1.一种有机光电器件，包括：
彼此面对的第一电极和第二电极；以及
在所述第一电极和所述第二电极之间的光吸收层，所述光吸收层包括，
最靠近所述第一电极的第一区域，所述第一区域具有p型半导体相对于n型半导体的第一成分比(p1/n1)，
最靠近所述第二电极的第二区域，所述第二区域具有所述p型半导体相对于所述n型半导体的第二成分比(p2/n2)，以及
在厚度方向上在所述第一区域和所述第二区域之间的第三区域，所述第三区域具有所述p型半导体相对于所述n型半导体的第三成分比(p3/n3)，该第三成分比大于或小于所述第一成分比(p1/n1)和所述第二成分比(p2/n2)。
2.根据权利要求1所述的有机光电器件，其中所述第一成分比(p1/n1)与所述第二成分比(p2/n2)相同。
3.根据权利要求1所述的有机光电器件，其中所述第一成分比(p1/n1)与所述第二成分比(p2/n2)不同。
4.根据权利要求1所述的有机光电器件，其中所述光吸收层的所述p型半导体相对于所述n型半导体的成分比(p/n)沿所述厚度方向连续地增大，然后减小。
5.根据权利要求1所述的有机光电器件，其中所述光吸收层的所述p型半导体相对于所述n型半导体的成分比(p/n)沿所述厚度方向不连续地增大，然后减小。
6.根据权利要求1所述的有机光电器件，其中所述光吸收层的所述p型半导体相对于所述n型半导体的成分比(p/n)沿所述厚度方向连续地减小，然后增大。
7.根据权利要求1所述的有机光电器件，其中所述光吸收层的所述p型半导体相对于所述n型半导体的成分比(p/n)沿所述厚度方向不连续地减小，然后增大。
8.根据权利要求1所述的有机光电器件，其中
所述光吸收层被配置为吸收至少一部分可见光波长区域中的光；以及
所述光吸收层的最大光吸收位置取决于所述可见光波长区域而不同。
9.根据权利要求8所述的有机光电器件，其中
所述可见光波长区域包括第一可见光和具有与所述第一可见光不同的波长区域的第二可见光；
所述第一可见光在所述光吸收层的所述第一区域和所述第二区域的其中之一中以最大值被吸收；以及
所述第二可见光在所述光吸收层的所述第三区域中以最大值被吸收。
10.根据权利要求9所述的有机光电器件，其中
所述p型半导体和所述n型半导体的其中之一是配置为选择性地吸收所述第一可见光的吸光材料；以及
所述p型半导体和所述n型半导体的另一个是配置为吸收所述第一可见光和所述第二可见光的吸光材料。
11.根据权利要求10所述的有机光电器件，其中
所述p型半导体是配置为选择性地吸收所述第一可见光的所述吸光材料；
所述n型半导体是配置为吸收所述第一可见光和所述第二可见光的所述吸光材料；以及
所述第三成分比(p3/n3)大于所述第一成分比(p1/n1)和所述第二成分比(p2/n2)。
12.根据权利要求11所述的有机光电器件，其中所述第三区域包括比所述第一区域和所述第二区域更少量的所述n型半导体。
13.根据权利要求10所述的有机光电器件，其中
所述n型半导体是配置为选择性地吸收所述第一可见光的所述吸光材料；
所述p型半导体是配置为吸收所述第一可见光和所述第二可见光的所述吸光材料；以及
所述第三成分比(p3/n3)小于所述第一成分比(p1/n1)和所述第二成分比(p2/n2)。
14.根据权利要求13所述的有机光电器件，其中所述第三区域包括比所述第一区域和所述第二区域更少量的所述p型半导体。
15.根据权利要求10所述的有机光电器件，其中
所述第一可见光具有500nm至600nm的波长区域；以及
所述第二可见光具有大于或等于380nm且小于500nm的波长区域。
16.根据权利要求10所述的有机光电器件，其中所述p型半导体和所述n型半导体的其中之一包括C60、C70、其衍生物、以及其组合的其中之一。
17.一种包括权利要求1的所述有机光电器件的图像传感器。
18.根据权利要求17所述的图像传感器，其中
所述光吸收层配置为吸收至少一部分可见光波长区域中的光；
所述可见光波长区域包括第一可见光、第二可见光和第三可见光，所述第一、第二和第三可见光的每个具有不同的波长区域；
所述有机光电器件配置为选择性地吸收所述第一可见光；以及
所述图像传感器还包括半导体基板，该半导体基板与配置为感测所述第二可见光的多个第一光敏传感器以及配置为感测所述第三可见光的多个第二光敏传感器集成。
19.根据权利要求18所述的图像传感器，其中所述多个第一光敏传感器和所述多个第二光敏传感器在水平方向上彼此间隔开。
20.根据权利要求19所述的图像传感器，还包括：
交叠所述多个第一光敏传感器的第一滤色器，所述第一滤色器配置为选择性地透射所述第二可见光；以及
第二滤色器，交叠所述多个第二光敏传感器，所述第二滤色器配置为选择性地透射所述第三可见光。
21.根据权利要求18所述的图像传感器，其中所述多个第一光敏传感器和所述多个第二光敏传感器在竖直方向上彼此间隔开。
22.根据权利要求17所述的图像传感器，其中
所述光吸收层配置为吸收至少一部分可见光波长区域中的光；
所述可见光波长区域包括第一可见光、第二可见光和第三可见光，所述第一、第二和第三可见光的每个具有不同的波长区域；
所述有机光电器件是配置为选择性地吸收所述第一可见光的第一有机光电器件；
所述图像传感器还包括配置为选择性地吸收所述第二可见光的第二有机光电器件以及配置为选择性地吸收所述第三可见光的第三有机光电器件；以及
所述第一有机光电器件、所述第二有机光电器件以及所述第三有机光电器件顺序层叠。
23.根据权利要求18或22所述的图像传感器，其中
所述第一可见光具有500nm至600nm的波长区域；
所述第二可见光具有大于或等于380nm且小于500nm的波长区域；以及
所述第三可见光具有大于600nm且小于或等于780nm的波长区域。
24.一种包括权利要求17的所述图像传感器的电子装置。
25.一种有机光电器件包括：
第一电极；
在所述第一电极上的第一光吸收层，所述第一光吸收层具有p型半导体相对于n型半导体的第一成分比(p1/n1)；
在所述第一光吸收层上的第二光吸收层，所述第二光吸收层具有所述p型半导体相对于所述n型半导体的不同于所述第一成分比(p1/n1)的第二成分比(p2/n2)；
在所述第二光吸收层上的第三光吸收层，所述第三光吸收层具有所述第一成分比(p1/n1)；以及
在所述第三光吸收层上的第二电极。
26.根据权利要求25所述的有机光电器件，其中所述第二成分比(p2/n2)大于所述第一成分比(p1/n1)。
27.根据权利要求26所述的有机光电器件，其中所述第二光吸收层包括比所述第一光吸收层和所述第三光吸收层更少量的所述n型半导体。