1.一种固态成像设备的制造方法，其特征在于，该制造方法包括：
在基板上形成第一晶体管的第一栅电极和与第一晶体管相邻的第二晶体管的第二栅电极；
形成覆盖第一栅电极和第二栅电极的绝缘体膜，使得在第一栅电极与第二栅电极之间形成空隙；
在绝缘体膜上形成膜；以及
通过经由蚀刻去除所述膜的一部分来形成遮光构件，所述一部分位于空隙之上，其中绝缘体膜介于所述膜与空隙之间。
2.如权利要求1所述的固态成像设备的制造方法，
其中，第一栅电极、绝缘体膜和变成遮光构件的所述膜在基板上堆叠的方向被定义为第一方向，并且绝缘体膜被形成为满足下面的式子：
a×b×d1≤t，
其中a表示绝缘体膜的蚀刻时间与变成遮光构件的所述膜的蚀刻时间的比值，b表示绝缘体膜与变成遮光构件的所述膜的蚀刻选择比，t表示绝缘体膜在第一方向上的膜厚度，并且d1表示遮光构件在第一方向上的膜厚度。
3.如权利要求1所述的固态成像设备的制造方法，还包括：
形成覆盖遮光构件、第一栅电极和第二栅电极的层间绝缘膜；
形成穿透层间绝缘膜和绝缘体膜并连接到第一晶体管和第二晶体管中的任一个的接触插塞；以及
在层间绝缘膜上形成连接到接触插塞的布线。
4.如权利要求3所述的固态成像设备的制造方法，其中，与遮光构件隔开地形成接触插塞。
5.如权利要求3所述的固态成像设备的制造方法，
其中，在由第一晶体管和第二晶体管共享的杂质区域之上形成所述空隙，并且
其中，在形成接触插塞的步骤中，不在所述杂质区域之上形成接触插塞。
6.如权利要求1所述的固态成像设备的制造方法，其中，在由第一晶体管和第二晶体管共享的杂质区域之上形成所述空隙。
7.如权利要求1所述的固态成像设备的制造方法，其中，像素电路包括第一晶体管和第二晶体管。
8.如权利要求7所述的固态成像设备的制造方法，
其中，第一栅电极和第二栅电极是以下晶体管中的任何两个晶体管的栅电极：
将电荷从光电转换单元传送到电荷保持单元的第一传送晶体管，
将电荷从电荷保持单元传送到电荷-电压转换单元的第二传送晶体管，
使电荷-电压转换单元的电位复位的复位晶体管，
输出与电荷-电压转换单元的电位对应的信号的放大器晶体管，以及
选择放大器晶体管的选择晶体管，并且
其中，电荷保持单元被遮光构件覆盖。
9.如权利要求8所述的固态成像设备的制造方法，其中，第一栅电极和第二栅电极分别是放大器晶体管的栅电极和选择晶体管的栅电极中的一个以及放大器晶体管的栅电极和选择晶体管的栅电极中的另一个。
10.如权利要求1所述的固态成像设备的制造方法，其中，形成所述膜的步骤是在绝缘体膜的表面由于第一栅电极和第二栅电极而具有水平差异时执行的。
11.如权利要求1所述的固态成像设备的制造方法，还包括：
在形成第一栅电极和第二栅电极之后并且在形成绝缘体膜之前，
形成覆盖第一栅电极和第二栅电极的电介质膜；以及
通过回蚀电介质膜来在第一栅电极和第二栅电极的侧表面上形成侧壁间隔件。
12.如权利要求1所述的固态成像设备的制造方法，还包括：
在形成第一栅电极和第二栅电极之后并且在形成绝缘体膜之前，
形成覆盖第一栅电极和第二栅电极的第一电介质膜；以及
通过蚀刻第一电介质膜来在第一栅电极和第二栅电极的侧表面上形成第一侧壁间隔件；
形成覆盖第一侧壁间隔件的第二电介质膜；以及
通过蚀刻第二电介质膜来在第一侧壁间隔件上形成第二侧壁间隔件，
其中，形成第二侧壁间隔件的步骤包括通过使用绝缘体膜作为蚀刻停止膜来蚀刻第二电介质膜。
13.如权利要求1所述的固态成像设备的制造方法，
其中，绝缘体膜的厚度小于第一栅电极的厚度和第二栅电极的厚度之和。
14.如权利要求1所述的固态成像设备的制造方法，其中，所述膜包括钨或硅化钨。
15.一种包括像素电路的固态成像设备，其特征在于，所述像素电路具有含有第一栅电极的第一晶体管、含有在平面图中与第一栅电极相邻的第二栅电极的第二晶体管、覆盖第一栅电极和第二栅电极的绝缘体膜、以及在绝缘体膜上设置的遮光构件，
其中，空隙存在于由第一栅电极、第二栅电极和绝缘体膜包围的区域中，并且
其中，遮光构件不存在于绝缘体膜的在垂直于平面图的方向上与空隙相对的一侧的位置。
16.如权利要求15所述的固态成像设备，还包括在第一栅电极和第二栅电极的侧表面上设置的侧壁间隔件，
其中，空隙存在于被绝缘体膜和侧壁间隔件包围的区域中。
17.如权利要求15所述的固态成像设备，其中，绝缘体膜满足下面的式子：
a×b×d1≤t，
其中，a表示绝缘体膜的蚀刻时间与变成遮光构件的膜的蚀刻时间的比值，b表示绝缘体膜与变成遮光构件的膜的蚀刻选择比，t表示绝缘体膜在垂直于平面图的方向上的膜厚度，并且d1表示遮光构件在与垂直于平面图的方向上的膜厚度。
18.如权利要求15所述的固态成像设备，其中，绝缘体膜的膜厚度t满足下面的式子：
t<d3-(d1+d2)，
其中，在与平面图垂直的方向上，t表示绝缘体膜的膜厚度，d1表示遮光构件的膜厚度，d2表示第一栅电极的膜厚度，并且d3表示在形成第一晶体管和第二晶体管的基板与布线之间的距离中的最小距离。
19.如权利要求15所述的固态成像设备，
其中，像素电路包括电荷-电压转换单元，来自光电转换单元的电荷被传送到所述电荷-电压转换单元，并且
其中，第一栅电极连接到电荷-电压转换单元。
20.如权利要求15所述的固态成像设备，其中，第二晶体管的一个端子是像素电路的输出单元。
21.如权利要求15所述的固态成像设备，
其中，第一晶体管和第二晶体管共享杂质区域，并且
其中，空隙存在于杂质区域之上。
22.如权利要求19所述的固态成像设备，
其中，像素电路包括
将光电转换单元的电荷传送到电荷保持单元的第一传送晶体管，
将电荷保持单元的电荷传送到电荷-电压转换单元的第二传送晶体管，并且
其中，在遮光构件不覆盖所述空隙的同时遮光构件覆盖电荷保持单元。
23.如权利要求15所述的固态成像设备，在与平面图垂直的方向上的绝缘体膜的膜厚度大于或等于1nm且小于0.3μm。
24.一种成像系统，其特征在于，包括：
固态成像设备，包括
像素电路，具有
具有第一栅电极的第一晶体管，
具有与第一栅电极相邻的第二栅电极的第二晶体管，
覆盖第一栅电极和第二栅电极的绝缘体膜，以及
在绝缘体膜上设置的遮光构件，
其中，空隙存在于由第一栅电极、第二栅电极和绝缘体膜包围的区域中，并且
其中，遮光构件不存在于绝缘体膜的与空隙相对的一侧的位置中；以及
信号处理单元，处理由固态成像设备输出的信号。