技术总结
本发明公开了一种用于制作异形硅单晶抛光片的方法，包括硅单晶抛光片圆片的制备、贴膜、激光划片、揭膜、清洗等步骤。先通过硅单晶生长以及加工制备出硅抛光片，将硅片贴膜后，使用激光划片机根据异形硅抛光片的形状、尺寸要求进行划片。本发明提供的制作异形硅单晶抛光片的方法有以下几个优点：（1）激光划片精度高、速度快、可进行曲线及直线图形切割，可制作任意形状的异形硅单晶抛光片；（2）划片时，可根据晶片实际厚度和膜厚调整激光器功率，保证与晶片正面接触的膜不切透；（3）切割过程为非接触式，无机械应力产生，工件不易变形，热影响极小，可有效减少晶片划伤、背崩及微裂纹；（4）可利用半导体材料标准加工线进行生产，保证产品的良率。
技术研发人员：陈晨;杨洪星;韩焕鹏;庞炳远;何远东;范红娜;杨静;张伟才;赵权
受保护的技术使用者：中国电子科技集团公司第四十六研究所
文档号码：201610615128
技术研发日：2016.08.01
技术公布日：2016.12.07