在第一线圈L1的第一环状导体L1a～L1g以及第二线圈L2的第二环状导体L2a～L2g之间产生不必要的电容。另外，ESD保护元件的放电间隙与构成各线圈的环状导体的距离较大，所以环状导体难以受到ESD所带来的电磁感应、发热等影响。

《第二实施方式》

参照各图对第二实施方式所涉及的带ESD保护元件的共模扼流圈进行说明。图7是表示第二实施方式所涉及的带ESD保护元件的共模扼流圈102的各基材层的电极图案的分解俯视图。图8是第二实施方式所涉及的带ESD保护元件的共模扼流圈102的剖视图。图9是第二实施方式所涉及的带ESD保护元件的共模扼流圈102的电路图。

如图9所示，第二实施方式所涉及的带ESD保护元件的共模扼流圈102相对于第一实施方式所示的带ESD保护元件的共模扼流圈101，不同点在于：在第一线圈L1的后段形成有ESD保护元件Dg3，在第二线圈L2的后段形成有ESD保护元件Dg4。其他的构成与带ESD保护元件的共模扼流圈101相同。

以下，仅对与第一实施方式所涉及的带ESD保护元件的共模扼流圈101不同的部分进行说明。

在图7中，(9)～(11)示出基材层10i的构成。在基材层10i，在基材层的中心附近形成有放电辅助电极51以及放电辅助电极52。放电辅助电极52形成为コ字(c字)状。

并且，在基材层10i，除了接地电极31以及第一放电电极41、第二放电电极42以外，还形成有第三放电电极43、第四放电电极44。接地电极31是与带ESD保护元件的共模扼流圈101相同的构成。接地电极31具有在空洞部21内露出的部分以及在空洞部22内露出的部分。

此外，如图7中的(10)所示，在层叠了基材层10a～10j的状态下，本实施方式的接地电极31与第一环状导体L1a～L1g以及第二环状导体L2a～L2g重叠的部分的线宽度比在空洞部21、22内露出的部分(图7 中的(10)中的接地电极31的中央部)的线宽度细。换言之，在从基材层的层叠方向观察时，接地电极31与第一线圈L1以及第二线圈L2重叠的部分的线宽度比在空洞部21、22内露出的部分的线宽度细。另一方面，在从基材层的层叠方向观察时，与第一放电电极41、第二放电电极42、第三放电电极43以及第四放电电极44在空洞部21、22内对置的接地电极31的中央部同与第一线圈L1以及第二线圈L2重叠的部分相比，线宽度粗。

第一放电电极41以及第二放电电极42是与带ESD保护元件的共模扼流圈101相同的构成。第三放电电极43从基材层的一个长边(图7中的上侧的长边)朝向基材层的中央附近形成。第三放电电极43的一端与输入输出端子P3连接，第三放电电极43的另一端在空洞部22内露出，具有在基材层的中心附近与接地电极31接近并对置的部分。第四放电电极44从基材层的一个长边(图7中的上侧的长边)朝向基材层的中央附近形成。第四放电电极44的一端与输入输出端子P4连接，第四放电电极44的另一端在空洞部22内露出，具有在基材层的中心附近与接地电极31接近并对置的部分。

并且，在基材层10i，在基材层的中心附近形成有矩形的空洞部21以及矩形的空洞部22。

由空洞部22、在空洞部22内露出的第三放电电极43、在空洞部22内露出的接地电极31、以及放电辅助电极52构成ESD保护元件Dg3。由空洞部22、在空洞部22内露出的第四放电电极44、在空洞部22内露出的接地电极31、以及放电辅助电极52构成ESD保护元件Dg4。ESD保护元件Dg3以及ESD保护元件Dg4形成于共享的空洞部22内，使用共同的接地电极31来形成。

在本实施方式中，第三放电电极43以及第四放电电极44在基材层的短边方向上与第一放电电极以及第二放电电极上下对称地形成。带ESD保护元件的共模扼流圈102是ESD保护元件Dg1以及ESD保护元件Dg2与ESD保护元件Dg3以及ESD保护元件Dg4在基材层的短边方向上上下对称地形成的构成。

通过这样的构成，能够构成具备ESD保护元件Dg1、ESD保护元 件Dg3、ESD保护元件Dg2、ESD保护元件Dg4的带ESD保护元件的共模扼流圈102。

此外，按照上述，在从基材层的层叠方向观察时，本实施方式的接地电极31与第一线圈L1以及第二线圈L2重叠的部分的线宽度比在空洞部21、22内露出的部分(图7中的(10)中的接地电极31的中央部)的线宽度细。通过该构成，能够缩小形成第一线圈L1以及第二线圈L2的导体(第一环状导体L1a～L1g以及第二环状导体L2a～L2g)与接地电极31的对置面积。因此，能够减少在形成第一线圈L1以及第二线圈L2的导体与接地电极31之间产生的杂散电容。

