包括半导体器件封装的电子设备的制作方法

将2017年11月16日在韩国知识产权局递交的题为“包括半导体器件封装的电子设备”的韩国专利申请no.10-2017-0153312的全部公开内容通过引用并入本文。

实施例涉及包括半导体器件封装的电子设备。

背景技术：

随着电子设备的小型化和高性能的要求，还需要电子设备中包括的半导体器件封装的薄化和高性能。

技术实现要素：

实施例涉及一种电子设备，包括：电路板；半导体器件封装，安装在电路板上，该半导体器件封装包括连接到电路板的封装衬底，并排地安装在封装衬底上的第一半导体器件和第二半导体器件，以及围绕第一半导体器件的侧壁和第二半导体器件的侧壁的模制件，该模制件不覆盖第一半导体器件的顶表面；以及散热结构，在半导体器件封装上，第一半导体器件的顶表面与散热结构接触。

实施例还涉及一种电子设备，包括：电路板；安装在所述电路板上的半导体器件封装；与所述半导体器件封装的上部接触的tim层；以及与所述tim层接触的散热结构。

所述半导体器件封装包括：连接到所述电路板的封装衬底；安装在所述封装衬底上的第一半导体器件，所述第一半导体器件与所述tim层接触；安装在所述封装衬底上的第二半导体器件，所述第二半导体器件在平行于所述电路板的第一横向方向上与所述第一半导体器件间隔开；以及覆盖所述第一半导体器件的侧壁和所述第二半导体器件的侧壁的模制件。

实施例还涉及一种电子设备，包括：

电路板，具有彼此分开的第一区域和第二区域；半导体器件封装，安装在所述电路板的所述第一区域上，所述半导体器件封装包括：封装衬底，并排地安装在所述封装衬底上的第一半导体器件和第二半导体器件，以及围绕所述第一半导体器件的侧壁和所述第二半导体器件的侧壁的模制件，所述模制件不覆盖所述第一半导体器件的顶表面；散热结构，所述半导体器件封装上，所述散热结构在所述电路板的所述第二区域上方延伸；以及热界面材料tim层，位于所述半导体器件封装与所述散热结构之间，所述第一半导体器件的顶表面与所述tim层接触。

附图说明

通过参考附图详细描述示例实施例，特征对于本领域技术人员将变得显而易见，在附图中：

图1示出了根据示例实施例的电子设备的分解透视图；

图2示出了根据示例实施例的电子设备中包括的电路板、半导体器件封装和散热结构的平面图；

图3示出了沿图2的线a-a截取的截面图。

图4示出了根据示例实施例的电子设备中包括的电路板、半导体器件封装和散热结构的截面图；

图5示出了根据示例实施例的电子设备中包括的电路板、半导体器件封装和散热结构的截面图；

图6示出了根据示例实施例的电子设备中包括的电路板、半导体器件封装和散热结构的截面图；

图7示出了根据示例实施例的电子设备中包括的电路板、半导体器件封装和散热结构的截面图；

图8示出了根据示例实施例的电子设备中包括的电路板、半导体器件封装和散热结构的截面图；

图9示出了根据示例实施例的电子设备中包括的电路板、半导体器件封装和散热结构的平面图；

图10示出了沿图9的线a-a截取的截面图。

图11示出了根据示例实施例的电子设备中包括的电路板、半导体器件封装和散热结构的截面图；

图12示出了根据示例实施例的包括半导体器件封装的电子设备的平面图；以及

图13示出了沿图12的线b-b’截取的截面图。

具体实施方式

本文中，电子设备可以指代包括半导体器件封装的任意设备。电子设备可以包括以下中一种或多种：例如，智能电话、平板个人计算机(pc)、移动电话、视频电话、电子书(e-book)阅读器、台式pc、膝上型pc、上网本计算机、工作站、服务器、个人数字助手(pda)、便携式多媒体播放器(pmp)、mpeg-1音频层3(mp3)播放器、移动医疗设备、相机、家用电器、医疗设备、物联网(iot)设备和可穿戴设备。可穿戴设备可以是配件类型、织物或服装类型、身体附着类型或可植入电路类型。配件型可穿戴设备可以是例如手表、戒指、手链、脚链、项链、眼镜、隐形眼镜或头戴式设备(hmd)。

