技术总结
本发明提供一种TFT基板的制作方法及制得的TFT基板。本发明的TFT基板的制作方法，通过在TFT中设置第一、第二轻掺杂补偿区，可降低TFT的关态电流；同时采用第一栅极与第二栅极组成双栅极结构，减小第一、第二轻掺杂补偿区对TFT开态电流的影响，所述第一栅极与第二栅极相连，由同一个栅极电压控制，不需要额外的电压信号；制程简单，生产成本低，制得的TFT基板具有较好的电学性能。本发明制得的TFT基板，采用轻掺杂补偿结构来降低TFT的关态电流，采用双栅极结构来降低轻掺杂补偿结构对TFT开态电流的影响，结构简单，且电学性能优异。
技术研发人员：迟世鹏
受保护的技术使用者：深圳市华星光电技术有限公司
技术研发日：2016.03.23
技术公布日：2019.02.01