电子元器件传送装置及编带电子元器件串列的制造方法与流程

本发明涉及电子元器件传送装置及编带电子元器件串列的制造方法。

背景技术：

已知有层叠陶瓷电容器作为一种电子元器件。在层叠陶瓷电容器中，层叠有多个内部电极和陶瓷电介质层。

一般而言，将层叠陶瓷电容器安装于基板来使用。在将层叠陶瓷电容器安装于基板时，内部电极的层叠方向与基板的表面平行的情况和内部电极的层叠方向与基板的表面垂直的情况存在机械强度差，有时寄生电容值不同。

此外，内部电极的层叠方向与基板的表面平行的情况和内部电极的层叠方向与基板的表面垂直的情况下，有时噪声(acoustic noise)的大小不同。这里，“噪声”是指因所施加的电压变动而产生的层叠陶瓷电容器的失真传达至基板，基板发生振动，从而发出的声音。

因此，要求在将内部电极的层叠方向排列于规定的方向的状态下，将层叠陶瓷电容器安装于基板。

专利文献1中记载有将层叠陶瓷电容器排列在规定的方向上的电子元器件传送装置的一个示例。专利文献1所记载的传送装置具有第1传送路径、旋转路径及第2传送路径。旋转路径中设有第1磁体，以向电子元器件施加 磁力，使得电子元器件的内部电极朝向规定的方向。旋转路径具有引导壁的间隔随着朝向与第2传送路径相连接的端部而逐渐变窄的过渡引导壁。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利特开2011-018698号公报

技术实现要素：

发明所要解决的技术问题

专利文献1所记载的电子元器件传送装置中具有如下问题：若高速进行电子元器件的传送，则通过旋转路径的电子元器件的姿势会发生倾斜，电子元器件易于堵塞。

本发明的主要目的在于，提供一种电子元器件不易堵塞于传送路径的电子元器件传送装置。

解决技术问题所采用的技术方案

本发明所涉及的第1电子元器件传送装置包括传送路径、第1磁力发生部、及第2磁力发生部。传送路径包含上游部、与上游部相连接的中游部、及与中游部相连接的下游部。传送路径包含通过上游部、中游部及下游部的底面、第1侧壁、第2侧壁。第1侧壁和第2侧壁隔着间隔相对。中游部的第1侧壁和第2侧壁之间的间隔P2比上游部的第1侧壁和第2侧部的间隔P2及下游部的第1侧壁和第2侧壁之间的间隔P3要大。第1磁力发生部设置于中游部的第1侧壁的侧方。第2磁力发生部位于中游部，且设置于比第1磁力发生部更靠近下游侧的部分的第2侧壁的侧方。中游部包含与上游部相连接的第1过渡部和与下游部相连接的第2过渡部。第1过渡部的第1侧壁平行于传送方向。第1过渡部的第2侧壁在与传送方向不同的方向上延伸。第2过渡部的第2侧壁平行于传送方向。第2过渡部的第1侧壁在与传送方向不同的方向上 延伸。本发明所涉及的第1电子元器件传送装置中，在电子元器件旋转时或电子元器件传送至下游部之前，电子元器件的长度方向与传送方向平行。因此，本发明所涉及的电子元器件传送装置中，电子元器件不易堵塞。

本发明所涉及的第2电子元器件传送装置包括传送路径、第1磁力发生部、及第2磁力发生部。传送路径包含上游部、与上游部相连接的中游部、及与中游部相连接的下游部。传送路径包含通过上游部、中游部及下游部的底面、第1侧壁、第2侧壁。第1侧壁和第2侧壁隔着间隔相对。中游部的第1侧壁和第2侧壁之间的间隔P2比上游部的第1侧壁和第2侧部的间隔P2及下游部的第1侧壁和第2侧壁之间的间隔P3要大。第1磁力发生部设置于中游部的第1侧壁的侧方。第2磁力发生部位于中游部，且设置于比第1磁力发生部更靠近下游侧的部分的第2侧壁的侧方。中游部包含与上游部相连接的第1过渡部和与下游部相连接的第2过渡部。第1过渡部的第1侧壁平行于传送方向。第2过渡部的第2侧壁平行于传送方向。本发明所涉及的第2电子元器件传送装置中，在电子元器件旋转时或电子元器件传送至下游部之前，电子元器件的长度方向与传送方向平行。因此，本发明所涉及的电子元器件传送装置中，电子元器件不易堵塞。