下文中，将参考附图描述根据多种实施例的电子设备的示例。

图1是根据示例实施例的电子设备100的分解透视图。

参考图1，根据该实施例的电子设备100可以是例如智能电话。电子设备100可以包括前壳体110、支架120、电路板130、电池140和后壳体160。

前壳体110可以用作屏幕输出信息的输出端子以及可以通过使用触摸屏输入信息或命令的输入端子两者。前壳体110可以包括例如窗口部分和安装在窗口部分内的显示设备。可以在窗口部分和显示设备之间安装触摸面板。

支架120可以包括或耦接到各种电子组件。例如，其上安装有各种组件的电路板130和电池140可以耦接到支架120。为了高效地消散由电子组件产生的热量，支架120的至少一部分可以包括导热材料，例如金属。

电路板130可以是例如印刷电路板(pcb)或柔性印刷电路板(fpcb)。至少一个半导体器件封装170可以安装在电路板130上。

为了高效地消散由半导体器件封装170产生的热量，半导体器件封装170可以连接到散热结构180。散热结构180可以是具有传热功能的适当结构。例如，散热结构180可以包括散热板、散热片和屏蔽罩中的一个或多个。散热结构180可以防止半导体器件封装170产生的热量损坏半导体器件封装170和周围组件。

后壳体160可以保护电路板130和其他组件免受物理冲击。后壳体160可以与前壳体110和支架120一起形成电子设备100的外观。

图2是根据示例实施例的电子设备中包括的电路板130、半导体器件封装170和散热结构180的平面图。图3是沿图2的线a-a’截取的截面图。

参考图2和图3，安装在电路板130上的半导体器件封装170可以包括封装衬底171、第一半导体器件172、第二半导体器件173和模制件174。封装衬底171可以电连接到电路板130。封装衬底171可以是例如再分布层(rdl)、pcb或fpcb。连接构件175可用于将封装衬底171连接到电路板130。连接构件175可以包括导电材料，例如金属。例如，连接构件175可以包括焊料，铅(pb)、锡(sn)、银(ag)、金(au)、铜(cu)或铝(al)等中的一种或多种。连接构件175可以是例如焊料凸块、金(au)凸块或铜(cu)凸块。

第一半导体器件172和第二半导体器件173可以并排安装在封装衬底171上。第一半导体器件172和第二半导体器件173可以在与封装衬底171平行的横向方向x上彼此间隔开。因此，半导体器件封装170可以是并排型。

第二半导体器件173可以包括多个半导体芯片，例如四个半导体芯片173a至173d。半导体芯片173a至173d可以在与封装衬底171的主表面垂直的方向z上堆叠在封装衬底171上。虽然图2示出了第二半导体器件173包括四个半导体芯片的情况，但是第二半导体器件173中包括的半导体芯片的数量可以不同地改变。在示例实施例中，半导体芯片173a至173d可以通过穿硅通孔(tsv)176彼此连接。tsv176可以穿透半导体芯片173a至173d中的每个半导体芯片。tsv176可以包括金属和金属氮化物中的一种或多种。例如，tsv176可以包括钛(ti)、钽(ta)、铝(al)、金(au)、铜(cu)、镍(ni)、钨(w)、氮化钛(tin)和氮化钽(tan)中的一种或多种。在另一实施方式中，半导体芯片173a至173d可以通过使用引线接合方法彼此连接。

第一半导体器件172和第二半导体器件173中的每个都可以包括例如存储器半导体芯片或逻辑半导体芯片。例如，第一半导体器件172可以包括逻辑半导体芯片，第二半导体器件173可以包括存储器半导体芯片。当第二半导体器件173包括堆叠的半导体芯片173a至173d时，半导体芯片173a至173d中的每个都可以是存储器半导体芯片或逻辑半导体芯片。例如，半导体芯片173a至173d可以是存储器半导体芯片。包括在第二半导体器件173中的半导体芯片173a至173d可以是相同类型或不同类型。例如，第二半导体器件173的最下面的半导体芯片173a可以是逻辑半导体芯片，而第二半导体器件173的其他半导体芯片173b至173d可以是存储器半导体芯片。逻辑半导体芯片可以是例如应用处理器(ap)、中央处理单元(cpu)或控制器。存储器半导体芯片可以是例如动态随机存取存储器(dram)、静态ram(sram)、相变ram(pram)、磁性ram(mram)、电阻性ram(rram)、闪存或电可擦除可编程只读存储器(eeprom)。

