1.基于TSV技术开关矩阵射频单元的制造方法，其特征在于包括以下步骤：
(1)使用有机清洗液对硅基片进行清洗；
(2)对步骤(1)中清洗后的硅基片正面进行光刻，在硅基片正面上形成深孔刻蚀掩膜图形；
(3)对步骤(2)中光刻后的硅基片正面进行深硅刻蚀，在硅基片正面上形成深孔图形；
(4)对步骤(3)中刻蚀后的硅基片正面进行去胶处理，去除作为掩膜的光刻胶；
(5)对步骤(4)中去胶后的硅基片正面进行绝缘层生长；
(6)对步骤(5)中生长有绝缘层的硅基片正面进行磁控溅射，在硅基片正面上形成钛粘附层和铜种子层；
(7)对步骤(6)中磁控溅射后的硅基片正面进行电镀铜，形成TSV填充孔；
(8)对步骤(7)中填镀孔后的硅基片正面进行化学机械抛光，将硅基片正面的钛粘附层和铜种子层进行去除，形成平整表面；
(9)对步骤(8)中化学机械抛光后的硅基片正面进行磁控溅射，在硅基片正面上形成钛钨粘附层和金层；
(10)对步骤(9)中磁控溅射后的硅基片正面进行光刻，在硅基片种子层上形成凸点电镀用掩膜图形；
(11)对步骤(10)中光刻后的硅基片正面进行凸点电镀，形成凸点；
(12)对步骤(11)中电镀凸点后的硅基片正面进行去胶处理，去除作为掩膜的光刻胶；
(13)对步骤(12)中去胶后的硅基片正面进行光刻，在硅基片正面金层上形成刻蚀用掩膜图形；
(14)对步骤(13)中光刻后的硅基片正面进行刻蚀，在硅基片金层上形成电路图形；
(15)对步骤(14)中刻蚀后的硅基片正面进行去胶处理，去除作为掩膜的光刻胶；
(16)对步骤(15)去胶后的硅基片正面进行临时键合，形成对图形面的临时保护；
(17)对步骤(16)中临时键合后的硅基片背面进行减薄、化学机械抛光处理，使TSV孔内的铜裸露且平整；
(18)对步骤(17)中减薄、化学机械抛光处理后的硅基片背面进行绝缘层生长；
(19)对步骤(18)中生长绝缘层后的硅基片背面进行光刻，在硅基片背面绝缘层上形成刻蚀用掩膜图形；
(20)对步骤(19)中光刻后的硅基片背面进行刻蚀，使硅基片背面TSV孔部分的绝缘层被刻蚀掉；
(21)对步骤(20)中刻蚀后的硅基片背面进行去胶处理，去除作为掩膜的光刻胶；
(22)对步骤(21)中去胶处理后的硅基片背面进行磁控溅射，在硅基片背面上形成钛粘附层和铜种子层电路；
(23)对步骤(22)中磁控溅射后的硅基片背面进行光刻，在硅基片背面钛粘附层和铜种子层上形成电镀用掩膜图形；
(24)对步骤(23)中溅射后的硅基片背面进行凸点电镀铜，形成凸点；
(25)对步骤(24)中电镀后的硅基片背面进行去胶处理，去除作为掩膜的光刻胶；
(26)对步骤(25)中去胶后的硅基片进行刻蚀，在硅基片背面上形成电路图形；
(27)对步骤(26)中刻蚀后的硅基片进行解键合，去除临时键合层；
(28)重复上述步骤(1)至步骤(27)，进行各层TSV硅基片制作；
(29)对步骤(1)至步骤(28)中制作的各层TSV硅基片进行堆叠，形成开关矩阵射频单元。
2.根据权利要求1所述的基于TSV技术开关矩阵射频单元的制造方法，其特征在于：步骤(7)中，在电镀前对硅基片进行抽真空和冲水处理，电镀填充饱满度为100％。
3.根据权利要求1所述的基于TSV技术开关矩阵射频单元的制造方法，其特征在于：步骤(11)中，凸点电镀具体为：先进行镀铜，再进行镀锡，形成铜/锡结构的凸点。
4.根据权利要求1所述的基于TSV技术开关矩阵射频单元的制造方法，其特征在于：步骤(18)中绝缘层材料为氮化硅。
5.根据权利要求1所述的基于TSV技术开关矩阵射频单元的制造方法，其特征在于：步骤(19)中，掩膜图形中与TSV填充孔位置相对应处的孔径小于TSV填充孔的孔径。
6.根据权利要求1所述的基于TSV技术开关矩阵射频单元的制造方法，其特征在于：步骤(20)中绝缘层刻蚀气体为四氟化碳与氧气的混合气体。
7.根据权利要求1所述的基于TSV技术开关矩阵射频单元的制造方法，其特征在于：步骤(26)中是采用湿法刻蚀来去除钛粘附层和铜种子层的，钛粘附层的刻蚀溶液为双氧水，铜种子层的刻蚀溶液为三氯化铁。
8.根据权利要求1所述的基于TSV技术开关矩阵射频单元的制造方法，其特征在于：如果步骤(1)至(29)中堆叠的TSV硅基片含有多个开关矩阵射频单元，则进行激光划片。