技术领域本发明涉及太赫兹技术领域，特别涉及一种通过静电驱动进行调节的太赫兹带通滤波器。
背景技术：
太赫兹波(Terahertz，简称THz)是指在微波和红外光谱之间，频率范围为0.1THz到10THz的电磁波(1THz＝1012Hz),在电磁波谱上位于超高频率微波到远红外辐射之间的特殊区域。太赫兹波具有安全性好(不会产生电离)、穿透性强和物质识别的指纹谱特征等优点，广泛用于机场、海关安监、生物医学和工业无损检测等重要领域。太赫兹技术应用中的关键技术之一是如何操控太赫兹波。实际应用中，由于环境噪声以及应用需要的限制等，需滤除不需要的频率范围和噪声，以提高系统的性能，如:很多结构复杂的高分子化学品，生物医学制品，在某些特定波段具有指纹式的特征谱线，当待检物质组分复杂，对太赫兹波吸收强度不一的情况下，用太赫兹滤波器来祛除不需要的杂质信号。因而，太赫兹滤波器成为太赫兹技术广泛应用中的重要元件。目前，已陆续推出多种不同的太赫兹滤波器。已经商业化的太赫兹带通滤波器绝大部分都是采用金属网栅结构，这类滤波器制作完成后，只能针对特定的太赫兹波频率具有透过性，而且中心频率位置及其透过率都不可调节，大大限制了器件的可适用范围。
技术实现要素：
本发明的目的是针对现有技术的不足，提出一种通过静电驱动进行调节的太赫兹带通滤波器，其阵列中的U形结构或胖T形结构经可动框架与静电梳齿驱动器连接，通过静电驱动U形结构和胖T形结构相对运动，不仅能够对太赫兹带通滤波器的中心频率位置进行调节，而且能够对中心频率处太赫兹波的透过率进行调节，从而大大拓展太赫兹滤波器的可适用范围。本发明为解决上述技术问题所采用的技术方案是设计一种通过静电驱动进行调节的太赫兹带通滤波器，主要包括硅基底和其上的二维阵列，所述二维阵列中的一个阵列单元包括一个U形结构和一个胖T形结构，胖T形结构下方的竖直部分嵌入U形结构内，二者的纵向中心线重合。U形结构和胖T形结构均为硅主体，顶面均为金属层。多个阵列单元构成二维阵列，二维阵列的边长为入射太赫兹波束的直径1.0～1.5倍。硅基底有通孔，通孔的中心与阵列的中心重合，通孔的最大线径小于或等于二维阵列的最大边长。太赫兹波从二维阵列上方进入，穿过二维阵列得到滤波，从通孔射出。本发明的太赫兹带通滤波器在硅基底上还有一个可动框架和多个静电梳齿驱动器。可动框架为矩形框架，套在二维阵列外围，多个静电梳齿驱动器对称地固定安装于可动框架左右两侧外的硅基底上，静电梳齿驱动器的固定梳齿和活动梳齿交错排列，固定梳齿连接A锚点；活动梳齿经弹簧与B锚点相连接。在固定梳齿和活动梳齿之间施加直流驱动电压时，活动梳齿将移动。静电梳齿驱动器的活动梳齿与相邻的可动框架外侧相连接。静电梳齿驱动器的活动梳齿在直流电压驱动下移动时带动可动框架移动。可动框架的前、后侧各连接折叠弹簧一端，折叠弹簧另一端连接C锚点。所述二维阵列同一行中每个阵列单元的胖T形结构的T形上方的横向部分相互连接，左右两端的胖T形结构横向部分的外端连接D锚点。二维阵列同一行中相邻阵列单元的U形结构相互连接，左右两端U形结构的外端连接可动框架内侧。或者，所述二维阵列同一行中每个阵列单元的胖T形结构的T形上方的横向部分相互连接，左右两端的胖T形结构横向部分的外端连接可动框架内侧；二维阵列同一行中相邻阵列单元的U形结构相互连接，左右两端U形结构的外端连接D锚点。A、B、C和D锚点与硅基底固定连接，且与硅基底之间有绝缘层。静电梳齿驱动器驱动可动框架移动，可动框架带动U形结构或者胖T形结构运动，改变U形结构和胖T形结构之间的间距，从而调节控制本带通滤波器的透过率和中心频率。所述U形结构和胖T形结构顶面的金属层为金层、银层、铜层和铝层中的任一种，厚度为0.05～0.8微米。所述绝缘层为氧化铝层或者氧化硅层，厚度为0.5～2微米。所述的U形结构、胖T形结构、可动框架、静电梳齿驱动器、折叠弹簧的材料均为硅，厚度相同、为10～100微米。所述二维阵列每个阵列单元的边长为100～300微米。所述每个阵列单元中的U形结构的线宽度为6～30微米，胖T形结构水平部分线宽度为6～20微米，竖直部分线宽度为40～240微米。所述胖T形结构竖直部分底端与U形结构内底之间的距离为二者的下间距d，二者的最小初始下间距，即d的最小值为3～10微米，所述胖T形结构水平部分下侧与U形结构竖直部分顶端之间的距离为二者的上间距d’，d’的最小值为5～12微米；U形结构底部与相邻的下一行的胖T形结构顶部之间的距离为阵列的行间距，行间距的最小值为3～10微米；胖T形结构竖直部分的两侧与U形结构的内侧的距离均为3～10微米。当下间距d为最小值时可动框架前、后侧的折叠弹簧均为初始状态。