在示例实施例中，第一半导体器件172产生的热量可以大于第二半导体器件173产生的热量。通常，逻辑半导体芯片产生的热量可以大于存储器半导体芯片产生的热量。因此，例如当第一半导体器件172包括逻辑半导体芯片并且第二半导体器件173包括存储器半导体芯片时，由第一半导体器件172产生的热量可以大于由第二半导体器件173产生的热量。

在示例实施例中，第二半导体器件173可以具有比第一半导体器件172更低的热阻抗或与其相比更易受热。通常，存储器半导体芯片可以具有较低的热阻抗或者可以比逻辑半导体芯片更容易受热。因此，例如当第一半导体器件172包括逻辑半导体芯片并且第二半导体器件173包括存储器半导体芯片时，第二半导体器件173可以具有比第一半导体器件172更低的热阻抗或与其相比更易受热。

在示例实施例中，第一半导体器件172在垂直方向z上的厚度t1可以大于第二半导体器件173在垂直方向z上的厚度t2。因此，与第二半导体器件173的顶端相比，第一半导体器件172的顶端可以相对于例如电路板130的上表面处于较高水平。当第二半导体器件173包括堆叠的半导体芯片173a至173d时，第二半导体器件173在垂直方向z上的厚度t2可以指半导体芯片173a至173d的总厚度。因此，第二半导体器件173在垂直方向z上的厚度t2可以指从最下面的半导体芯片173a的底端到最上面的半导体芯片173d的顶端在垂直方向z上的高度。第一半导体器件172在垂直方向z上的厚度t1可以大于所有半导体芯片173a至173d在垂直方向z上的厚度t2。因此，与第二半导体器件173的最上面的半导体芯片173d的顶端相比，第一半导体器件172的顶端可以处于较高水平位置。而且，每个半导体芯片173a至173d在垂直方向z上的厚度可以小于第一半导体器件172在垂直方向z上的厚度t1。

模制件174可以围绕第一半导体器件172的侧壁和第二半导体器件173的侧壁。模制件174可以保护第一半导体器件172和第二半导体器件173免受化学和物理环境的影响。模制件174可以包括例如热固性树脂、热塑性树脂或紫外(uv)固化树脂。模制件174可以包括例如环氧树脂，例如环氧树脂模塑化合物(emc)或硅树脂。

模制件174可以不覆盖第一半导体器件172的顶表面，以暴露出第一半导体器件172的顶表面。第一半导体器件172的暴露出的顶表面可以与散热结构180接触。

模制件174的热导率可以低于第一半导体器件172的热导率。因此，与模制件174覆盖第一半导体器件172的顶表面的情况相比，当模制件174不覆盖第一半导体器件172的顶表面时，由第一半导体器件172产生的热量可以更加高效地传递到散热结构180。另外，当模制件174不覆盖第一半导体器件172的顶表面时，可以减小半导体器件封装170的厚度。

根据示例实施例，模制件174可以覆盖第二半导体器件173的顶表面。因此，第二半导体器件173和散热结构180可以通过模制件174彼此间隔开。具有相对低的热导率的模制件174可以抑制由第一半导体器件172产生的热量通过与第一半导体器件172接触的散热结构180传递到第二半导体器件173。结果，可以保护可能具有比第一半导体器件172更低的热阻抗或者与其相比可能更易受热的第二半导体器件173免于例如因第一半导体器件172散发的热量而导致的热损坏。

散热结构180可以位于半导体器件封装170上。散热结构180可以与第一半导体器件172的顶表面接触。散热结构180可以不是半导体器件封装170的组件，而是电子设备100的组件(参见图1)。因此，散热结构180可以是设定水平的热辐射组件。

散热结构180可以是例如散热板、散热器或散热片中的一个或多个。散热结构180可以包括例如具有高热导率的材料，例如铜(cu)、镍(ni)、银(ag)、金(au)或铝(al)。在示例实施例中，散热结构180可以包括复合材料，该复合材料包括导热填料和聚合物。导热填料可以包括金属填料、陶瓷填料或碳填料中的一种或多种。金属填料可以包括例如铜(cu)、镍(ni)、银(ag)、金(au)或铝(al)中的一种或多种。陶瓷填料可以包括例如氮化铝(aln)、氧化铝(al2o3)、氮化硼(bn)、氧化铍(beo)或碳化硅(sic)中的一种或多种。碳填料可以包括例如石墨、碳纳米管(cnt)、碳纤维或石墨烯中的一种或多种。

