1.一种用于在具有上室和下室的晶片处理装置中处理晶片的方法，该方法包括：
设置用于通过耦合到所述上室中的上电极的第一射频(RF)功率源产生的连续RF信号的第一参数，其中，所述第一参数包括第一电压和第一频率，所述第一RF功率源构造成在所述室的操作期间提供连续RF功率；
设置用于通过耦合到所述下室中的下电极的第二RF功率源产生的脉冲RF信号的第二参数，其中，所述第二参数包括第二电压、第二频率、接通期间的持续时间以及断开期间的持续时间，其中板分隔所述上室和所述下室，所述板具有使得在操作期间物质的流能够从所述上室到所述下室的多个孔；
施加所述连续RF信号给所述上电极；以及
施加所述脉冲RF信号到所述下电极，其中在所述接通期间在所述下室内激发下等离子体，其中所述下等离子体的电位在所述断开期间衰减直到所述电位达到基本上为0值，其中设置所述第一参数和所述第二参数来调节在所述接通期间从所述上室到所述下室的物质的流量和调节在所述断开期间物质的流量，其中调节所述物质的流量有助于调节所述下室中的负离子蚀刻以及调节在断开期间的余辉过程中在所述下室中的晶片表面上的正电荷，并且通过调节从所述上室到所述下室的电子流调节所述物质的流有助于在所述接通期间的过程中再激发所述下室中的所述下等离子体。
2.如权利要求1所述的方法，其还包括：
设置在所述上室中的第一压强；以及
设置在所述下室中的第二压强。
3.如权利要求2所述的方法，其中所述第一压强高于所述第二压强。
4.如权利要求2所述的方法，其还包括：
增大所述第一压强以增大从所述上室到所述下室的物质的流量。
5.如权利要求1所述的方法，其还包括：
调整在分隔所述上室和所述下室的所述板中的通孔的长度，其中，减小所述通孔的所述长度以增加从所述上室到所述下室的物质的流量。
6.一种用于在具有上室和下室的晶片处理装置中处理晶片的方法，该方法包括：
设置用于通过耦合到所述上室中的上电极的第一射频(RF)功率源产生的连续RF信号的第一参数，其中，所述第一参数包括第一电压和第一频率，所述第一RF功率源构造成在所述室的操作期间提供连续RF功率；
设置用于通过耦合到所述下室中的下电极的第二RF功率源产生的脉冲RF信号的第二参数，其中，所述第二参数包括第二电压、第二频率、接通期间的持续时间以及断开期间的持续时间，其中板分隔所述上室和所述下室，所述板具有使得在操作期间物质的流能够从所述上室到所述下室的多个孔；
设置用于通过耦合到所述下电极的第三RF功率源产生的第三脉冲RF信号的第三参数；
施加所述连续RF信号给所述上电极；
施加所述脉冲RF信号给所述下电极；以及
施加所述脉冲RF信号到所述下电极，其中在所述接通期间在所述下室中激发下等离子体，其中所述下等离子体的电位在所述断开期间衰减直到所述电位达到基本上为0值，其中设置所述第一参数、所述第二参数和所述第三参数来调节在所述接通期间从所述上室到所述下室的物质的流量和调节在所述断开期间物质的流量，其中调节所述物质的流量有助于调节所述下室中的负离子蚀刻以及调节在断开期间的余辉过程中在所述下室中的晶片表面上的正电荷，并且通过调节从所述上室到所述下室的电子流调节所述物质的流有助于在所述接通期间的过程中再激发所述下室中的所述下等离子体。
7.如权利要求6所述的方法，其中，所述第一RF功率源具有介于30兆赫和100兆赫之间的频率，所述第二RF功率源具有介于0.4兆赫和4兆赫之间的频率，且所述第三RF功率源具有介于20兆赫和100兆赫之间的频率。
8.如权利要求6所述的晶片处理装置，其中，所述上室能操作以在处理过程中具有介于20毫乇和60毫乇之间的第一压强，并且其中所述下室能操作以在处理过程中具有介于10毫乇和19毫乇之间的第二压强。
9.一种存储用于在具有上室和下室的晶片处理装置中处理晶片的计算机程序的非暂态计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质包括：
用于设置用于通过耦合到所述上室中的上电极的第一射频(RF)功率源产生的连续RF信号的第一参数的程序指令，其中，所述第一参数包括第一电压和第一频率，所述第一RF功率源构造成在所述室的操作期间提供连续RF功率；
用于设置用于通过耦合到所述下室中的下电极的第二RF功率源产生的脉冲RF信号的第二参数的程序指令，其中，所述第二参数包括第二电压、第二频率、接通期间的持续时间以及断开期间的持续时间，其中板分隔所述上室和所述下室，所述板具有使得在操作期间物质的流能够从所述上室到所述下室的多个孔；
用于施加所述连续RF信号给所述上电极的程序指令；以及
用于施加所述脉冲RF信号到所述下电极的程序指令，其中在所述接通期间在所述下室内激发下等离子体，其中所述下等离子体的电位在所述断开期间衰减直到所述电位达到基本上为0值，其中设置所述第一参数和所述第二参数来调节在所述接通期间从所述上室到所述下室的物质的流量和调节在所述断开期间物质的流量，其中调节所述物质的流量有助于调节所述下室中的负离子蚀刻以及调节在断开期间的余辉过程中在所述下室中的晶片表面上的正电荷，并且通过调节从所述上室到所述下室的电子流调节所述物质的流有助于在所述接通期间的过程中再激发所述下室中的所述下等离子体。
10.如权利要求9所述的存储介质，其还包括：
用于设置在所述上室中的第一压强的程序指令；以及
用于设置在所述下室中的第二压强的程序指令，其中所述第一压强高于所述第二压强。