真空室和质量分析电磁铁的制作方法

本发明涉及用于带状束的输送的真空室和具备该真空室的质量分析电磁铁。

背景技术：

在离子注入装置和电子线照射装置等各种工业设备中利用离子束和电子束。在各装置中使用的束形状是各种各样的，根据装置结构和成为处理对象的基板的种类，使用点状束、带状束、面状束等各种束。使用这样的具有电荷的束的装置，被称为带电粒子束装置。

如果举出作为所述的带电粒子束装置的一种的、离子注入装置的具体例子，则有如专利文献1所述的使用了带状束的离子注入装置。带状束是用与在装置内部输送的带电粒子束的行进方向垂直的平面把带电粒子束切断时的断面呈大体长方形的束。

大部分带电粒子束装置具备用于在真空内输送束的真空室。如果用专利文献1的例子来说明，则真空室设置为覆盖从生成离子束的离子源到配置有基板的处理室的、离子束的输送路径。

用与带状束的行进方向垂直的平面切断真空室时的样子，表示在专利文献1的图11和图13中。

从这些图可知，专利文献1的真空室是内部形成有带状束通过的空间的矩形的容器。这种形状的真空室，不限于专利文献1的离子注入装置，也可以在使用带状束的其它的带电粒子束装置中使用。

现有技术文献

专利文献1：日本专利公开公报特开2005-327713号

带电粒子束是具有正电荷或负电荷的束。这种束由于束自身具有的电荷，在束内部形成电位(束电位)。大多数情况下，由于真空室电性 接地，所以在真空室和束之间产生电位差并产生电场。受到所述电场的作用，带电粒子束在输送中发散，在带状束的情况下，由于束电位存在有在带状束的长度方向上不同的倾向，所以相同方向上的电场变得不均匀，在带状束的各部分发散的程度不同。

参照图10具体说明带状束的发散因位置而变得不均匀的理由。在图10中用虚线描绘了由束电位在真空室内形成的电场的等电位线。在该图中描绘的真空室C与专利文献1的图11和图13中描绘的真空室的形状相同。由于在图10中，真空室C的下侧区域与把图示的上侧区域在真空室C的中央折返得到的区域基本相同，因此省略了下侧区域。

所述真空室C电性接地，具有正电荷的带状束B通过真空室C的内部。在带状束B的长度方向(图的上下方向)上存在下述倾向：越靠近带状束B的中心通过的真空室C的中央区域(大体用附图标记CR包围的区域)电位越高，越靠近带状束B的端部通过的真空室C的端部区域(大体用附图标记ER包围的区域)电位越低。因此，相比于端部区域，在真空室C的中央区域产生强电场，带状束B的发散变大。相反，相比于中央区域，在真空室C的端部区域产生弱电场，带状束B的发散变小。

如果束电位导致的发散程度在带状束的长度方向上的各部分不同，则带状束的形状产生变形。如果带状束的形状产生变形，则存在会给使用了带状束的基板处理带来障碍、对束光学系统中的束的输送效率带来恶劣影响的问题。

技术实现要素：

本发明的目的是减小束电位导致的带状束的长度方向上的发散不均匀性。

本发明提供一种真空室，其构成带状束的输送路径，当把通过所述真空室内的所述带状束的行进方向设为Z方向、把所述带状束的长度方向设为Y方向、把与两方向垂直的方向设为X方向时，在Y方向上的所述真空室的端部区域中，越朝向所述真空室的端部去，X方向上的所述真空室的内部尺寸越小。

按照所述结构的真空室，能使形成在束电位相对较低的带状束的长度方向上的端部所通过的、真空室的端部区域的等电位线变密，并使同区域中的电场强度变强。其结果，能够减小带状束的长度方向上的发散不均匀性。

根据配置在带状束的输送路径上的束光学系统，带状束的形状沿输送路径变化。可以配合这种带状束的形状变化，改变真空室的形状。具体地说，可以采用下述构成：在所述真空室的端部区域中，伴随X方向上的所述带状束的尺寸沿Z方向变化，X方向上的所述真空室的内部尺寸沿Z方向变化。

此外，在考虑在X方向上在偏转电磁铁内作用在带状束上的洛伦兹力的不同以及同方向上的带状束的形状等的情况下，可以采用下述构成：所述真空室的内壁形状为相对于包含所述带状束的中心的Y方向在X方向上非对称。