虽然图2示出了散热结构180具有正方形形状的情况，但是考虑到热辐射性能和周围组件的布置，散热结构180的形状可以不同地改变。在示例实施例中，散热结构180在平行于电路板130的方向y上的最大长度l2可以大于半导体器件封装170在y方向上的最大长度l1。在示例实施例中，散热结构180的平面区域可以大于半导体器件封装170的平面区域。当散热结构180包括多个组件时，散热结构180的长度或平面区域可以指由构成散热结构180并且彼此热耦合的所有组件形成的整体外观的长度或平面区域。当散热结构180在一个方向上具有比半导体器件封装170更大的长度或者具有比半导体器件封装170更大的平面区域时，可以高效地消散由半导体器件封装170产生的热量。

根据示例实施例，散热结构180不包括在半导体器件封装170中。因此，可以减小半导体器件封装170的厚度，并且因此也可以减小电子设备100的厚度(参见图1)。设定水平的散热结构180可以与半导体器件封装170直接接触。因此，可以高效地消散由半导体器件封装170产生的热量。

根据示例实施例的半导体器件封装170可以是并排型，其中第一半导体器件172和第二半导体器件173在横向方向x上彼此间隔开。因此，与例如第一半导体器件172和第二半导体器件173在垂直方向z上堆叠的封装上封装堆叠(pop)类型相比，由第一半导体器件172和第二半导体器件173产生的热量可以更高效地传递到半导体器件封装170的外部。根据本示例实施例，与第二半导体器件173相比产生相对大量热量的第一半导体器件172与散热结构180接触。因此，由第一半导体器件172产生的热量可以被高效地传递到散热结构180。

图4是根据示例实施例的电子设备中包括的电路板130、半导体器件封装170和散热结构180的截面图。在下文中，将描述本示例实施例与图3中示出的实施例之间的区别。

参考图4，除了图3中所示的电子设备的组件之外，根据本示例实施例的电子设备还可以包括位于半导体器件封装170上的热界面材料(tim)层190。tim层190可以在半导体器件封装170和散热结构180之间并且与半导体器件封装170和散热结构180接触。在示例实施例中，如图4所示，tim层190可以在模制件174的位于第二半导体器件173上的部分上方延伸。在另一实施方式中，tim层190可以不在模制件174的位于第二半导体器件173上的部分上方延伸。例如，可以在模制件174的位于第二半导体器件173上的部分与散热结构180之间形成气隙。

tim层190可以加强与tim层190接触的两个组件之间的热耦合，并且促进这两个组件之间的热传递。因此，tim层190可以加强半导体器件封装170和散热结构180之间的热耦合。例如，第一半导体器件172的顶表面可以与tim层190接触，并且tim层190可以与散热结构180接触，使得由第一半导体器件172产生的热量可以被高效地传递到散热结构180。

tim层190可以包括例如导热脂、导热反应性化合物、导热弹性体或导热胶带中的一种或多种。

图5是根据示例实施例的电子设备中包括的电路板130、半导体器件封装170和散热结构180的截面图。在下文中，将描述本示例实施例与图3中示出的实施例之间的区别。

参考图5，第一半导体器件172在垂直方向z上的厚度t1可以基本上等于第二半导体器件173在垂直方向z上的厚度t2。因此，第一半导体器件172的顶端可以与第二半导体器件173的顶端处于基本相同的水平。当第二半导体器件173包括多个堆叠的半导体芯片(例如，堆叠的半导体芯片173a至173d)时，第一半导体器件172的顶端可以与第二半导体器件173的最上面的半导体芯片173d的顶端处于基本相同的水平。

模制件174可以不覆盖而是暴露出第二半导体器件173的顶表面。第二半导体器件173可以与散热结构180接触。因此，由第二半导体器件173产生的热量可以被高效地传递到散热结构180。当第二半导体器件173包括多个堆叠的半导体芯片(例如，堆叠的半导体芯片173a至173d)时，第二半导体器件173的最上面的半导体芯片173d的顶表面可以不被模制件174覆盖，而是可以与散热结构180接触。

图6是根据示例实施例的电子设备中包括的电路板130、半导体器件封装170和散热结构180的截面图。在下文中，将描述本示例实施例与图5中示出的实施例之间的区别。

参考图6，除了图5中所示的电子设备的组件之外，根据本示例实施例的电子设备还可以包括tim层190。tim层190可以与半导体器件封装170的上部接触。tim层190可以与半导体器件封装170的第一半导体器件172和第二半导体器件173接触。因此，可以通过tim层190将第一半导体器件172产生的热量以及第二半导体器件173产生的热量高效地传递到散热结构180。