本发明所涉及的第1及第2电子元器件传送装置的各个中，优选为在第2过渡部，第2侧壁相对于第1侧壁倾斜，且第1侧壁与第2侧壁之间的间隔随着接近下游部而变小。

本发明所涉及的第1及第2电子元器件传送装置的各个中，优选为在第1过渡部，第2侧壁包含与传送方向正交的部分。

本发明所涉及的第1及第2电子元器件传送装置的各个中，优选为由第2磁力发生部发生的磁力比由第1磁力发生部发生的磁力要弱。

本发明所涉及的第1及第2电子元器件传送装置的各个中，优选为以底 面作为基准的第1磁力发生部的中心的高度比P3/2要大。

本发明所涉及的第1及第2电子元器件传送装置的各个中，优选为第1磁力发生部的中心与底面之间的距离比所传送的电子元器件的中心与底面之间的距离要大。

本发明所涉及的第1及第2电子元器件传送装置的各个中，底面可以具有使电子元器件的下表面的一部分与底面相隔离的隔离构造。

本发明所涉及的第1及第2电子元器件传送装置的各个中，还可以具有利用空气压力使所述电子元器件的下表面的一部分与所述底面相隔离的浮起机构。

本发明所涉及的电子元器件传送装置中，优选为第1磁力发生部及第2磁力发生部分别由永磁体或电磁体构成。

本发明所涉及的编带电子元器件串列的制造方法包括如下工序：利用本发明所涉及的电子元器件传送装置，使电子元器件的多个内部导体的层叠方向统一的工序；以及将层叠方向统一后的电子元器件收容于编带的凹部中，来获得包括编带和收容于凹部的电子元器件的编带电子元器件串列的工序。

发明效果

根据本发明，能提供一种电子元器件不易堵塞于传送路径的电子元器件传送装置。

附图说明

图1是表示实施方式1所涉及的电子元器件传送装置的主要部分的示意 性立体图。

图2是表示实施方式1所涉及的电子元器件传送装置的主要部分的示意性俯视图。

图3是图2的线III-III处的示意性剖视图。

图4是图2的线III-III处的示意性剖视图。

图5是图2的线III-III处的示意性剖视图。

图6是实施方式1中传送的电子元器件的示意性立体图。

图7是图6的线VII-VII处的示意性剖视图。

图8是实施方式1中制造的编带电子元器件串列的示意性剖视图。

图9是表示实施方式2所涉及的电子元器件传送装置的主要部分的示意性剖视图。

图10是表示实施方式3所涉及的电子元器件传送装置的主要部分的示意性剖视图。

图11是表示实施方式4所涉及的电子元器件传送装置的主要部分的示意性剖视图。

图12是表示实施方式5所涉及的电子元器件传送装置的主要部分的示意性剖视图。

图13是表示实施方式6所涉及的电子元器件传送装置的主要部分的示意性剖视图。

图14是表示实施方式7所涉及的电子元器件传送装置的主要部分的示意性剖视图。

图15是表示实施方式8所涉及的电子元器件传送装置的主要部分的示意性剖视图。

具体实施方式

下面，对实施本发明的优选实施方式的一个示例进行说明。但是，下述实施方式仅仅是一个示例。本发明并不限于下述任一实施方式。

此外，在实施方式等所参照的各附图中，以相同的标号来参照实质上具有相同功能的构件。另外，实施方式等所参照的附图是示意性的记载。附图中绘制的物体的尺寸比例等有时与现实物体的尺寸比例等不同。附图相互间的物体的尺寸比例等也可能不同。具体的物体的尺寸比例等应当参考以下的说明来判断。

图1是表示本实施方式所涉及的电子元器件传送装置的主要部分的示意性立体图。图2是表示本实施方式所涉及的电子元器件传送装置的主要部分的示意性俯视图。图1及图2所示的电子元器件传送装置2对电子元器件1进行传送。所传送的电子元器件1是长方体状的，但并不特别限定。