另外，按照上述，在从基材层的层叠方向观察时，与第一放电电极41、第二放电电极42、第三放电电极43以及第四放电电极44在空洞部21、22内对置的接地电极31的中央部同与第一线圈L1以及第二线圈L2重叠的部分相比，线宽度粗。通过该构成，能够使放电电极(第一放电电极41、第二放电电极42、第三放电电极以及第四放电电极44)与接地电极31的对置区域的分离距离(参照图5中的x)比在空洞部内相互邻接配置的放电电极间的距离(参照图5中的y)短(x＜y)。因此，进入至传送线路的静电容易在放电电极与接地电极之间放电，抑制了在空洞部内相互邻接配置的多个放电电极彼此之间的放电。

《第三实施方式》

参照各图对第三实施方式所涉及的带ESD保护元件的共模扼流圈进行说明。图10是第三实施方式所涉及的带ESD保护元件的共模扼流圈103的外观立体图。图11是表示第三实施方式所涉及的带ESD保护元件的共模扼流圈103的各基材层的电极图案等的分解俯视图。图12是第三实施方式所涉及的带ESD保护元件的共模扼流圈103的电路图。

第三实施方式所涉及的带ESD保护元件的共模扼流圈103相对于第一实施方式所示的带ESD保护元件的共模扼流圈101，不同点在于还具备输入输出端子P5、输入输出端子P6、输入输出端子P7、输入输出端子P8。换句话说，带ESD保护元件的共模扼流圈103是在共同的层叠体80内在基材层的长边方向上具备了左右对称的两个第一实施方式所示的带ESD保护元件的共模扼流圈的电路的构成。其他的构成与带ESD 保护元件的共模扼流圈101相同。

如图10所示，本实施方式的层叠体80在外表面具备输入输出端子P1、输入输出端子P2、输入输出端子P3、输入输出端子P4、输入输出端子P5、输入输出端子P6、输入输出端子P7、输入输出端子P8以及接地端子GND。

如上述那样，带ESD保护元件的共模扼流圈103是在共同的层叠体80内在基材层的长边方向上具备了左右对称的两个第一实施方式所示的带ESD保护元件的共模扼流圈的电路的构成。因此，如图12所示，第一线圈L1形成于输入输出端子P1与输入输出端子P3之间，第二线圈L2形成于输入输出端子P2与输入输出端子P4之间。另外，ESD保护元件Dg1在输入输出端子P1与输入输出端子P3之间形成于第一线圈L1的前段，ESD保护元件Dg2在输入输出端子P2与输入输出端子P4之间形成于第二线圈L2的前段。第三线圈L3形成于输入输出端子P5与输入输出端子P7之间，第四线圈L4形成于输入输出端子P6与输入输出端子P8之间。另外，ESD保护元件Dg5在输入输出端子P5与输入输出端子P7之间形成于第三线圈L3的前段，ESD保护元件Dg6在输入输出端子P6与输入输出端子P8之间形成于第四线圈L4的前段。

第三线圈L3以及第四线圈L4在阻止共模电流的方向上耦合而作为共模扼流圈发挥作用。

通过这样的构成，能够构成在层叠体80内具备了相互耦合的第一线圈L1以及第二线圈L2、相互耦合的第三线圈L3以及第四线圈L4、以及ESD保护元件的带ESD保护元件的共模扼流圈103。

《第四实施方式》

参照各图对第四实施方式所涉及的带ESD保护元件的共模扼流圈进行说明。图13是表示第四实施方式所涉及的带ESD保护元件的共模扼流圈104的各基材层的电极图案等的分解俯视图。图14是第四实施方式所涉及的带ESD保护元件的共模扼流圈104的电路图。

第四实施方式所涉及的带ESD保护元件的共模扼流圈104相对于第三实施方式所示的带ESD保护元件的共模扼流圈103，不同点在于：在 第一线圈L1的后段形成有ESD保护元件Dg3，在第二线圈L2的后段形成有ESD保护元件Dg4，在第三线圈L3的后段形成有ESD保护元件Dg7，在第四线圈L4的后段形成有ESD保护元件Dg8。其他的构成与带ESD保护元件的共模扼流圈103相同。换言之，可以说是在共同的层叠体80内在基材层的长边方向上具备左右对称的两个第二实施方式所示的带ESD保护元件的共模扼流圈的电路的构成。

