一种三线制LVDT的绕线工艺的制造方法与工艺

本发明涉及位移传感器技术领域，具体涉及一种三线制LVDT的绕线工艺。

背景技术：
位移传感器又称为线性传感器，是一种属于金属感应的线性器件，传感器的作用是把各种被测物理量转换为电量。常见的有三线制LVRTGE、肋板式三线制LVDT，但是这两种类型的唯一传感器由于磁场不均匀，外形尺寸都很长，如日本LS系列的产品，其外形与美国GE产品一样，例如日本LS-300的外形尺寸为φ32x686mm，美国GE-6(LVRT)的外形尺寸为φ32x685.8mm(即27英寸)，线性度可达0.2％，但温度系数为0.03％/F.S/℃。又如层绕式三线制LVDT，无锡市河埒传感器有限公司TD-1系列产品线性度为0.5％，温度系数0.03％/F.S/℃，外形尺寸则相对较短。因此迫切需求一种既具有较短的外形尺寸，也同时拥有较小线性度的三线制LVDT的绕线工艺，以满足使用需求。

技术实现要素：
为了解决现有技术中所存在的不足，本发明提出一种三线制LVDT的绕线工艺。一种三线制LVDT的绕线工艺，所述工艺步骤如下：第一步：次级Ⅰ绕线：绕线从中点即230mm处开始，次级Ⅰ向右密绕2层，每层662.8圈，间距为0.346mm；第3层为间绕A，密绕331.4圈，间距为0.346mm，间绕A；第4层间绕A，拉出一根引出线，与左半边第5层开始线在外部...