有机发光二极管显示器设备的制作方法

技术特征：

1.一种有机发光二极管显示器设备，包括：衬底；安置于所述衬底上的有机发光二极管；以及包封所述有机发光二极管的包封层，

其中所述包封层具有两个或多于两个无机层和一或多个有机层一个在另一个上交替堆叠的结构，所述无机层中的每一者的厚度为40纳米到1000纳米并且折射率为1.41到2.0，所述有机层中的每一者的厚度为0.2微米到15微米并且折射率为1.4到1.65，所述有机层由包封组成物形成，以及

其中所述包封组成物包括10重量％到70重量％的(A)非硅类二(甲基)丙烯酸酯、20重量％到70重量％的(B)硅类二(甲基)丙烯酸酯、5重量％到40重量％的(C)单(甲基)丙烯酸酯以及1重量％到10重量％的(D)起始剂，所述(B)硅类二(甲基)丙烯酸酯由式1表示：

其中R₁和R₂各自独立地为单键；经取代或未经取代的C₁到C₂₀亚烷基；经取代或未经取代的C₁到C₃₀亚烷基醚基；*-N(R')-(R")-*，其中*表示元素的结合位点，R'为氢或经取代或未经取代的C₁到C₃₀烷基，并且R"为经取代或未经取代的C₁到C₂₀亚烷基；经取代或未经取代的C₆到C₃₀亚芳基；经取代或未经取代的C₇到C₃₀芳基亚烷基；或*-(R')-O-**，其中*表示式1中氧的结合位点，**表示式1中硅的结合位点，并且R'为经取代或未经取代的C₁到C₃₀亚烷基；

X₁、X₂、X₃、X₄、X₅以及X₆各自独立地为氢；羟基；卤素；氰基；经取代或未经取代的C₁到C₃₀烷基；经取代或未经取代的C₁到C₃₀杂环烷基；经取代或未经取代的C₃到C₃₀环烷基；经取代或未经取代的C₁到C₃₀烷基醚基；*-N(R')-(R")-*，其中*表示元素的结合位点，并且R'和R"各自独立地为氢或经取代或未经取代的C₁到C₃₀烷基；经取代或未经取代的C₁到C₃₀硫化烷基；经取代或未经取代的C₆到C₃₀芳基；经取代或未经取代的C₂到C₃₀杂芳基或经取代或未经取代的C₇到C₃₀芳基烷基；

X₁、X₂、X₃、X₄、X₅以及X₆中的至少一者为经取代或未经取代的C₆到C₃₀芳基或经取代或未经取代的C₂到C₃₀杂芳基；

R₃和R₄各自独立地为氢或甲基；以及

n为0到30的整数，或平均在0到30的范围内。

2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器设备，其中所述无机层包括第一无机层和第二无机层；所述有机层包括第一有机层；所述包封层包括一个在另一个上交替堆叠的所述第一无机层、所述第一有机层以及所述第二无机层；并且所述第一无机层和所述第二无机层至少部分彼此接触。

3.根据权利要求2所述的有机发光二极管显示器设备，其中所述包封层具有所述第一无机层和所述第二无机层在其边缘依序堆叠的结构。

4.根据权利要求2所述的有机发光二极管显示器设备，其中所述第一无机层和所述第二无机层具有相同面积。

5.根据权利要求2所述的有机发光二极管显示器设备，其中所述第二无机层形成以包围所述第一有机层。

6.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器设备，其中所述多个无机层具有相同面积或具有随距所述有机发光二极管的距离增加而逐渐递增的面积。

7.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器设备，其中所述无机层包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、ZnSe、ZnO、Sb₂O₃、Al₂O₃、In₂O₃以及SnO₂中的至少一者。

8.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器设备，其中在式1中，R₁和R₂各自独立地为单键、经取代或未经取代的C₁到C₂₀亚烷基或经取代或未经取代的C₁到C₃₀亚烷基醚基；X₁、X₂、X₃、X₄、X₅以及X₆各自独立地为氢、经取代或未经取代的C₁到C₃₀烷基、经取代或未经取代的C₃到C₃₀环烷基、经取代或未经取代的C₁到C₃₀烷基醚基、经取代或未经取代的C₆到C₃₀芳基、经取代或未经取代的C₂到C₃₀杂芳基或经取代或未经取代的C₇到C₃₀芳基烷基；并且X₁、X₂、X₃、X₄、X₅以及X₆中的至少一者为经取代或未经取代的C₆到C₃₀芳基。

9.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器设备，其中所述(B)硅类二(甲基)丙烯酸酯由式3到式8中的一者表示：

<式3>

<式4>

<式5>

<式6>

<式7>

<式8>

10.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器设备，其中所述(A)非硅类二(甲基)丙烯酸酯由式2表示：

其中R₃和R₄各自独立地为氢或甲基，并且R₅为经取代或未经取代的C₁到C₂₀亚烷基。

11.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器设备，其中所述(C)单(甲基)丙烯酸酯包括芳香族单(甲基)丙烯酸酯以及非芳香族单(甲基)丙烯酸酯中的一者。

12.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器设备，其中所述包封组成物更包括热稳定剂。