1.一种用于制造磁阻设备的方法，所述方法包括：
在基底上沉积磁阻堆叠、蚀刻停止层（ESL）和掩模层；
执行第一蚀刻过程以蚀刻所述掩模层的部分来暴露ESL的部分；以及
执行第二蚀刻过程以蚀刻ESL的暴露的部分和磁阻堆叠的部分。
2.根据权利要求1所述的用于制造磁阻设备的方法，进一步包括：
在所述掩模层上沉积光致抗蚀剂层，所述光致抗蚀剂层暴露所述掩模层的部分。
3.根据权利要求2所述的用于制造磁阻设备的方法，进一步包括：
在第一蚀刻过程之后从所述掩模层去除所述光致抗蚀剂层。
4.根据权利要求1所述的用于制造磁阻设备的方法，其中，沉积所述磁阻堆叠、所述ESL和所述掩模层包括：
在所述基底上沉积所述磁阻堆叠；
在所述磁阻堆叠上沉积所述ESL；以及
在所述ESL上沉积所述掩模层。
5.根据权利要求1所述的用于制造磁阻设备的方法，其中，所述ESL对第一蚀刻过程有抵抗力。
6.根据权利要求1所述的用于制造磁阻设备的方法，其中，所述第二蚀刻过程暴露位于所述磁阻堆叠的部分下面的所述基底的部分。
7.根据权利要求1所述的用于制造磁阻设备的方法，其中，所述第一蚀刻过程与所述第二蚀刻过程不同。
8.根据权利要求1所述的用于制造磁阻设备的方法，其中，所述第一蚀刻过程是反应离子蚀刻过程。
9.根据权利要求1所述的用于制造磁阻设备的方法，其中，执行所述第二蚀刻过程包括：
执行蚀刻过程以蚀刻所述ESL的暴露的部分；以及
执行与所述蚀刻过程分离的另一蚀刻过程，以蚀刻所述磁阻堆叠的部分。
10.根据权利要求1所述的用于制造磁阻设备的方法，其中，在单个蚀刻过程中执行所述ESL的暴露的部分和所述磁阻堆叠的部分的蚀刻。
11.一种用于制造磁阻设备的方法，所述方法包括：
在基底上沉积磁阻堆叠；
在所述磁阻堆叠上沉积蚀刻停止层（ESL）；
在所述ESL上沉积掩模层；
在所述掩模层上沉积光致抗蚀剂层，所述光致抗蚀剂层暴露所述掩模层的部分；
执行第一蚀刻过程以蚀刻所述掩模层的暴露的部分来暴露所述ESL的部分；
在所述第一蚀刻过程之后从所述掩模层去除所述光致抗蚀剂层；以及
执行第二蚀刻过程以蚀刻所述ESL的暴露的部分和所述磁阻堆叠的部分。
12.根据权利要求11所述的用于制造磁阻设备的方法，其中，所述ESL对所述第一蚀刻过程有抵抗力。
13.根据权利要求11所述的用于制造磁阻设备的方法，其中，所述第二蚀刻过程暴露位于所述磁阻堆叠的部分下面的所述基底的部分。
14.根据权利要求11所述的用于制造磁阻设备的方法，其中，所述第一蚀刻过程与所述第二蚀刻过程不同。
15.根据权利要求11所述的用于制造磁阻设备的方法，其中，所述第一蚀刻过程是反应蚀刻过程。
16.根据权利要求11所述的用于制造磁阻设备的方法，其中，执行所述第二蚀刻过程包括：
执行蚀刻过程以蚀刻所述ESL的暴露的部分；以及
执行与所述蚀刻过程分离的另一蚀刻过程以蚀刻所述磁阻堆叠的部分。
17.根据权利要求11所述的用于制造磁阻设备的方法，其中，在单个蚀刻过程中执行所述ESL的暴露的部分和所述磁阻堆叠的部分的蚀刻。
18.一种用于制造磁阻设备的方法，所述方法包括：
执行第一蚀刻过程以蚀刻掩模层的部分，以暴露蚀刻停止层（ESL）的部分；以及
执行第二蚀刻过程以蚀刻所述ESL的暴露的部分和位于所述ESL下面的磁阻堆叠的部分。
19.根据权利要求18所述的用于制造磁阻设备的方法，其中，所述ESL对所述第一蚀刻过程有抵抗力。
20.根据权利要求18所述的用于制造磁阻设备的方法，其中，所述第一蚀刻过程是反应蚀刻过程，并且所述第二蚀刻过程是非反应蚀刻过程。