此外，可以采用下述构成：在所述真空室的端部区域配置有多个导电性板。

按照所述结构，仅仅通过适当变更导电性板的安装位置、安装角度、导电性板的尺寸等，就能够容易地改变带状束所通过的真空室的内部区域的结构。其结果，能容易地减小带状束的长度方向上的发散不均匀性。

另外，在配置导电性板的情况下，可以采用下述构成：所述真空室和所述导电性板的电位不同。

按照所述结构，通过变更施加在导电性板上的电压，能够调整形成在真空室的内部区域的电场分布。

作为更具体的结构，可以采用下述构成：所述带状束具有正电荷，所述导电性板的电位比所述真空室的电位低。

此外，本发明还提供一种质量分析电磁铁，理想的是，所述质量分析电磁铁包括所述的真空室。质量分析电磁铁用于使带状束旋转足够的距离以除去束中所含的不需要的成分，所述电磁铁中的束输送距离比其它束光学部件相对更长。

如果带状束的发散不均性大，则正常的质量分析变得困难，但是通过把本发明的真空室作为质量分析电磁铁的束输送管使用，能够充分减小通过质量分析电磁铁内部的带状束的发散不均匀性，从而能够实施正常的质量分析。

本发明能够使形成在束电位相对较低的带状束的长度方向上的端部所通过的、真空室的端部区域的等电位线变密，并使同区域中的电场强度变强。其结果，能够减小带状束的长度方向上的发散不均匀性。

附图说明

图1是表示应用了本发明的离子注入装置的结构例的俯视图。

图2是沿图1所示的A-A线的剖视图。图2的(A)是使用导电性板形成真空室的内部空间的结构，图2的(B)是改变真空室本身的形状来形成真空室的内部空间的结构。

图3是表示图2所示的真空室的第一变形例的剖视图。

图4是表示图2所示的真空室的第二变形例的剖视图。图4的(A)是使用了台阶形的导电性板的结构，图4的(B)是使用了弯曲状的导电性板的结构。

图5是表示图2所示的真空室的第三变形例的剖视图。图5的(A)是在真空室的上下的面上配置有多个导电性板的结构，图5的(B)是在真空室的左右侧面上配置有多个导电性板的结构。

图6是表示图2所示的真空室的第四变形例的剖视图。图6的(A)是多个导电性板与一个电源连接的结构，图6的(B)是各导电性板分别独立地与电源连接的结构。

图7是表示应用了本发明的另外的离子注入装置的结构例的俯视图。

图8是关于伴随束径的变化、真空室的端部区域变化的结构的说明图。图8的(A)是表示在质量分析电磁铁内束径变化的样子的俯视图。图8的(B)是沿图8的(A)的B-B线的剖视图。图8的(C)是沿图8的(A)的C-C线的剖视图。图8的(D)是沿图8的(A)的D-D线的剖视图。

图9是关于在真空室的端部区域左右侧面为非对称结构的说明图。图9的(A)是表示在质量分析电磁铁内束径变化的样子的俯视图。图9的(B)是沿图9的(A)的B-B线的剖视图。图9的(C)是沿图9的(A)的C-C线的剖视图。图9的(D)是沿图9的(A)的D-D线的剖视图。

图10表示在以往的真空室的剖视图中带状束的束电位形成的电场分布。

附图标记说明

2 质量分析电磁铁

B 带状束

C 真空室

P 导电性板

V 电源

具体实施方式

作为应用本发明的带电粒子束装置的一个例子，图1表示了离子注入装置的结构例。简单说明所述离子注入装置IM的整体结构。图示的XYZ轴，表示处理室4内的带状束B的方向。

具体而言，Z轴的方向(Z方向)是带状束B的行进方向，Y轴的方向(Y方向)是用与Z轴垂直的平面切断带状束B时的束断面上的带状束B的长度方向。此外，X轴的方向(X方向)是带状束B的短边方向，也是与Y轴和Z轴垂直的方向。

通过使由离子源1生成的带状束B通过质量分析电磁铁2和分析狭缝3，由此除去束内所含的不需要的离子。在处理室4中配置有支承在未图示的扫描机构上的基板S(玻璃基板、硅晶片等半导体基板等)，基板S通过扫描机构横穿向处理室4内照射的带状束B并沿图示的箭头的方向扫描。