具体而言，本实施方式中，对利用电子元器件传送装置2来传送图6及图7所示的电子元器件1的示例进行说明。

图6是本实施方式中传送的电子元器件1的示意性立体图。图7是图6的线VII-VII处的示意性剖视图。

图6及图7所示的电子元器件1是长方体状的电容器。具体而言，电子元器件1是长方体装的层叠陶瓷电容器。本发明适用于易于发生噪声且具有较大的静电电容的电子元器件1，尤其适用于静电电容为1μF以上或10μF以上的电子元器件1。

但是，本发明的电子元器件并不限于电容器。本发明的电子元器件也可以是热敏电阻、电感器等。

电子元器件1包括电子元器件主体10。电子元器件主体10呈近似长方体状。另外，近似长方体除了长方体以外还包含长方体的角部、棱线部为圆形的情况。

电子元器件主体10具有第1及第2主面10a、10b、第1及第2侧面10c、10d、第1及第2端面10e、10f(参照图7)。第1及第2主面10a、10b分别沿着长度方向L及宽度方向W延伸。长度方向L和宽度方向W正交。第1及第2侧面10c、10d分别沿着长度方向L及厚度方向T延伸。厚度方向T分别与长度方向L及宽度方向W正交。第1及第2端面10e、10f分别沿着宽度方向W及厚度方向T延伸。

沿着电子元器件主体10的长度方向L的尺寸比沿着宽度方向W及厚度方向T的尺寸要大。沿着电子元器件主体10的宽度方向W的尺寸与沿着电子元器件主体10的厚度方向T的尺寸实质相等。具体而言，沿着电子元器件主体10的宽度方向W的尺寸是沿着电子元器件主体10的厚度方向T的尺寸的0.8倍以上1.2倍以下。

具体而言，本实施方式中，电子元器件主体10的沿着长度方向L的尺寸优选为0.6mm以上2.0mm以下。电子元器件主体10的沿着宽度方向W的尺寸优选为0.3mm以上1.0mm以下。电子元器件主体10的沿着厚度方向T的尺寸优选为0.3mm以上1.0mm以下。

为了获得较大的静电电容，电子元器件主体10由强电介质陶瓷构成。作为电介质陶瓷的具体例，例举出例如BaTiO₃、CaTiO₃、SrTiO₃等。可以根据电子元器件1所要求的特性，在电子元器件主体10中适当添加例如Mn化合物、Mg化合物、Si化合物、Fe化合物、Cr化合物、Co化合物、Ni化合物、稀土类化合物等副成分。强电介质陶瓷的相对介电常数优选为2000以上，进一步优选为3000以上。该情况下，能在上述电子元器件主体10的尺寸范围内实现1μF以上或10μF以上的静电电容。上述电子元器件1易于产生噪声，能适用于本发明。

如图7所示，在电子元器件主体10的内部作为内部导体设有多个第1内部电极11和多个第2内部电极12。

第1内部电极11和第2内部电极12沿着厚度方向T交替层叠，在厚度方向T上隔着陶瓷部10g相对。从使内部电极11、12的片数变多的观点出发，陶瓷部10g的厚度优选为1μm以下。然而，若陶瓷部10g过薄，则有时耐电压性会变低。因此，陶瓷部10g的厚度优选为0.3μm以上。内部电极11、12的合计片数优选为350片以上。通过使内部电极11、12的片数变多、增加其整体体积，电子元器件1的内部电极的层叠方向易于统一。

第1内部电极11沿着长度方向L及宽度方向W而设置。第1内部电极11被引出至第1端面10e。第1内部电极11未被引出至第1及第2主面10a、10b、第1及第2侧面10c、10d、以及第2端面10f。

第2内部电极12沿着长度方向L及宽度方向W而设置。第2内部电极12被引出至第2端面10f。第2内部电极12未被引出至第1及第2主面10a、10b、第1及第2侧面10c、10d、以及第1端面10e。

第1及第2内部电极11、12分别含有金属，特别是强磁性体金属。作为优选使用的强磁性金属的具体例，例举出例如包含Ni、Fe、Ni及Fe中的至少一种的合金等。

第1端面10e设有第1外部电极13。第1外部电极13从第1端面10e起到达第1及第2主面10a、10b和第1及第2侧面10c、10d的一部分。第1外部电极13在第1端面10e上与第1内部电极11相连接。

