技术总结
本发明的课题在于提供一种能够一边抑制界面层膜的氮化，一边促进高介电常数膜的氮化的热处理方法及热处理装置。将在硅基材上夹入界面层膜并成膜着高介电常数栅极绝缘膜的基板(W)收容在腔室(6)内。对腔室(6)供给氨气与氮气的混合气体而形成氨气氛围，在氨气氛围中从闪光灯(FL)以0.2毫秒以上且1秒以下的照射时间对基板(W)的表面照射闪光。由此，在氨气氛围中将高介电常数栅极绝缘膜加热而进行高介电常数栅极绝缘膜的氮化处理。另外，由于闪光照射时间极短，所以氮气不会到达形成在高介电常数栅极绝缘膜的底层的界面层膜而使其氮化。
技术研发人员：河原崎光;
受保护的技术使用者：株式会社思可林集团;
技术研发日：2016.01.05
技术公布日：2016.07.13