在基板S的下游侧配置有束电流测量器5。当不向基板S照射带状束B时，带状束B照射到束电流测量器5上。

束电流测量器5是例如由沿Y方向配置的多个法拉第杯构成的多点法拉第杯。使用所述测量器，能进行Y方向上的带状束B的束电流分布的测量。

此外，也可以采用下述方式：代替多点法拉第杯，用一个法拉第杯构成束电流测量器5并使其沿Y方向移动，由此也能测量Y方向上的束电流分布。

在从离子源1到处理室4的带状束B的输送路径上，设有用于将输送路径保持为真空的真空室C。关于本发明的真空室C的结构，参照图2以后的附图如下所述地进行说明。

图2是沿图1所示的A-A线的剖视图。与现有技术的真空室的结构进行比较，本发明的带状束B的Y方向上的端部所通过的真空室C的端部区域的结构不同。

具体地说，如图2的(A)、图2的(B)所示的，在Y方向上的带状束B的端部所通过的真空室C的端部区域，越靠真空室C的端部，X方向上的真空室C的内部尺寸越小。

另外，真空室C的端部区域是指：Y方向上的带状束B的端部所通过的区域，并且包含形成于同方向的真空室C的端部的内壁面的区域。

图2的(A)所示的真空室C是与以往相同的、断面为矩形的真空室C，在真空室C的内侧四角配置有导电性板P。所述导电性板P与真空室C的一部分的内壁，形成输送带状束B的空间。

在图2的(A)的结构例中，真空室C的端部区域中的X方向上的真空室C的内部尺寸是指X方向上的导电性板P间的距离。

真空室C由铁、不锈钢、铝、碳等导电性的材料构成，在此用未图示的螺丝固定由同种材料构成的导电性板P。此外，在本实施方式中，真空室C和导电性板P电性接地。

通过把导电性板P配置在真空室C的四角，在Y方向上的真空室C的端部区域中，输送带状束B的空间变窄。由此，真空室C的端部区域中的等电位线变密，同区域中的电场变强。其结果，能够减小带状束B 的长度方向上的束电位的不同导致的束的发散不均匀性。

本发明的真空室C不限于使用导电性板P的结构。代替使用导电性板P，也可以改变真空室C的形状。图2的(B)所示的真空室C，以在真空室C的内侧形成与图2的(A)同样的内部区域的方式形成为八边形的结构。

即使采用图2的(B)所示的结构，也和图2的(A)的结构同样地，通过加强真空室C的端部区域中的电场，可以减小带状束B的长度方向上束电位的不同导致的束的发散不均匀性。此外，真空室C的外形不一定必须为如图2的(B)所示的八边形，也可以使外形为矩形并使内部形状为八边形。

另外，在图2的(B)的结构例中，真空室C的端部区域中的X方向上的真空室C的内部尺寸是指X方向上的真空室C的内壁间的距离。

按照图2的(A)、图2的(B)所述的两结构，在减小束的发散不均匀性这点上可以得到同等的效果，但是为了容易地进行真空室C的端部区域中的电场分布的调整，优选的是图2的(A)所示的使用导电性板P的结构。

其理由是：仅通过适当变更导电性板P的安装位置、安装角度、导电性板P的尺寸等，就能够容易地变更带状束B所通过的真空室C的内部区域的结构。

此外，作为真空室C的结构，可以采用图3所示的结构。图3是表示图2所示的真空室C的第一变形例的剖视图。在图3的结构中，使用了两种导电性板P1、P2。如该图中描绘的实施方式所示，可以通过把组合多个导电性板P得到的构件配置在真空室C的四角，构成带状束B所通过的真空室C的内部区域。

此外，可以采用图4所示的结构。图4是表示图2所示的真空室C的第二变形例的剖视图。图2的(A)和图3所示的导电性板P使用了断面为大体长方形的平板，但是导电性板P的形状也可以是其它形状。

例如如图4的(A)所示，作为导电性板P的形状，可以使用断面形状为台阶形的导电性板P。此外，如图4的(B)所示，也可以使用断 面形状弯曲的导电性板P。

按照图4的(A)所示的结构，在真空室C的端部区域中，随着朝向真空室C的端部去，X方向上的真空室C的内部尺寸间断地变小。此外，按照图4的(B)所示的结构，在真空室C的端部区域中，随着朝向真空室C的端部去，X方向上的真空室C的内部尺寸呈指数函数地变小。