第2端面10f设有第2外部电极14。第2外部电极14从第2端面10f起到达第1及第2主面10a、10b和第1及第2侧面10c、10d的一部分。第2外部电极14在第2端面10f上与第2内部电极12相连接。

第1及第2外部电极13、14分别含有例如Pt、Au、Ag、Cu、Ni、Cr等至少一种。

接着，参照图1及图2对电子元器件传送装置2进行详细说明。

电子元器件传送装置2包括传送路径20。传送路径20与收容有多个电子元器件1的收容部(未图示)相连接，从该收容部向传送路径20提供电子元器件1。在传送路径20内传送的电子元器件1通过未图示的插入部分别被插入到图8所示的互相隔着间隔设置于细长状的载带31的多个凹部31a中。之后，在载带31上配置盖带32。由此来制造具有载带31和盖带32的编带30、和具备收容于凹部31a的电子元器件1的编带电子元器件串列3。

如图1及图2所示，电子元器件1在传送路径20内沿着长度方向L传送。

传送路径20具有底面21、第1侧壁22a、第2侧壁22b。底面21水平设置。第1侧壁22a在底面21的宽度方向上从一个侧端朝着上方延伸。第1侧壁22a垂直于底面21。第2侧壁22b在底面21的宽度方向上从另一个侧端朝着上方延伸。第2侧壁22b垂直于底面21。

传送路径20具有上游部23a、与上游部23a相连接的中游部23b、与中游部23b相连接的下游部23c。上游部23a、中游部23b、下游部23c从收容部侧(上游)起朝着插入部侧(下游)按该此顺序依次设置。底面21、第1侧壁22a、第2侧壁22b通过上游部23a、中游部23b及下游部23c。

在上游部23a及下游部23c，以各个电子元器件1无法以长度方向L为轴进行旋转的间隔来设置第1侧壁22a和第2侧壁22b。换言之，在上游部23a及下游部23c中，若将电子元器件1的沿着宽度方向W的尺寸设为W1、沿着厚度方向的尺寸设为T1，则第1侧壁22a和第2侧壁22b之间的间隔P1、P3比W1及T1要大，比{(W1)²+(T1)²}^1/2要小。

另一方面，中游部23b的第1侧壁22a和第2侧壁22b之间的间隔P2比上游 部23a及下游部23c的第1侧壁22a和第2侧壁22b之间的间隔P1、P3要大。详细而言，在中游部23b，以电子元器件1能以长度方向L为轴进行旋转的间隔来设置第1侧壁22a和第2侧壁22b。换言之，在中游部23b中，第1侧壁22a和第2侧壁22b之间的间隔P2比{(W1)²+(T1)²}^1/2要大。

中游部23b包含与上游部23a相连接的第1过渡部23b1。第1过渡部23b1中，第2侧壁22b相对于传送方向D倾斜。另一方面，第1侧壁22a平行于传送方向D，从上游部23a到中游部23b是平坦的(平面状)。因此，第1过渡部23b1中，第1侧壁22a和第2侧壁22b之间的间隔随着远离上游部23a而逐渐变宽。

中游部23b包含与下游部23a相连接的第2过渡部23b2。第2过渡部23b2中，第2侧壁22b相对于传送方向D倾斜。另一方面，第1侧壁22a平行于传送方向D，从中游部23b到下游部23c是平坦的(平面状)。因此，第2过渡部23b2中，第1侧壁22a和第2侧壁22b之间的间隔随着接近下游部23c而逐渐变窄。