以下，仅对与第三实施方式所涉及的带ESD保护元件的共模扼流圈103不同的部分进行说明。

在图13中，(9)～(11)示出基材层10i的构成。在基材层10i，在基材层的长边方向上左右对称地形成有放电辅助电极51、放电辅助电极52以及放电辅助电极53、放电辅助电极54。放电辅助电极51以及放电辅助电极53是与第三实施方式所涉及的带ESD保护元件的共模扼流圈103相同的构成。放电辅助电极52被形成为コ字(c字)状，放电辅助电极54被形成为コ字(c字)状。

并且，在基材层10i形成有接地电极31以及第一放电电极41、第二放电电极42、第三放电电极43、第四放电电极44、第五放电电极45、第六放电电极46、第七放电电极47、第八放电电极48。接地电极31是与带ESD保护元件的共模扼流圈103相同的构成。接地电极31具有在空洞部21内露出的部分、在空洞部22内露出的部分、在空洞部23内露出的部分、以及在空洞部24内露出的部分。

此外，本实施方式的接地电极31与第二实施方式相同地，在层叠了基材层10a～10j的状态下，与环状导体重叠的部分的线宽度比在空洞部21～24内露出的部分(图13中的(10)中的接地电极31的左右的中央部)的线宽度细。换言之，在从基材层的层叠方向观察时，接地电极31与第一线圈L1、第二线圈L2、第三线圈L3以及第四线圈L4重叠的部分的线宽度比在空洞部21～24内露出的部分的线宽度细。另一方面，在从基材层的层叠方向观察时，与第一放电电极41、第二放电电极42、第三放电电极43、第四放电电极44、第五放电电极45、第六放电电极46、第七放电电极47以及第八放电电极48在空洞部21～24内对置的部分的接地电极31同与第一线圈L1、第二线圈L2、第三线圈L3以及第四线圈L4重叠的部分相比，线宽度粗。

第一放电电极41、第二放电电极42、第五放电电极45、第六放电电极46是与带ESD保护元件的共模扼流圈103相同的构成。第三放电电极43从基材层的一个长边(图13中的上侧的长边)朝向基材层的中央附近形成。第三放电电极43的一端与输入输出端子P3连接，第三放电电极43的另一端在空洞部22内露出，具有在基材层的中心附近与接地电极31接近并对置的部分。第四放电电极44从基材层的一个长边(图13中的上侧的长边)朝向基材层的中央附近形成。第四放电电极44的一端与输入输出端子P4连接，第四放电电极44的另一端在空洞部22内露出，具有在基材层的中心附近与接地电极31接近并对置的部分。第七放电电极47从基材层的一个长边(图13中的上侧的长边)朝向基材层的中央附近形成。第七放电电极47的一端与输入输出端子P7连接，第七放电电极47的另一端在空洞部24内露出，具有在基材层的中心附近与接地电极31接近并对置的部分。第八放电电极48从基材层的一个长边(图13中的上侧的长边)朝向基材层的中央附近形成。第八放电电极48的一端与输入输出端子P8连接，第八放电电极48的另一端在空洞部24内露出，具有在基材层的中心附近与接地电极31接近并对置的部分。

并且，在基材层10i形成有矩形的空洞部21、矩形的空洞部22、矩形状的空洞部23、以及矩形状的空洞部24。

由空洞部22、在空洞部22内露出的第三放电电极43、在空洞部22内露出的接地电极31、以及放电辅助电极52构成ESD保护元件Dg3。由空洞部22、在空洞部22内露出的第四放电电极44、在空洞部22内露出的接地电极31、以及放电辅助电极52构成ESD保护元件Dg4。ESD保护元件Dg3以及ESD保护元件Dg4形成于共享的空洞部22内，使用共同的接地电极31来形成。

由空洞部24、在空洞部24内露出的第七放电电极47、在空洞部24内露出的接地电极31、以及放电辅助电极54构成ESD保护元件Dg7。由空洞部24、在空洞部24内露出的第八放电电极48、在空洞部24内露出的接地电极31、以及放电辅助电极54构成ESD保护元件Dg8。ESD保护元件Dg7以及ESD保护元件Dg8形成于共享的空洞部24内，使用共同的接地电极31来形成。

在本实施方式中，第三放电电极43以及第四放电电极44在基材层的短边方向上与第一放电电极41以及第二放电电极42上下对称地形成。第七放电电极47和第八放电电极48在基材层的短边方向上与第五放电电极45以及第六放电电极46上下对称地形成。带ESD保护元件的共模扼流圈104是ESD保护元件Dg1、ESD保护元件Dg2、ESD保护元件Dg5以及ESD保护元件Dg6同ESD保护元件Dg3、ESD保护元件Dg4、ESD保护元件Dg7以及ESD保护元件Dg8在基材层的短边方向上上下对称地形成的构成。

