技术特征：
技术总结
本发明提供一种半导体器件的制作方法、半导体器件及电子装置，该制作方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有隧穿介电层、浮栅和栅极介电层；在所述栅极介电层上形成多晶硅盖层；在所述多晶硅盖层和所述栅极介电层中形成沟槽；对所述多晶硅盖层的表面和所述沟槽底部露出的浮栅的表面进行处理，以使所述多晶硅盖层和所述沟槽底部露出的浮栅的表面的氧化物转变为氟化物；去除所述多晶硅盖层和所述沟槽底部的浮栅的表面的氟化物；形成覆盖所述多晶硅盖层以及所述沟槽的控制栅。该方法可以避免在多晶硅盖层和控制之间形成界面层，防止快速存储器器件的高压区域由于界面层而导致擦除状态失败。该半导体器件和电子装置具有较高的稳定性。
技术研发人员：林静
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
技术研发日：2016.01.11
技术公布日：2017.07.21