电子元器件传送装置2具有第1磁力发生部24a、第2磁力发生部24b。

第1磁力发生部24a和第2磁力发生部24b分别发生磁力。第1磁力发生部24a和第2磁力发生部24b可分别由例如永磁体、电磁体构成。

第1磁力发生部24a设置于第1侧壁22a的侧方。第1磁力发生部24a对电子元器件1施加磁力，使得在中游部23b电子元器件1的多个内部电极(内部导体)11、12的层叠方向(下面有时简称为“电子元器件1中的层叠方向”。)朝向规定方向(预先设定的固定的所期望的方向、水平方向或铅直方向)。具体而言，在电子元器件1的层叠方向朝向规定方向的电子元器件1从上游部23a传送而来的情况下，即使施加有第1磁力发生部24a的磁力，电子元器件1的层叠方向也不发生变化(不旋转)。另一方面，在电子元器件1的层 叠方向与规定方向正交的电子元器件1从上游部23a传送而来的情况下，第1磁力发生部24a的磁力施加于电子元器件1，电子元器件1以沿着长度方向L延伸的轴为中心进行旋转。其结果是，电子元器件1的层叠方向朝着规定的方向。因此，在下游部23c，以层叠方向朝着规定方向的状态来传送电子元器件1。即，在中游部23b进行使电子元器件1的层叠方向统一的工序。层叠方向经统一后的电子元器件1被传送至下游部23c。

第2磁力发生部24b配置在中游部23b的第2侧壁22b的侧方，且配置在比第1磁力发生部24a更靠近下游侧。由第2磁力发生部24b发生的磁力比由第1磁力发生部24a发生的磁力要弱。通过设置该第2磁力发生部24b，通过第1磁力发生部24a的横向的电子元器件1因第2磁力发生部24b的引力而易于远离第1侧壁22a，从而电子元器件1易于旋转。为了如上所述那样使电子元器件1易于旋转，优选为第1磁力发生部24a和第2磁力发生部24b彼此不相对，即、在与传送方向D正交的宽度方向上不重叠。具体而言，优选为第1磁力发生部24a不与包含第2磁力发生部24b在内的其他磁力发生部重叠，优选为第2磁力发生部24b不与包含第1磁力发生部24a在内的其他磁力发生部重叠。

电子元器件传送装置2中，电子元器件1被第1磁力发生部24a拉近至第1侧壁22a侧。被拉近的电子元器件因来自第1磁力发生部24a的磁力而进行旋转。旋转的电子元器件1被传送至下游侧。所传送的电子元器件1若抵达设有第2磁力发生部24b的区域，则被第2磁力发生部24b拉近至第2侧壁22b。之后，电子元器件经由第2过渡部22e而被传送到下游部23c。

例如，在位于第1侧壁的第1过渡部的部分是相对于传送方向倾斜的倾斜面的情况下，电子元器件沿着该倾斜的第1侧壁传送，有时会在长度方向相对于传送方向倾斜的状态下抵达设有第1磁力发生部的区域。该情况下，电子元器件有时在不沿着第1及第2侧壁而相对于传送方向倾斜的状态下进行旋转。此外，旋转过程中，电子元器件的长度方向有时相对于传送方向 倾斜。因此，长度方向相对于传送方向倾斜的电子元器件有时被传送至下游侧，并在第2过渡部中发生堵塞。

例如，在位于第2侧壁的第2过渡部的部分是相对于传送方向倾斜的倾斜面的情况下，电子元器件的长度方向有时比该倾斜的第2侧壁更相对于传送方向倾斜。因此，长度方向相对于传送方向倾斜的电子元器件有时在第2过渡部中发生堵塞。

与此相对，电子元器件传送装置2中，第1侧壁22a在上游部23a和中游部23b的连接处是平面状(flat)。即，第1过渡部23b1中的第1侧壁22a在传送方向上平行地延伸，不具有阶差部、倾斜部。因此，在利用第1磁力发生部24a使电子元器件1与平面状的第1侧壁22a相接触的状态下，电子元器件1以与传送方向D平行的长度方向L为轴进行旋转。因此，电子元器件1不在长度方向L相对于传送方向D倾斜的状态下旋转。此外，在电子元器件1进行旋转时，电子元器件1的长度方向L难以相对于传送方向D倾斜。另一方面，为了使上游部23a的间隔P1和中游部23b的间隔P2不同，第1过渡部23b1中的第2侧壁22b向与传送方向D不同的方向延伸。第1过渡部23b1中，第2侧壁22b相对于传送方向D及第1侧壁22a倾斜。为了增长电子元器件1能旋转的传送距离，第1过渡部23b1的第2侧壁22b优选为与传送方向D正交。