根据这些结构例可以理解的是，按照本发明，在真空室C的端部区域中，只要X方向上的真空室C的内部尺寸越靠真空室C的端部越变小即可。关于X方向上的真空室C的内部尺寸怎样变小，与导电性板P的形状和真空室C的内壁的形状有关。

按照到此为止所述的实施方式，导电性板P固定支承在真空室C的内壁中的相邻的两个面上，但是也可以固定支承在特定的一个面上。

例如，在多个导电性板P固定支承在真空室C的内壁中的特定的一个面上的情况下，可以采用图5所示的结构例。

图5是表示图2所示的真空室的第三变形例的剖视图。图5的(A)是长度不同的多个导电性板P固定支承在真空室C的上下的面上的结构例。本发明的真空室C可以是这种结构。另一方面，如图5的(B)所示，本发明也可以是下述的结构：长度不同的多个导电性板P固定支承在真空室C的左右侧面上。

按照到此为止所述的实施方式，将导电性板P的电位固定为与真空室C相同的接地电位，但是也可以使导电性板P的电位与真空室C的电位不同。

图6是表示图2所示的真空室C的第四变形例的剖视图。在图6的(A)的配置在真空室C内的导电性板P上，通过真空穿通密封件F连接有电源V。此外，在本实施方式中，导电性板P通过未图示的绝缘构件固定支承在真空室C上，导电性板P和真空室C之间电绝缘。各导电性板P上由电源V施加有负的数十伏的电压，真空室C接地。此外，通过真空室C内的带状束具有正电荷。

按照该结构，能够比到此为止的实施方式更容易地调整真空室C的 端部区域中的电场强度。

此外，可以如图6的(A)所示的结构那样使用单个电源V向各导电性板P施加电压，也可以像图6的(B)所示的结构那样，设置与各导电性板P分别对应的电源V，独立进行各导电性板P的电位设定。

此外，关于导电性板P的电位设定，也可以将配置在真空室C的上下或左右的导电性板P作为组，使用共同的电源对每组导电性板P进行电位设定。

在到此为止的实施方式中所述的本发明的真空室C，遍及从离子源1到处理室4的带状束B的输送路径的整个区域设置，但是也可以设置在输送路径的一部分上。

图7是表示应用了本发明的另外的离子注入装置IM的结构例的俯视图。在该结构例中，在质量分析电磁铁2内的带状束B的输送路径上使用本发明的真空室C。此外，如图所示，导电性板P沿带状束B的行进方向分割为多个。

在图7的离子注入装置IM中，可动式的束电流测量器10a、10b，设置在夹持设有真空室C的质量分析电磁铁2的位置。所述束电流测量器10a、10b，具有与在图1的结构例中说明过的束电流测量器5同样的功能和结构，通过未图示的驱动机构沿图中的箭头方向移动。

另外，在用带状束B处理基板S期间，所述束电流测量器10a、10b移动到不妨碍带状束B的输送的位置。

在该结构下，首先用束电流测量器10a测量带状束B的长度方向的束电流分布。接着用束电流测量器10b测量带状束B的长度方向的束电流分布。此后，将两测量器的测量结果发送到控制装置Cont，控制装置Cont计算由于通过质量分析电磁铁2而使带状束B的束电流分布发生了怎样的变化。

而后，控制装置Cont根据计算结果，控制与各导电性板P连接的未图示的电源，使得对各导电性板P施加适当的电压。

如果是在本发明的真空室C中对导电性板P施加所希望的电压的结 构，则能和所述的反馈系统组合。

此外，在图7的结构例中，可以根据束电流测量器10a、10b中的任意一方的测量结果，进行对各导电性板P施加电压的控制。在该情况下，因为束电流测量器的个数可以是一个，所以离子注入装置IM只要具备束电流测量器10a或者束电流测量器10b的任意一方即可。

此外，代替各束电流测量器10a、10b，可以根据束电流测量器5的测量结果，进行对各导电性板P施加电压的控制。在该情况下，离子注入装置IM仅具备束电流测量器5即可。

