技术特征：
1.一种热电薄膜结构，包括：热电基材；一对第一类钻碳层，分别配置在该热电基材的相对两表面上，且各该第一类钻碳层的电阻率为10-4Ω-cm至10-1Ω-cm；一对金属界面层，分别配置在该对第一类钻碳层上且分别位在远离该热电基材的一侧，各该金属界面层的电阻率为10-3Ω-cm至10-4Ω-cm；以及一对金属层，分别配置在该对金属界面层上且分别位在远离该第一类钻碳层的一侧，各该金属层的电阻率为10-5Ω-cm至10-6Ω-cm，其中该热电基材、该对第一类钻碳层、该金属界面层与该金属层相互电性导通，且该热电基材、该对第一类钻碳层、该金属界面层与该金属层的堆叠方向是垂直于该热电基材的相对两表面。2.如权利要求1所述的热电薄膜结构，其中该热电基材的厚度为2微米至200微米。3.如权利要求1所述的热电薄膜结构，其中该热电基材包括BiSbTe、BiSeTe、CsBi4Te6、Bi2Te3、Bi2Te3/Se2Te3超晶格、PbTeSeTe/PbTe量子点或超晶格、Zn4Sb3合金、Ce(Fe,Co)4Sb12、PbTe合金、CoSb3、SiGe合金、AgSbTe2/GeTe、Bi2Sr2Co2Oy、Ca3Co4O9、Mg2Si、NaxCoO2、La2Te3、MnSi1.75、SnTe、TAGS、Y3Fe5O12。4.如权利要求1所述的热电薄膜结构，其中各该第一类钻碳层包括纯碳或掺杂氢、氮或金属原子的四面体非晶碳。5.如权利要求1所述的热电薄膜结构，其中各该第一类钻碳层的厚度为100纳米至100微米。6.如权利要求1所述的热电薄膜结构，其中各该金属界面层的厚度小于1微米。7.如权利要求1所述的热电薄膜结构，其中该对金属界面层为金属碳化物。8.如权利要求1所述的热电薄膜结构，其中各该金属层的厚度小于100微米。9.如权利要求1所述的热电薄膜结构，还包括：至少一第二类钻碳层，配置在该金属层上且位在远离该第一类钻碳层的\t一侧，该第二类钻碳层的电阻率为100Ω-cm至1010Ω-cm。10.如权利要求9所述的热电薄膜结构，其中该第二类钻碳层的厚度为100纳米至10微米。11.如权利要求9所述的热电薄膜结构，其中该第二类钻碳层包括纯碳或掺杂氢、氮或金属原子的四面体非晶碳。12.如权利要求9所述的热电薄膜结构，其中所述至少一第二类钻碳层包括一对第二类钻碳层，分别配置在该对金属层上且分别位在远离该对第一类钻碳层的一侧。