1.一种电子元器件传送装置，其特征在于，包括：
传送路径；
第1磁力发生部；以及
第2磁力发生部，
所述传送路径包含上游部、与所述上游部相连接的中游部、及与所述中游部相连接的下游部，
所述传送路径包含通过所述上游部、所述中游部及所述下游部的底面、第1侧壁、及第2侧壁，所述第1侧壁和所述第2侧壁隔着间隔相对，所述中游部的所述第1侧壁和所述第2侧壁之间的间隔P2比所述上游部的所述第1侧壁和所述第2侧壁之间的间隔P1、及所述下游部的所述第1侧壁和所述第2侧壁之间的间隔P3要大，
所述第1磁力发生部设置于所述中游部的所述第1侧壁的侧方，
所述第2磁力发生部位于所述中游部，且设置于比所述第1磁力发生部更靠近下游侧的部分的所述第2侧壁的侧方，
所述中游部包含与所述上游部相连接的第1过渡部和与所述下游部相连接的第2过渡部，
所述第1过渡部的所述第1侧壁平行于传送方向，
所述第1过渡部的所述第2侧壁在与所述传送方向不同的方向上延伸，
所述第2过渡部的所述第2侧壁平行于传送方向，
所述第2过渡部的所述第1侧壁在与所述传送方向不同的方向上延伸。
2.一种电子元器件传送装置，其特征在于，包括：
传送路径；
第1磁力发生部；以及
第2磁力发生部，
所述传送路径包含上游部、与所述上游部相连接的中游部、及与所述中游部相连接的下游部，
所述传送路径包含通过所述上游部、所述中游部及所述下游部的底面、 第1侧壁、及第2侧壁，所述第1侧壁和所述第2侧壁隔着间隔相对，所述中游部的所述第1侧壁和所述第2侧壁之间的间隔P2比所述上游部的所述第1侧壁和所述第2侧壁之间的间隔P1、及所述下游部的所述第1侧壁和所述第2侧壁之间的间隔P3要大，
所述第1磁力发生部设置于所述中游部的所述第1侧壁的侧方，
所述第2磁力发生部位于所述中游部，且设置于比所述第1磁力发生部更靠近下游侧的部分的所述第2侧壁的侧方，
所述中游部包含与所述上游部相连接的第1过渡部和与所述下游部相连接的第2过渡部，
所述第1过渡部的所述第1侧壁平行于传送方向，
所述第2过渡部的所述第2侧壁平行于传送方向。
3.如权利要求1或2所述的电子元器件传送装置，其特征在于，
在所述第2过渡部，所述第2侧壁相对于所述第1侧壁倾斜，且所述第1侧壁与所述第2侧壁之间的间隔随着接近所述下游部而变小。
4.如权利要求1或2所述的电子元器件传送装置，其特征在于，
在所述第1过渡部，所述第2侧壁包含与传送方向正交的部分。
5.如权利要求1至4的任一项所述的电子元器件传送装置，其特征在于，由所述第2磁力发生部发生的磁力比由所述第1磁力发生部发生的磁力要弱。
6.如权利要求1至5的任一项所述的电子元器件传送装置，其特征在于，以所述底面作为基准的所述第1磁力发生部的中心的高度比P3/2要大。
7.如权利要求6所述的电子元器件传送装置，其特征在于，
所述第1磁力发生部的中心与所述底面之间的距离比所传送的电子元器件的中心与底面之间的距离要大。
8.如权利要求1至7的任一项所述的电子元器件传送装置，其特征在于，所述底面具有使电子元器件的下表面的一部分与所述底面相隔离的隔离构造。
9.如权利要求1至8的任一项所述的电子元器件传送装置，其特征在于，还具有利用空气压力使所述电子元器件的下表面的一部分与所述底面 相隔离的浮起机构。
10.如权利要求1至9的任一项所述的电子元器件传送装置，其特征在于，
所述第1磁力发生部及所述第2磁力发生部分别由永磁体或电磁体构成。
11.一种编带电子元器件串列的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
利用权利要求1至10的任一项所述的电子元器件传送装置，使所述电子元器件的多个内部导体的层叠方向统一的工序；以及
将所述层叠方向统一后的电子元器件收容于编带的凹部中，来获得包括所述编带和收容于所述凹部的电子元器件的编带电子元器件串列的工序。