图7是根据示例实施例的电子设备中包括的电路板130、半导体器件封装170和散热结构180的截面图。在下文中，将描述本示例实施例与图6中示出的实施例之间的区别。

参考图7，第一半导体器件172的顶表面可以被tim层190覆盖，而第二半导体器件173的顶表面可以不被tim层190覆盖。因此，tim层190可以与散热结构180和第一半导体器件172接触，但是可以不与第二半导体器件173接触。当tim层190位于第一半导体器件172和散热结构180之间时，由第一半导体器件172产生的热量可以被高效地传递到散热结构180。相反，第二半导体器件173和散热结构180可以彼此间隔开，并且在第二半导体器件173和散热结构180之间可以存在气隙。在另一实施方式中，绝热材料可以在第二半导体器件173和散热结构180之间。由于存在气隙或绝热材料，可以抑制第二半导体器件173和散热结构180之间的热传递。因此，可以防止由第一半导体器件172散发的热量通过散热结构180传递到第二半导体器件173，该第二半导体器件173可能容易受热。因此，可以保护第二半导体器件173。

图8是根据示例实施例的电子设备中包括的电路板130、半导体器件封装170和散热结构180的截面图。在下文中，将描述本示例实施例与图3中示出的实施例之间的区别。

参考图8，散热结构180可以是例如屏蔽罩。散热结构180不仅可以覆盖半导体器件封装170的顶表面，还可以围绕半导体器件封装170的侧壁。散热结构180不仅可以执行散热功能，还可以执行例如电磁干扰(emi)屏蔽功能。散热结构180可以包括例如具有优异的导热性和导电性的金属(例如，铜(cu)、镍(ni)或铝(al))。

图8示出了第二半导体器件173的顶表面被模制件174覆盖的情况。在另一实施方式中，第二半导体器件173的顶表面可以不像第一半导体器件172的顶表面一样被模制件174覆盖。在一个实施方式中，第二半导体器件173的顶表面可以与散热结构180接触。在其他实施方式中，为了加强半导体器件封装170和散热结构180之间的热耦合，tim层190(参考图4、图6和图7)可以在半导体器件封装170和散热结构180之间。

图9是根据示例实施例的电子设备中包括的电路板130、半导体器件封装170和散热结构180的平面图。图10是沿图9的线a-a’截取的截面图。在下文中，将描述本示例实施例与图2和图3中示出的实施例之间的区别。

参考图9和图10，电路板130可以具有第一区域130a和第二区域130b，它们可以彼此分开。被配置为产生相对大量热量的电子组件可以安装在电路板130的第一区域130a上。例如，半导体器件封装170可以安装在第一区域130a上。相反，被配置为产生相对少量热量的电子组件可以安装在电路板130的第二区域130b上，或者可以不在其上安装任何电子组件。因此，在电子设备的操作期间，第一区域130a的温度可能高于第二区域130b的温度。位于半导体器件封装170上的散热结构180可以跨越作为相对高温区域的第一区域130a延伸到作为相对低温区域的第二区域130b。

散热结构180可以包括例如吸热器181和传热器182。如图10所示，吸热器181和传热器182可以是两个独立的物体。在另一实施方式中，吸热器181和传热器182可以形成为一个整体。

吸热器181可以具有被配置为吸收由半导体器件封装170产生的热量并将热量传递到传热器182的结构或形状。吸热器181可以与半导体器件封装170的顶表面接触。吸热器181可以与第一半导体器件172的顶表面接触。尽管图9和图10示出了吸热器181的平面区域大于半导体器件封装170的平面区域的情况，但是在一些情况下，吸热器181的平面区域可以等于或小于半导体器件封装170的平面区域。吸热器181可以包括例如具有良好导热性的金属(例如，铜(cu)或铝(al)中的一种或多种)。

传热器182可以与吸热器181接触并从吸热器181接收热量。例如，传热器182可以位于吸热器181上。传热器182可以将由第一区域130a产生的热量传送到第二区域130b，该第二区域130b是相对低温区域。传热器182可以是例如热导管。热导管中可以包括流体，使得可以例如通过使用流体的相变能量来传递热量。散热结构180在平行于电路板130的y方向上的最大长度l4(即，传热器182在y方向上的最大长度)可以大于半导体器件封装170在y方向上的最大长度l3。因此，由半导体器件封装170产生的热量可以传递到远离半导体器件封装170的区域(例如，第二区域130b)，从而可以高效地散热。

