1.一种具热感测功能的功率金氧半晶体管晶粒，其特征在于，包括：
一控制端、一相位端、一接地端以及一热信号输出端；
一开关部，具有：
一第一电极，耦接所述控制端；
一第二电极，耦接所述接地端；以及
一第三电极，耦接所述相位端；以及
一温度感测部，具有：
一第一电极；
一第二电极，耦接所述热信号输出端；以及
一第三电极，耦接所述开关部的所述第三电极；
其中所述开关部与所述温度感测部为相同制程所制造的金氧半晶体管。
2.根据权利要求1所述的功率金氧半晶体管晶粒，其特征在于，所述温度感测部的所述第一电极与所述第二电极两者耦接至所述热信号输出端。
3.根据权利要求1所述的功率金氧半晶体管晶粒，其特征在于，所述温度感测部的所述第一电极耦接所述开关部的所述第二电极。
4.根据权利要求1所述的功率金氧半晶体管晶粒，其特征在于，当所述热信号输出端上的电压大于所述相位端上的电压时，进行所述热感测功能。
5.根据权利要求1所述的功率金氧半晶体管晶粒，其特征在于，所述功率金氧半晶体管晶粒被配置作为一功率转换电路的下桥开关。
6.一种具热感测功能的集成电路，其特征在于，包括：
一功率金氧半晶体管晶粒，包括：
一控制端、一相位端、一接地端以及一热信号输出端；
一开关部，具有：一第一电极，耦接所述控制端；一第二电极，耦接所述接地端；以及一第三电极，耦接所述相位端；以及
一温度感测部，具有：一第一电极；一第二电极，耦接所述热信号输出端；以及一第三电极，耦接所述开关部的所述第三电极；
其中所述开关部与所述温度感测部为相同制程所制造的金氧半晶体管；以及
一控制器晶粒，包括：
一位准偏移器，耦接所述相位端，用以转换来自所述相位端的信号；
一第一比较器，其第一输入端耦接所述位准偏移器的输出端，其第二输入端耦接所述热信号输出端；以及
一开关，其一端耦接所述第一比较器的输出端，所述开关的另一端用于输出一温度保护信号；
其中所述控制器晶粒的所述开关与所述功率金氧半晶体管晶粒的所述控制端的导通时间同步。
7.根据权利要求6所述的集成电路，其特征在于，所述位准偏移器包括：
一第一定电流源，耦接所述第一比较器的所述第一输入端；
一第二定电流源，耦接所述热信号输出端与所述第一比较器的所述第二输入端；以及
一第一电阻，其一端耦接所述第一比较器的所述第一输入端，且另一端耦接所述相位端。
8.一种具热感测功能的集成电路，其特征在于，包括：
一功率金氧半晶体管晶粒，包括：
一控制端、一相位端、一接地端以及一热信号输出端；
一开关部，具有：一第一电极，耦接所述控制端；一第二电极，耦接所述接地端；以及一第三电极，耦接所述相位端；以及
一温度感测部，具有：一第一电极；一第二电极，耦接所述热信号输出端；以及一第三电极，耦接所述开关部的所述第三电极；
其中所述开关部与所述温度感测部为相同制程所制造的金氧半晶体管；以及
一控制器晶粒，包括：
一位准偏移器，用以转换来自所述相位端与所述热信号输出端的信号，具有：
一第一端，耦接所述相位端；
一第二端，耦接所述热信号输出端；
一输出端；以及
一接地端；以及
一开关，其一端耦接所述位准偏移器的所述输出端，另一端用于输出一 温度监控信号；
其中所述控制器晶粒的所述开关与所述功率金氧半晶体管晶粒的所述控制端的导通时间同步。
9.根据权利要求8所述的集成电路，其特征在于，所述位准偏移器还包括：
一第三定电流源，其一端耦接所述热信号输出端；
一第二比较器，其第一输入端耦接所述热信号输出端；
一第二电阻，其一端耦接所述第二比较器的第二输入端，另一端耦接所述相位端；
一N型金氧半晶体管，其栅极耦接所述第二比较器的输出端，其源极耦接所述第二比较器的第二输入端；
一电流镜，耦接至所述N型金氧半晶体管的漏极及所述开关的所述一端；以及
一第三电阻，耦接所述开关的所述一端与所述接地端之间。