下间距d为最小值时，上间距d’也为最小值，行间距为最大值；下间距d为最大值时，d’也为最大值，行间距为最小值。所述与可动框架前、后侧相连接的折叠弹簧为2～8个，它们的安装位置以可动框架中心为对称，折叠弹簧线宽度为2～8微米。所述可动框架的线宽度为3～12微米。所述的静电梳齿驱动器的固定梳齿和活动梳齿的数量各为5～50，梳齿长度为20～200微米，宽度为3～10微米，相邻梳齿的间距为3～8微米。与现有技术相比，本发明一种通过静电驱动进行调节的太赫兹带通滤波器的优点为：静电梳齿驱动器驱动可动框架，带动胖T形结构或U形结构运动，改变胖T形结构和U形结构之间的间距，从而实现了太赫兹带通滤波器中心频率和透过率的动态调节控制，显著提高了太赫兹带通滤波器的性能，并拓展其应用范围。附图说明图1本通过静电驱动进行调节的太赫兹带通滤波器实施例结构俯视图；图2图1中A-A向剖视图；图3为图1中一个阵列单元结构的俯视示意图；图4为图3中B-B剖视图。图中：1、硅基底，2、U形结构，3、胖T形结构，4、可动框架，5、折叠弹簧，6、静电梳齿驱动器，7、D锚点，8、B锚点，9、A锚点，10、C锚点，11、绝缘层，12、金属层，13、通孔。具体实施方式下面结合附图和具体实施例详细介绍本发明一种通过静电驱动进行调节的太赫兹带通滤波器。本通过静电驱动进行调节的太赫兹带通滤波器实施例如图1和2所示，硅基底1上有二维阵列，一个可动框架4和多个静电梳齿驱动器6。本例二维阵列共有9×6个阵列单元，边长为1620微米×1100微米。本例入射太赫兹波束的直径1100微米本例硅基底1有正方形通孔，通孔13的中心与二维阵列的中心重合，通孔13的边长为1.1毫米。太赫兹波从二维阵列上方进入，穿过二维阵列得到滤波，从通孔13射出，一个阵列单元的结构如图3和4所示，每个单元尺寸为180微米×180微米。包括一个U形结构2和一个胖T形结构3，本例U形结构2竖直部分的线宽度为20微米，高度为100微米，水平底部的线宽度为40微米，长度为180微米；胖T形结构3水平部分的线宽度为26微米，长度为180微米；竖直部分的线宽度为130微米，高度为130微米。本例U形结构2和胖T形结构3硅主体的厚度为25微米，顶面厚度0.5微米的金属层12为金层。胖T形结构3下方的竖直部分嵌入U形结构2内，二者的纵向中心线重合。本例胖T形结构3竖直部分底端与U形结构2内底之间的距离为下间距d，d的最小值，即最小初始内间距为4微米。本例胖T形结构3水平部分下侧与U形结构2竖直部分顶端之间的距离为二者的上间距d’，d’的最小值为6微米；U形结构2底部与相邻的下一行的胖T形结构3顶部之间的距离为阵列的行间距，行间距的最小值为5微米。胖T形结构3竖直部分的两侧与U形结构2的内侧的距离均为5微米，d为最小值时可动框架4前、后侧的折叠弹簧5均为不受力的初始状态。可动框架4为矩形框架，套在二维阵列外围，可动框架4左、右两侧外各有4个静电梳齿驱动器6对称地固定安装于硅基底1上。静电梳齿驱动器6的固定梳齿连接A锚点9；活动梳齿经弹簧与B锚点8相连接。静电梳齿驱动器6的活动梳齿与相邻的可动框架4外侧相连接。可动框架4的前、后侧各连接2个折叠弹簧5一端，折叠弹簧5另一端连接C锚点10。4个折叠弹簧5的安装位置以可动框架4中心为对称。本例的折叠弹簧5为弓形折叠弹簧。本例二维阵列同一行中每个阵列单元的胖T形结构3的T形上方的横向部分相互连接，左右两端的胖T形结构3横向部分的外端连接D锚点7。二维阵列同一行中相邻阵列单元的U形结构2相互连接，左右两端U形结构2的外端连接可动框架4内侧。本例A锚点9、B锚点8、C锚点10和D锚点7与硅基底1固定连接，且与硅基底1之间有厚度1微米的氧化铝绝缘层11，各锚点宽度为20微米。本例可动框架4、静电梳齿驱动器6、折叠弹簧4的材料都为硅，厚度为25微米。本例可动框架4的线宽度为6微米。本例折叠弹簧5的线宽度为3微米。本例八个静电梳齿驱动器6相同，固定梳齿和活动梳齿的数量各为25，梳齿长度为30微米，宽度为3微米，相邻梳齿的间距为4微米。本例只要在A锚点9和B锚点8之间施加一个直流驱动电压，就可以驱动各静电梳齿驱动器6工作，驱动可动框架4移动，可动框架4带动U形结构2运动，调整U形结构2与胖T形结构3之间的间距，从而实现对本带通滤波器中心频率位置和透过率的动态调节。实际应用中为了降低驱动电压，可以通过增加可动框架4两侧静电梳齿驱动器6的数量，或者增加每个静电梳齿驱动器6的梳齿数量来实现。上述实施例，仅为对本发明的目的、技术方案和有益效果进一步详细说明的具体个例，本发明并非限定于此。凡在本发明的公开的范围之内所做的任何修改、等同替换、改进等，均包含在本发明的保护范围之内。