虽然图10示出了第二半导体器件173的顶表面被模制件174覆盖的情况，但是在一些实施例中，第二半导体器件173的顶表面可以不像第一半导体器件172的顶表面一样被模制件174覆盖。在另一实施方式中，第二半导体器件173的顶表面可以与吸热器181接触。

图11是根据示例实施例的电子设备中包括的电路板130、半导体器件封装170和散热结构180的截面图。在下文中，将描述本示例实施例与图9和图10中示出的实施例之间的区别。

参考图11，除了图9中所示的电子设备的组件之外，根据本示例实施例的电子设备还可以包括第一tim层191和第二tim层192中的一个或多个。

第一tim层191可以在半导体器件封装170和吸热器181之间，以加强半导体器件封装170和吸热器181之间的热耦合。第二tim层192可以在吸热器181和传热器182之间，以加强吸热器181和传热器182之间的热耦合。

虽然图11示出了第二半导体器件173的顶表面被模制件174覆盖的情况，但是在一些实施例中，第二半导体器件173的顶表面可以不像第一半导体器件172的顶表面一样被模制件174覆盖。在一些情况下，第二半导体器件173的顶表面可以或可以不与第一tim层191接触。

根据本示例实施例的电子设备还可以包括第一tim层191和第二tim层192中的一个或多个，使得由半导体器件封装170产生的热量可以被高效地传递到传热器182。

图12是根据示例实施例的包括半导体器件封装的电子设备200的平面图。图13是沿图12的b-b’线的剖视图。

参考图12和图13，电子设备200可以是例如可穿戴设备，例如智能手表。电子设备200可以包括外壳220、显示器210、穿戴部分290、其上安装有半导体器件封装170的电路板130、以及散热结构180。

外壳220可以包括各种电子组件，包括电路板130和安装在电路板130上的半导体器件封装170。穿戴部分290可以连接到外壳220的两侧。穿戴部分290可以将电子设备200固定到人体的部位(例如，手腕)。显示器210可以安装在外壳220的上部。屏幕可以通过使用显示器210输出信息，并且可以通过使用触摸屏输入信息或命令。显示器210、外壳220和穿戴部分290可以形成电子设备200的外观。

电路板130可以位于外壳220中，并且至少一个半导体器件封装170可以安装在电路板130上。被配置为消散由半导体器件封装170产生的热量的散热结构180可以位于半导体器件封装170上。

电路板130、半导体器件封装170和散热结构180的详细描述可以与参考图3至图8、图10和图11提供的描述相同。因此，图13的区域c的放大视图可以与图3至图8、图10或图11中相同。

在实施方式中，散热结构180可以延伸超过外壳220和/或延伸到穿戴部分290中。在这种情况下，由于散热结构180的长度较长，散热结构180的散热性能可以得到提高。根据示例实施例，穿戴部分290可以包括在散热结构180的一部分中。例如，流体可以包括在穿戴部分290中。通过使用流体的相变，穿戴部分290可以用作散热结构180的一部分。例如，散热结构180的一部分可以位于外壳220中并且与半导体器件封装170接触，并且散热结构180的另一部分可以与穿戴部分290接触或插入其一端。

根据示例实施例，电子设备200可以防止穿戴者的身体因在电子设备200的操作期间产生的热量而受到损害，并且可以具有较小的厚度。

通过总结和回顾，在减小尺寸、增加功能等的同时，可能会增加由半导体器件封装产生的热量。当未高效地消散所产生的热量时，半导体器件封装及其周围的电子组件可能会损坏。因此，期望包括半导体器件封装的电子设备高效地消散由半导体器件封装产生的热量并具有较小的厚度。

如上所述，实施例可以提供包括半导体器件封装的电子设备，其可以高效地消散由半导体器件封装产生的热量并且具有较小的厚度。

本文已经公开了示例实施例，并且尽管采用了特定术语，但是它们仅用于且将被解释为一般的描述性意义，而不是为了限制的目的。在一些情况下，如提交本申请的本领域普通技术人员应认识到，除非另有明确说明，否则结合特定实施例描述的特征、特性和/或元件可以单独使用或与其他实施例描述的特征、特性和/或元件相结合使用。因此，本领域技术人员将理解，在不脱离如所附权利要求中阐述的本发明的精神和范围的前提下，可以进行形式和细节上的各种改变。