抵达设有第2磁力发生部24b的电子元器件1被第2磁力发生部24b拉近至第2侧壁22b。第2侧壁22b在从中游部23b到下游部23c是平面状(flat)。即，第2过渡部23b2中的第2侧壁22b在传送方向D上平行地延伸，不具有阶差部、倾斜部。因此，被拉近至与传送方向D平行的第2侧壁22b的电子元器件1以长度方向L与传送方向D平行的状态被传送。其结果是，电子元器件1被传送至下游部23c，而不会在第2过渡部23e中发生堵塞。由此，电子元器件传送装置2中，电子元器件1旋转时、电子元器件1被传送至第2过渡部23e之前，电子元器件1的长度方向L与传送方向D平行。因此，电子元器件传送装置2中，电子元器件1难以发生堵塞。另一方面，为了使下游部23c的间隔 P3和中游部23b的间隔P2不同，第2过渡部23b2中的第1侧壁22a向与传送方向D不同的方向延伸。第2过渡部23b2中，第1侧壁22a相对于传送方向D及第2侧壁22b倾斜。

从更有效地抑制旋转了的电子元器件1在中游部23b发生堵塞的观点出发，优选为在第2过渡部23e中第1侧壁22a相对于传送方向D倾斜，使得第1侧壁22a和第2侧壁22b之间的间隔逐渐变窄。

在如上所述那样构成的电子元器件传送装置2中，上游部23a的中心轴和下游部23c的中心轴在宽度方向上偏移。此处，中心轴是指通过传送路径的宽度方向的中心并沿着传送方向D的轴。因此，通过所传送的电子元器件1的中心并沿着长度方向L的电子元器件1的中心轴在从上游部23a传送至下游部23c的过程中向宽度方向进行位移。电子元器件1的中心轴在中游部23b向宽度方向进行位移。

然而，例如在电子元器件与底面和侧壁双方相接触的状态下，即使来自第1磁力发生部的磁力施加于电子元器件，也难以旋转。因此，电子元器件中的内部电极的层叠方向可能无法可靠地统一。

电子元器件传送装置2中，设置为利用来自第1磁力发生部24a的磁力在中游部23b使电子元器件1的下表面(与底面21相对的面)的一部分离开传送路径20的底面21。具体而言，如图3～图5所示，对第1磁力发生部24a进行配置，使得第1磁力发生部24a的中心位于与传送路径20的底面21相接触的电子元器件1的中心的上方。因此，第1磁力发生部24a的中心线L1位于电子元器件1的沿着宽度方向W延伸的中心线L2的上方。或者，将上游部23a中的第1侧壁22a和第2侧壁22b之间的间隔设为P1，将下游部23c中的第1侧壁22a和第2侧壁22b之间的间隔设为P3，以底面21作为基准的第1磁力发生部24a的中心的高度比P1/2或P3/2要大。在以底面21作为基准的第1磁力发生部24a的中心的高度比P1/2或P3/2要大的情况下，第1磁力发生部24a的中心 与底面21之间的距离比电子元器件1的中心与底面21之间的距离要大。因此，如图4所示，设有第1磁力发生部24a的中游部23b的电子元器件1的下表面的一部分成为与底面21相分离的状态，电子元器件1易于旋转。其结果是，电子元器件1的内部电极11、12的层叠方向易于统一。

另一方面，如图5所示，第2磁力发生部24b中，第2磁力发生部24b的中心比第1磁力发生部24a的中心要靠近底面21。换言之，第2磁力发生部24b的中心与底面21之间的距离比第1磁力发生部24a的中心与底面21之间的距离要小。第2磁力发生部24b的中心设置为与电子元器件1的中心实质上位于相同高度、或位于电子元器件1的中心的下方，该电子元器件1与底面21相接。因此，传送路径20中，设置有第2磁力发生部24b的区域中，电子元器件1与第2侧壁22b和底面21双方相接触，因此电子元器件1的姿势易于稳定。因此，电子元器件1不易堵塞在中游部23b。

另外，第2磁力发生部24b与第1磁力发生部24b同样，设置为利用来自第2磁力发生部24b的磁力在中游部23b使电子元器件1的下表面的一部分与传送路径20的底面21相分离。

下面，对于本发明的优选实施方式的其他示例进行说明。在以下的说明中，利用共通的标号来参照与上述实施方式1实质上具有共通的功能的构件，并省略其说明。

(实施方式2～8)