通过这样的构成，能够构成具备ESD保护元件Dg1、ESD保护元件Dg2、ESD保护元件Dg3、ESD保护元件Dg4、ESD保护元件Dg5、ESD保护元件Dg6、ESD保护元件Dg7、以及ESD保护元件Dg8的带ESD保护元件的共模扼流圈104。

《第五实施方式》

参照各图对第五实施方式所涉及的ESD保护元件进行说明。图15是表示第五实施方式所涉及的ESD保护元件的俯视透视图。

第五实施方式所涉及的ESD保护元件相对于图5所示的第一实施方式所示的ESD保护元件，不同点在于：在空洞部21内，在第一放电电极－接地电极间对置区域Deg1以及第二放电电极－接地电极间对置区域Deg2以外也形成有放电辅助电极51。其他的构成与第一实施方式所示的ESD保护元件相同。

此外，如图15所示，本实施方式中的放电辅助电极51不是至此为止所示的实施方式中的放电辅助电极那样的コ字(c字)状，而分成二个形成于基材层。即使是这样的构成，也如图15所示，第五实施方式所涉及的ESD保护元件在从基材层的层叠方向观察时，具备在空洞部21内不形成放电辅助电极51的非形成部500。放电辅助电极51被该非形成部500分隔成第一放电电极41侧和第二放电电极42侧。另外，放电辅助电极51与接地电极31、第一放电电极41、以及第二放电电极42接触，且形成于第一放电电极－接地电极间对置区域Deg1以及第二放电电极－接地电极间对置区域Deg2。像这样，放电辅助电极51的形状、配置、数量等能够在满足上述构成的范围内适当地变更。

在该构成中，在接地电极－第一放电电极间对置区域Deg1以及接地电极－第二放电电极间对置区域Deg2以外也形成有放电辅助电极51，所以与第一实施方式所涉及的ESD保护元件相比，与接地电极31以及第一放电电极41接触的放电辅助电极51的面积较大。

在ESD保护元件内，若一旦沿面放电沿着放电辅助电极产生，则其放电路径的绝缘电阻变高。因此，若与接地电极以及放电电极接触的放电辅助电极的面积较小，则ESD保护元件内的静电的放电路径变少，所以若反复进行静电的放电，则容易产生绝缘电阻劣化。与此相对，与第一实施方式所涉及的ESD保护元件相比，本实施方式中的放电辅助电极51的面积较大，所以较多地形成有静电的放电路径(参照图15的箭头)。因此，通过该构成，即使静电的放电反复产生，也难以产生绝缘电阻劣化，与第一实施方式所涉及的ESD保护元件相比，能够提高静电的放电的反复特性。

《第六实施方式》

参照各图对第六实施方式所涉及的ESD保护元件进行说明。图16是表示第六实施方式所涉及的ESD保护元件的俯视透视图。

第六实施方式所涉及的ESD保护元件相对于第一实施方式所示的ESD保护元件，不同点在于：仅在第一放电电极－第二放电电极间邻接区域Dee具备放电辅助电极51的非形成部500。其他的构成与第一实施方式所涉及的ESD保护元件相同。

如图16所示，本实施方式的ESD保护元件在第一放电电极－第二放电电极间邻接区域Dee具备不形成放电辅助电极51的非形成部500。而且，是非形成部500将第一放电电极－第二放电电极间邻接区域Dee的放电辅助电极51分隔成第一放电电极41侧和第二放电电极42侧的构成。

在该构成中，与第一实施方式所涉及的ESD保护元件不同，为放电辅助电极51与接地电极31、第一放电电极41以及第二放电电极42的任意一个均接触的构成。但是，第一放电电极－第二放电电极间邻接区域Dee的放电辅助电极51被非形成部500分隔成第一放电电极侧和 第二放电电极侧。因此，第一放电电极41与第二放电电极42之间的沿面距离(参照图16中的空心箭头)比第一放电电极41与接地电极31之间或者第二放电电极42与接地电极31之间的沿面距离(参照图16中的箭头)长。因此，与第一放电电极41与接地电极31之间或者第二放电电极42与接地电极31之间的沿面放电相比，抑制了第一放电电极41与第二放电电极42之间的沿面放电的产生。

