技术总结
本发明公开了一种基于TSV技术开关矩阵射频单元的制造方法，其特征在于基于TSV技术在双面抛光的硅基片上，通过深硅刻蚀、电镀、研磨抛光、堆叠等工艺，获得开关矩阵的射频单元。本发明所述的开关矩阵射频单元，具有集成度高、损耗小、通用化程度高的优点。该方法加工一致性好，特别适用于微波、毫米波通信、雷达等系统/子系统的小型化应用，属于实现小型化、高性能微波通信、雷达系统/子系统的关键技术。
技术研发人员：赵飞;党元兰;韩威;徐亚新;梁广华;刘晓兰
受保护的技术使用者：中国电子科技集团公司第五十四研究所
文档号码：201610640909
技术研发日：2016.08.08
技术公布日：2016.12.21