此外，在图7的结构例中，导电性板P沿束行进方向被分割成多个，但是无需一定采取这种分割结构，可以采用沿束行进方向一体化的长导电性板P。此外，在图7的结构例中，与图2的(A)同样，设想导电性板P配置在真空室C的四角，但是在导电性板P沿束行进方向分割成多个的情况下，真空室C中配置的导电性板P的束行进方向上的尺寸，可以配合带状束B的输送路径的结构，在真空室C的上下、左右不同。

此外，真空室C的端部区域的形状，可以沿带状束B的行进方向变化。例如，使通过质量分析电磁铁2的带状束B的X方向上的尺寸，对应于质量分析电磁铁2的位置而变化。图8表示了伴随这种带状束B的尺寸变化，真空室C的端部区域的形状变化的结构例。

图8的(A)是表示束径在质量分析电磁铁2内变化的样子的俯视图，图8的(B)～图8的(D)表示了沿图8的(A)中所记载的B-B线、C-C线、D-D线的断面的样子。在该结构例中，在真空室C的四角设有导电性板P，由所述导电性板P形成真空室C的端部区域。

此外，在图8的(B)、图8的(D)中，导电性板P相对于真空室C的内壁以角度θa安装。在图8的(C)中，导电性板P相对于真空室C的内壁以角度θb(＜角度θa)安装。

另外，图8的(A)所示的坐标轴，与向质量分析电磁铁2入射的带状束B和从质量分析电磁铁2射出的带状束B有关。

如图8的(A)中所描绘的，入射到质量分析电磁铁2中的带状束B，以X方向上的尺寸在质量分析电磁铁2的中央附近成为最大的方式扩大， 并以聚焦在配置于质量分析电磁铁2的下游侧的分析狭缝的方式会聚。

配合这种X方向上的束尺寸的变化，真空室C的端部区域中的电场分布也发生变化。考虑这一点，为了充分减小带状束B的长度方向上的发散不均匀性，需要配合束尺寸的变化使真空室C的端部区域的形状也发生变化。

具体地说，在X方向上的带状束B的尺寸沿Z方向变大的情况下，在真空室C的端部区域中，X方向上的真空室C的内部尺寸沿Z方向逐渐扩大。

如图所示，如果设图8的(B)记载的导电性板P的安装角度为角度θa、设图8的(C)记载的导电性板P的安装角度为角度θb(＜角度θa)，则导电性板P以安装角度沿Z方向从角度θa向角度θb逐渐变小的方式安装在真空室C中。

相反，在X方向上的带状束B的尺寸沿Z方向变小的情况下，在真空室C的端部区域中，X方向上的真空室C的内部尺寸沿Z方向逐渐变窄。

在该情况下，和所述的结构相反，导电性板P以安装角度沿Z方向从角度θb向角度θa逐渐变大的方式安装在真空室C中。

图8的实施方式是关于质量分析电磁铁2的结构例，也可以适用于质量分析电磁铁2以外的、使带状束B的尺寸变化的束光学部件。

此外，以上对X方向上的束尺寸发生变化的例子进行了说明，也可以对应于Y方向上的束尺寸的变化，使真空室C的端部区域的结构发生变化。

带状束B通过质量分析电磁铁2时，带状束B上作用有洛伦兹力。带状束B在X方向上具有宽度，在X方向上，在图9的(A)所示的质量分析电磁铁2的外侧和里侧，在不同的位置输送。由于在质量分析电磁铁2的外侧和里侧，束的输送距离不同，所以带状束B通过质量分析电磁铁2时受到的洛伦兹力的大小，在外侧和里侧也不同。考虑这一点，可以采用图9记载的结构例。

与图8的(A)～图8的(D)同样，图9的(A)是表示束径在质量分析电磁铁2内变化的样子的俯视图，图9的(B)～图9的(D)表示了沿图9的(A)中记载的B-B线、C-C线、D-D线的断面的样子。

由于在质量分析电磁铁2内通过外侧的带状束B的成分，在质量分析电磁铁2内的输送距离变长，在此作用的洛伦兹力的效果变大。相反，在质量分析电磁铁2内通过里侧的带状束B的成分，在质量分析电磁铁2内的输送距离变短，在此作用洛伦兹力的效果变小。

考虑该点，如图9的(B)～图9的(D)所示，导电性板P的安装角度在真空室C的左右不同。

在这些图中，导电性板P的安装角度的关系为θa1＞θa2、θa1＞θb1、θa2＞θb2、θb1＞θb2。

由于通过质量分析电磁铁2的外侧的带状束B的成分由于洛伦兹力朝向里侧大幅偏转，所以相比于通过质量分析电磁铁2的里侧的带状束B的成分的、束电位导致的束的扩散，通过质量分析电磁铁2的外侧的带状束B的成分的、束电位导致的束的扩散稍微减小。