因此，即使是这样的构成，也抑制了在空洞部内相互邻接配置的多个放电电极彼此之间的放电。即，能够防止进入至一方的传送线路的静电迁移到另一方的传送线路。

《第七实施方式》

参照各图对第七实施方式所涉及的ESD保护元件进行说明。图17是表示第七实施方式所涉及的ESD保护元件的俯视透视图。

第七实施方式所涉及的ESD保护元件相对于第六实施方式所示的ESD保护元件，不同点在于：放电辅助电极51至少比第一放电电极41以及第二放电电极42的在空洞部21内露出的部分的外缘形成得宽。其他的构成与第六实施方式所涉及的ESD保护元件相同。

按照上述，第七实施方式中的放电辅助电极51在从基材层的层叠方向观察时，至少比第一放电电极41以及第二放电电极42的在空洞部21内露出的部分的外缘形成得宽。

这样，若在从基材层的层叠方向观察时，放电辅助电极51比在空洞部21内露出的第一放电电极41以及第二放电电极42的外缘形成得宽，则即使在制造时产生堆叠偏差，也能够抑制ESD保护特性的差别。因此，能够提高受堆叠偏差影响的产品的合格率。

另外，本实施方式中的放电辅助电极51的面积与第六实施方式所涉及的ESD保护元件相同地与第一实施方式所涉及的ESD保护元件相比大，较多地形成有静电的放电路径(参照图17的箭头)。因此，通过该构成，即使静电的放电反复产生，也难以产生绝缘电阻劣化，与第一实施方式所涉及的ESD保护元件相比，能够提高静电的放电的反复特性。

此外，如图17所示，本实施方式所涉及的ESD保护元件与第六实施方式所涉及的ESD保护元件不同，不是在整个第一放电电极－第二放电电极间邻接区域Dee具备非形成部500的构成。

这样，本实施方式所涉及的ESD保护元件在从基材层的层叠方向观察时，在第一放电电极－第二放电电极间邻接区域Dee的至少一部分具备非形成部500。而且，是非形成部500至少将第一放电电极－第二放电电极间邻接区域Dee的放电辅助电极51分隔成第一放电电极41侧和第二放电电极42侧的构成。

在这样的构成中，也与第六实施方式所涉及的ESD保护元件相同地，抑制了在空洞部内相互邻接配置的多个放电电极彼此之间的放电。因此，能够防止进入至一方的传送线路的静电迁移到另一方的传送线路。

《其他的实施方式》

在上述的实施方式中，在放电辅助电极上分散地形成了Cu的金属粒子作为导电性粒子，但并不局限于该构成。放电辅助电极也可以由具有由以第一金属为主要成分的核心部和以包括第二金属的金属氧化物为主要成分的外壳部构成的核心－外壳构造的多个金属粒子的集合体构成。

核心－外壳构造通过对第一金属和第二金属的合金进行加热，使第二金属成分向合金粒子表面移动，来形成外壳部。构成合金的第一金属例如是Cu，第二金属例如是Al。在构成合金粉末的各合金粒子中，使第二金属朝向该合金粒子的表面移动而形成以第一金属为主要成分的核心部，在第二金属达到表面的时刻使第二金属氧化来形成以包括第二金属的金属氧化物为主要成分的外壳部。也可以通过这样的方法来形成由具有核心－外壳构造的多个金属粒子的集合体构成的放电辅助电极。

在上述的实施方式中，示出了带ESD保护元件的共模扼流圈的例子，但并不局限于共模扼流圈，也能够在层叠体80的内部形成其他的电子部件而形成与ESD保护元件一体的构造。

附图标记说明：P1、P2、P3、P4、P5、P6、P7、P8…输入输出端子；GND…接地端子；Cid…线圈开口内侧部；Dee…第一放电电极－第二放电电极间邻接区域；Deg1…第一放电电极－接地电极间对置区域；Deg2…第二放电电极－接地电极间对置区域；Dg1、Dg2、Dg3、Dg4、Dg5、Dg6、Dg7、Dg8…ESD保护元件；L1…第一线圈；L2…第二线圈；L3…第三线圈；L4…第四线圈；L1a、L1b、L1c、L1d、L1e、L1f、L1g…第一环状导体；L2a、L2b、L2c、L2d、L2e、L2f、L2g…第二环状导体；10a、10b、10c、10d、10e、10f、10g、10h、10i、10j…基材层；21、22、23、24…空洞部；31…接地电极；41…第一放电电极；42…第二放电电极；43…第三放电电极；44…第四放电电极；45…第五放电电极；46…第六放电电极；47…第七放电电极；48…第八放电电极；51、52、53、54…放电辅助电极；80…层叠体；101、102、103、104…带ESD保护元件的共模扼流圈；200…环状导体形成部；300…导电性粒子；500…非形成部。