技术总结
一种二维纳米片层MoS2垂直结构阻变器件，由氧化硅片衬底、Ti粘附层、下电极、阻变层、上电极和上电极SiO2保护层组成垂直结构，其中阻变层为具有“三明治夹心”层状结构的二维纳米片层MoS2，各层厚度分别为：Ti粘附层2‑5nm、下电极50‑200nm、二维纳米片层MoS20.65‑10nm、上电极50‑200nm、上电极SiO2保护层5‑10nm。本发明的优点是：1)该阻变器件采用二维纳米片层MoS2作为阻变存储器的阻变层，扩展了阻变存储器中的介质层材料体系，填补了二维纳米片层MoS2在阻变存储器中应用的空白；2)该阻变器件为单纯的垂直叠层结构，制作简单、成本低廉并且易于集成。
技术研发人员：张楷亮;张志超;王芳;冯玉林;方明旭;袁育杰;赵金石;
受保护的技术使用者：天津理工大学;
文档号码：201610374450
技术研发日：2016.05.31
技术公布日：2016.07.27