基于这一点，使配置在外侧的导电性板P的安装角度θa1大于配置在里侧的导电性板P的安装角度θa2。

按照该结构，束电位导致的束的扩散，在外侧一方比里侧大，但是由于在外侧，随着朝向里侧去洛伦兹力造成的偏转作用起到很大的作用，所以束电位导致的发散得到缓和。其结果，能够使通过真空室C的端部区域的、X方向上的带状束B的两端部的束电位导致的发散的程度成为相同的程度。

此外，如在图8的实施方式中所说明过的，如果还考虑束径的变化，则在图9的结构例中，从质量分析电磁铁2的入口至中央，以导电性板P的安装角度沿Z方向逐渐变小的方式构成，从质量分析电磁铁2的中央至出口，以导电性板P的安装角度沿Z方向逐渐变大的方式构成。

在图9所示的实施方式中，带状束B是顺时针旋转的结构，但是与此相反，带状束B也可以逆时针旋转。在该情况下，导电性板P的安装角度的关系，与图9的结构例左右相反。

此外，在到此为止的实施方式中，为了简化说明，设想了长度方向上的束电流分布大体均匀的带状束B以及在磁铁内生成的磁场大体均匀的质量分析电磁铁2，但是不限于这些条件。束电流分布和磁场分布不均匀的构成，也可以应用本发明。

在该情况下，在图9的结构例中，根据束电流分布、磁场分布、束的旋转角度等各种条件，决定要把导电性板P的左右的安装角度的关系设为什么样的关系才能成为使带状束B的长度方向上的发散不均匀性减小的最佳角度。

关于图9的结构例和与其类似的其它结构例，通常而言，在配置本发明的真空室C的带状束B的输送路径中，在至少一部分的输送路径中，真空室C的内壁形状成为相对于包含带状束B的中心的YZ平面在X方向上非对称。

至少一部分的输送路径的意思是指：可以是遍及配置真空室C的输送路径整体，使真空室C的内壁形状为非对称；也可以在配置真空室C的输送路径的一部分上，使真空室C的内壁形状为非对称。

采用所述结构的理由是因为，根据带状束B的束电流分布、电磁铁内的磁场分布、束的旋转角度等，在质量分析电磁铁的一部分的输送路径中，真空室C的内壁形状变化，真空室C的内壁形状能成为相对于包含带状束B的中心的YZ平面在X方向上对称。

在此，将质量分析电磁铁作为例子进行了说明，关于在X方向上作用在带状束B上的洛伦兹力存在不同的偏转电磁铁，也可以说具有相同的情况。

此外，当长度方向的端部形状为相对于包含带状束B的中心的Y方向在X方向上非对称的带状束B通过本发明的真空室C时，也可以考虑使真空室C的内壁形状成为非对称。此外同样地，当长度方向的端部形状为相对于包含带状束B的中心的X方向在Y方向上非对称的带状束B通过本发明的真空室C时，也可以考虑使真空室C的内壁形状成为相对于包含带状束B的中心的X方向非对称。

可以根据需要组合到此为止说明过的各种实施方式。例如，可以把 在图8和图9中说明过的实施方式与在图6中说明过的实施方式组合。此外，在到此为止的多个实施方式中，为使用了导电性板P的结构，也可以去除这种导电性板P，适当变更真空室C的内壁形状。在该情况下，作为真空室C的内壁形状，不限于图2的(B)所述的八边形，可以采用六边形和十二边形等多边形及椭圆形等各种形状。

此外，到此为止说明过的各种实施方式，作为带状束B举出了离子束的例子进行了说明，但是本发明也可以应用于电子束。

此外，在Y方向上，带状束B的端部相比于中央部，存在束电位导致的发散变小的倾向，基于入射到本发明的真空室C中的束的特性，认为在束端部以外的位置，也存在有束电位导致的发散变小的情况。

在该情况下，可以追加与带状束B的端部以外的规定位置对应的导电性板P等。

此外，除了所述的内容以外，在不脱离本发明的发明思想的范围内，当然也可以进行各种改良和变形。