图9～图15是分别表示实施方式2～8所涉及的电子元器件传送装置的主要部分的示意性剖视图。

实施方式1中对如下示例进行了说明：第1磁力发生部24a配置为利用第1磁力发生部24a的磁力在中游部23b使电子元器件1的下表面的一部分与底面21相分离，从而使电子元器件1易于旋转。然而，本发明并不限于该结果。 也可以利用其他的方法使电子元器件1的下表面的一部分与底面21相分离。例如，底面21也可以具有在中游部使电子元器件1的下表面的一部分与传送路径20的底面21相分离的隔离构造40。即使该情况下，与实施方式1相同，在中游部23b中电子元器件1易于旋转。因此，电子元器件1的内部电极11、12的层叠方向以较高的可靠性进行统一。

例如，在图9所示的实施方式2所涉及的电子元器件传送装置2a中，作为隔离构造40设有从底面21朝着上方延伸的突起部41。在该突起部41位于电子元器件1的下方时，电子元器件1的下表面的一部分与底面21相分离，从而变得易于旋转。

例如，在图10所示的实施方式3所涉及的电子元器件传送装置2b中，作为隔离构造40设有使下游侧的所述底面21变低的底面21的阶差42。刚通过该阶差42的电子元器件1的下表面的一部分与底面21相分离，从而变得易于旋转。

例如，在图11所示的实施方式4所涉及的电子元器件传送装置2c中，作为隔离构造40在底面21设有凹部43。凹部43设在第1侧壁22a的延长线上。在该凹部43位于电子元器件1的下方时，电子元器件1的下表面的一部分与底面21相分离，从而变得易于旋转。

例如，在图12所示的实施方式5所涉及的电子元器件传送装置2d中，作为隔离构造40在底面21设有曲面部44。具体而言，本实施方式中，中游部的底面21的整体由曲面部44构成。在该曲面部44位于电子元器件1的下方时，电子元器件1的下表面的一部分与底面21相分离，从而变得易于旋转。

例如，在图13所示的实施方式6所涉及的电子元器件传送装置2e中，作为隔离构造40，底面21具有相对于水平面倾斜的倾斜面46。第1侧壁22a与底面21所成角度的大小小于90°，第2侧壁22b与底面21所成角度的大小大 于90°。本实施方式中，电子元器件1的下表面的一部分与底面21相分离，因此电子元器件1易于旋转。另外，第1侧壁22a与底面21所成角度的大小大于90°，第2侧壁22b与底面21所成角度的大小小于90°。

例如，在图14所示的实施方式7所涉及的电子元器件传送装置2f中，还可以包括在中游部利用空气压力使电子元器件1的下表面的一部分与传送路径20的底面21相分离的浮起机构50。浮起机构50设有从底面21朝向位于上方的电子元器件1吹出气体的吹气机构51。利用由该吹气机构51吹出的气体(空气)使电子元器件1的下表面的一部分与底面21相分离，从而变得易于旋转。

例如，在图15所示的实施方式8所涉及的电子元器件传送装置2g中，作为浮起机构50设有从上方吸引在中游部传送的电子元器件1的吸引机构52。利用该吸引机构52来吸引电子元器件1，从而电子元器件1的下表面的一部分与底面21相分离，从而变得易于旋转。吸引机构52优选设有具备吸引用开口的盖板60，以使得所吸引的电子元器件1不会与吸引机构52相接触。

标号说明

1 电子元器件

2 电子元器件传送装置

3 编带电子元器件串列

10 电子元器件主体

10a 第1主面

10b 第2主面

10c 第1侧面

10d 第2侧面

10e 第1端面

10f 第2端面

10g 陶瓷部

11 第1内部电极

12 第2内部电极

13 第1外部电极

14 第2外部电极

20 传送路径

21 底面

22a 第1侧壁

22b 第2侧壁

23a 上游部

23b 中游部

23c 下游部

23b1 第1过渡部

23b2 第2过渡部

24a 第1磁力发生部

24b 第2磁力发生部

30 编带

31 载带

31a 凹部

32 盖带

40 隔离构造

41 突起部

42 阶差部

43 凹部

44 曲面部

46 倾斜面

50 浮起机构

51 吹气机构

52 吸引机构

D 传送方向